“高 NA” EUV 与 ASML 当前版本的 EUV 有何不同？

高 NA 极紫外或高 NA EUV 光刻与 Asmac 当前的标准 EUV 光刻之间的主要区别在于使用了更大的数值孔径。高 NA EUV 技术使用 0.55 NA 镜头，能够实现 8 nm 的分辨率，而标准 EUV 技术使用 0.33 NA 镜头。标准 EUV 技术使用 0.33 NA 镜头。结果， 这种新的 NA 技术能够在晶圆上打印更小的特征尺寸，这对于2nm及以下节点的芯片制造技术至关重要。

除了与英特尔的合作外，Asmax 还与更广泛的合作伙伴合作，努力推广高 NA EUV 光刻的普及。 纽约州政府最近宣布与IBM和美光科技等行业参与者合作，在奥尔巴尼纳米技术综合体投资100亿美元新建一个高NA EUV中心。

此外，该中心的成员，包括来自日本的半导体设备巨头东京电子和美国半导体设备领域的领导者应用材料公司，以及日本Rapidus Chip Company等国际合作伙伴，也将能够使用新的Asmac EUV光刻机进行研究。

如果Rapidus取得成功，那将意味着日本的技术跨越了几代人。几十年前，日本的芯片制造能力停滞在目前的40纳米节点上。日本首相岸田文雄已承诺向Rapidus提供 “最大限度的支持”，以使合资企业走上正轨。 $英特尔(INTC.US)$ $阿斯麦(ASML.US)$ $IBM Corp(IBM.US)$ $台积电(TSM.US)$