NVIDIA下一代GPU的电力需求，RTX 5090为575W，RTX 5080为360W吗？-相较上一代最多增加27%的电力

下一代GeForce RTX系列的详细信息已经从多个可靠消息源中明确。作为旗舰型号的RTX 5090的热设计电力（TDP）预计为575W，RTX 5080为360W，与上一代的RTX 40系列相比，电力要求大幅提高。NVIDIA计划在1月6日的CES主题演讲中正式宣布。

下一代旗舰GPU的电力需求是由被业界认为最可靠的泄密者kopite7kimi和hongxing2020揭示的。RTX 5090的575W的TDP值比上一代的RTX 4090增加了125W。这种增加不仅仅是一个简单的数字，而且在GPU性能提升中凸显了电力效率的挑战。

值得关注的是电力分配的详细情况。在RTX 5090的情况下，GB202-300-A1 GPU芯片本身消耗575W，此外为GDDR7内存和其他基板组件分配了25W。这种电力分配接近600W的12VHPWR电源连接器的供电能力。实际运行中，还会额外增加通过主板PCI Express插槽提供的75W，因此理论上的最大供电功率为675W。
另一方面，对于RTX 5080，GB203-400-A1芯片消耗360W，为GDDR7内存和周边组件额外需要40W。有趣的是，RTX 5080的内存相关电力需求高于RTX 5090。这是因为RTX 5080的GDDR7内存运行速度为30Gbps，而RTX 5090为28Gbps。

基于Blackwell架构的RTX 5000系列是在TSMC的4NP工艺下生产的。这个工艺是对前代Ada Lovelace采用的4N工艺进行改良而来。4NP工艺在晶体管密度方面比4N提高了约30%，但并不被视为完全的一代交替。
作为旗舰型号的RTX 5090的核心，GB202-300-A1 Dai搭载了21,760个CUDA核心，这些核心分配给了170个流处理器（SM）。内存配置采用了32GB的GDDR7，并通过512位内存接口连接。

另一方面，RTX 5080采用了GB203-400-A1芯片，实现了10,752个CUDA核心（84 SM）。内存配置为16GB的GDDR7，通过256位总线宽度连接。值得一提的是，RTX 5080的内存速度达到了30Gbps，超过了高端型号。这是由于第一代GDDR7内存的特性限制，高速运行需要额外的电力。据NVIDIA解释，未来改进的GDDR7内存有望以更低的功耗实现高速运行。

因此，制造工艺的渐进性演进和内存技术的限制成为推动下一代GPU电力需求上升的主要因素。NVIDIA在追求性能提升的同时，不得不在电力效率和性能之间取得微妙的平衡。
这种电力需求的急剧增加明显表明半导体制造工艺正进入减速期。为了追求性能提升，NVIDIA不得不投入更多电力。
尤其值得注意的是，12VHPWR电源连接器接近600W的上限。即使考虑来自PCI Express插槽的75W，也仍然需要675W作为理论上限。换言之，在未来的GPU后代中，可能需要新的电源供应方式。对于一般用户而言，1000W以上的电源单元将成为必需品，整个系统成本很可能会进一步上升。

NVIDIA下一代GPU的电源要求，RTX 5090为575W，RTX 5080为360W？-相较上一代最多增加27％的电量 2025年1月4日