SK海力士宣布开始量产全球首个321层NAND闪存芯片-在半导体行业带来新的技术革新

2024年11月22日(部分摘录)

SK海力士宣布已开始量产全球首款321层4D NAND闪存，该新产品具有1太比特的存储容量，采用独特的“三电芯”制造工艺，并计划从2025年上半年开始向客户发货。

SK海力士采用的三电芯（电芯：穿过多层基板并纵向穿透，旨在同时创建单元）技术，采用每约100层的三个垂直堆叠方式。传统制造方法存在一个挑战，即超过100层后，蚀刻设备可靠性下降。该公司通过改用低应力材料减少翘曲，并引入电芯间自动位置校正技术，以克服这一技术挑战。