ASML与X射线辐射相比如何？

为了利用极紫外光的能量并将EUV光刻技术推向市场， $阿斯麦 (ASML.US)$ 爱文思控股已经持续投入研发20多年，以满足不断出现的技术挑战，现在它是全球先进的铸造厂的核心设备。诸如此类的公司正竞相购买这些光刻机以开发自己的芯片，但一些列入先进技术制裁名单的国家不允许购买这些产品，例如俄罗斯。 $台积电 (TSM.US)$ , $三星电子(ADR) (SSNGY.US)$ 和 $英特尔 (INTC.US)$ 爱文思控股等公司正在为了开发他们自己的芯片而竞相这些光刻机，但一些列入先进技术制裁名单的国家不允许购买这些产品，例如俄罗斯。

ASML开发的光刻机是极紫外光（EUV），波长为13.5纳米，而俄罗斯计划开发的光刻机采用X射线技术，波长在0.01纳米至10纳米之间，比EUV极紫外光的波长更短，因此光刻的分辨率更高。

俄罗斯在光刻技术的研究可以追溯到上世纪80年代中期，当时俄罗斯开始开发同步辐射X射线源。这项技术显然是由有远见的科学家们开发，以满足微电子加工的需求，但这些计划并未实施。