中芯国际为华为Mate 70开发的5纳米AP达到了一个重要的里程碑。

2020年，美国商务部修改了出口规则，以防止使用美国技术的代工厂向华为运送尖端芯片。后者得以为P50、Mate 50和P60旗舰产品获得Snapdragon芯片组，尽管对这些芯片进行了调整，使其无法与5G网络一起使用。然后，去年8月，华为推出了Mate 60 Pro，震惊了世界，该芯片由其自2020年以来的首款新麒麟芯片——麒麟9000s提供动力。

由于麒麟9000可以支持5G，自2020年的Mate 40系列以来，华为首次有能力生产支持5G的手机。尽管如此，麒麟9000s还是使用中芯国际的7纳米模式制造的，这使其晶体管的数量无法与苹果在iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max上使用的A17 Pro应用处理器（AP）一样多。A17 Pro建立在台积电的3纳米节点上，配备了190亿个晶体管，而为iPhone 11系列提供动力的7纳米A13仿生内部的晶体管为85亿个晶体管。

尽管华为现在有能力构建5G芯片组，但它仍然落后于3纳米节点，该节点将在今年晚些时候用于制造苹果、高通和联发科的最新AP。而且，由于中芯国际和华为被禁止购买在切成芯片模具的硅晶片上蚀刻极其细的线条所需的极紫外光刻机，华为似乎无法获得比7nm更先进的芯片。

但是，随着关于中芯国际和华为有能力使用较旧的深紫外光刻机（DUV）制造5纳米芯片的传言四处流传，一位名为 @jasonwill101 的 “X” 订阅者（通过Wccftech）发布的一条推文表明，中芯国际已经完成了5纳米芯片的录制阶段。这意味着该过程现在从芯片设计转向生产，这对于两家中国公司来说是一个相当具有里程碑意义的时刻。

预计中芯国际将为华为的5nm生产收取更多费用，因为使用DUV机器制造这种尖端的硅会降低产量，并且需要更多的工作。即使中芯国际能够使用DUV达到5nm，真正的问题是，如果没有使用EUV机器，它将如何达到3纳米甚至更先进。上个月，我们告诉你，华为已经申请了一项名为自对齐四重图案（SAQP）光刻技术的专利，该技术可能有助于该公司获得3纳米芯片。但即便如此，台积电和三星铸造厂等领先的代工厂仍将在2025年下半年向2纳米迈进。

如果中芯国际（现在是仅次于台积电和三星的全球第三大代工厂）能够在2024年制造5纳米芯片组，那么它们应该会在今年晚些时候在华为的Mate 70系列上首次亮相。