美光扩大美国的HBM产量并考虑在马来西亚生产

👉 主要亮点：

📍 美光的目标是在一年内将HBM的市场份额提高到约25％。

📍 扩大台湾产能和美国研发

📍 考虑在马来西亚生产 HBM3E。

📍 HBM DRAM 芯片容量更大，接口更宽。

📍 每个 HBM 模块使用硅通孔堆叠 8-12 个 HBM 模具。

📍 台湾台中最大的HBM生产基地，增加产能。

📍 HBM3E 内存供应在 2025 年的大部分时间都已售罄。

📍 马来西亚可以测试和组装 HBM3E 模具，但不能生产 DRAM 模具。

📍 在爱达荷州博伊西设立了额外的测试生产线。

📍 到2025-2026年扩大美国对下一代HBM4内存的研发。

👉 背景/背景：

领先的存储芯片制造商美光科技正在积极扩大其高带宽存储器（HBM）的生产，以占领更大的市场份额。HBM 对于高级计算应用至关重要，与传统 DRAM 相比，它具有更高的容量和更快的速度。美光的战略举措包括提高台湾的产量，加强美国的研发，以及可能将业务扩展到马来西亚。

👉 市场洞察：

📍 美光努力提高HBM的产量，使其能够更好地与SK海力士和三星竞争。

📍 确保稳定的HBM供应对于像Nvidia这样的合作伙伴至关重要，他们依赖这些先进的内存解决方案。