美国memory制造商Micron推出了一系列新的HBM3E内存芯片（来自Tweakers）

$美光科技 (MU.US)$ $美光科技 (MU.US)$ 这些由十二层而不是八层组成。这意味着它们有更高的36Gb容量。带宽再次超过1.2TB/s。
美光证实新的HBM3E 12层模块正在交付给客户。由于存储芯片的层数增加到十二层，这些芯片的容量比前代产品高出50％，从之前的24Gb增加到36Gb。
这家美国memory制造商还表示，带宽每针超过9.2 Gbit/s。整个模块由1024个引脚组成，制造商表示带宽超过1.2TB/s，因此与该公司现有的HBM3E 8层模块相比，带宽保持不变。

HBm，即High Bandwidth Memory，是一种主要用于显卡的存储器类型。该存储器具有相对较高的带宽，现在主要用于数据中心。这也适用于美光的HBM3E模块，例如用于英伟达的H200云计算gpu芯片（照片：美光）。