■筑波精工＜6596＞の中長期の展望
1. EV車の今後の課題（航続距離）と解決策
過去数年間、中国と欧米を中心に自動車のEV化は加速度的に進んだが、足元ではその伸び率が鈍化している。ここで指摘されている課題の一つが「航続距離」、すなわち1回の充電で走行出来る距離が短いことだ。特に冬場は、より多くの電気を暖房用に消費するため、充電ステーションに長蛇の列が出来ている。これが最近の「EV離れ」の要因の一つとなっている。
(1) 航続距離が短い主要因はインバータの発熱
一般的なEV車（大衆車）の航続距離が短い主要因は、インバータの発熱にある。EV車では、バッテリーのDC電力をACに変換しモーターを回すが、この役割を果たすのがインバータで、変換時の発熱が電力損失を生んでいる。今後EV車の航続距離を伸ばすためには、インバータでの電力損失を極力抑えることが必須条件となる。
(2) 二つの解決策：SiC基板か極薄Si基板
同社によれば、このインバータでの熱損失を抑える方法は、現時点においては主に二つあるとのこと。一つはSiC（シリコンカーバイド）基板を使うことだが、SiC基板は量的な供給が限られていることから非常に高額であり、限られた一部の高級車にのみ搭載できる。一般大衆車への搭載はコスト面から難しい。
一方でSi基板（通常のシリコンウエハ）は安価で大量供給が可能だが、熱損失を抑えるためには厚みを80μm厚（可能なら60μm厚）以下にすることが必要だ。しかし量産ラインにおいては80μm厚以下のウエハの取り扱いが非常に難しく、通常の「接着剤方式」は使えない。そこで、どうしても同社の「静電チャック方式」が必要となってくる。
注：上記は取材に基づいた同社の説明による
2. 潜在市場の推測
上記のような事業環境から、同社の先行きは楽しみでもある。しかしウエハの薄型化が進むためには、まだ乗り越えるべき課題・壁も多い。当初、同社によるとEV向けにウエハの薄型化が進むのは2024年3月期以降としていたが、実際は2～3年ほど遅れる気配である。したがって、同社の業績が本格的に浮上するのも2026年3月期からと予想される。
では今後、潜在的な市場はどの程度あるのだろうか。同社の説明によると、従来、薄型IGBT生産の主力は6インチウエハであったが、2023年秋から8インチウエハで80μが本格的に稼働し、一部では12インチが立ち上がりつつあるようだ。12インチウエハ1枚からは自動車約3台分のIGBTが取れると言う。したがって今後のEV自動車生産予測から、同社では12インチウエハ用「Supporter」の需要については、遅くとも2027年3月期に7,000枚/年になると見ているようだ。
「Supporter」の価格は正式には開示されていないが、取材に対して会社は「12インチウエハ用で1枚数千米ドルのレベル」と述べている。仮にこの価格を3千米ドル、1米ドルを150円とすると、2027年3月期の「Supporter」の売上高は、7,000×3,000×150＝3,150百万円※となる可能性がある。
※これらの数字は弊社推測によるもので、同社から正式に発表された数字ではない。
同社によれば、既に12インチ月産15万枚を準備している顧客がいるとのことで、事実2024年3月期には12インチ量産用の自動機を販売した。12インチの保持材については、同社の「Supporter」以外に今のところ競合する製品は見当たらない、とのことである。今後は8インチでの同社製品の採用増とともに、12インチへの展開も注視する必要がある。
3. もう1つの潜在市場（MOSFET用）とIGBTの広がり
同社製品（主に「Supporter」）に対して、もう1つ大きな市場として期待されるのがMOSFET用だ。現在、自動車用と携帯電話用バッテリーの大容量化が進んでおり、これらのバッテリーにおいては高速（短時間）での充電が求められている。そのためには、高電圧をかける必要があり、これに耐えられるMOSFET半導体が必須部品となる。MOSFET半導体の厚さは約100μであるが、デバイスメーカーとしては少しでも生産効率を上げるために8インチウエハでの生産を標準としている。その生産工程ではウエハの「反り」が大きな問題となるが、これに対応できるのが同社の「Supporter」である。
同社ではMOSFET用としての「Supporter」の需要は2025年3月期には約1,500枚/年に達すると見ている。IGBT用と並んで楽しみな市場である。MOSFET用（8インチ用）の価格は、IGBT用（12インチ用）よりは低いと予想されるが、将来の売上高は年間200～300百万円に上る可能性があると弊社では見ている。
また最近では、薄型IGBT市場が広がってきている点も注目だ。現在、最も需要が期待されているのがEV自動車なのは言うまでもないが、近年では風力発電用、家電用にも需要が広がっている。
（執筆：フィスコ客員アナリスト 寺島 昇）
■筑波精工 ＜6596＞ 的中长期展望
1。电动汽车的未来问题（续航里程）和解决方案
在过去的几年中，汽车向电动汽车的转换速度加快，主要是在中国、欧洲和美国，但目前增长率正在放缓。这里指出的问题之一是 “续航里程”，也就是说，一次充电可以行驶的距离很短。特别是在冬季，取暖会消耗更多的电力，因此充电站排起了长队。这已成为最近 “退出电动汽车” 背后的因素之一。
（1）巡航里程短的主要原因是逆变器产生的热量
典型的电动汽车（流行汽车）续航里程短的主要原因是逆变器产生的热量。在电动汽车中，电池的直流功率被转换为交流电，电机转动，逆变器起着这种作用，转换过程中的热量会导致功率损失。为了在未来增加电动汽车的续航里程，尽可能地使用逆变器抑制功率损耗是先决条件。
(2) 两种解决方案：碳化硅衬底或超薄硅基板
据该公司称，目前有两种主要的方法可以抑制这种逆变器的热损失。一种是使用碳化硅（碳化硅）基板，但由于碳化硅衬底的定量供应有限，它们非常昂贵，只能安装在有限数量的豪华汽车上。从成本的角度来看，安装在普通公共车辆上很困难。
另一方面，硅基板（普通硅晶片）价格便宜，可以大量供应，但是为了抑制热损失，必须将厚度设为80μm（如果可能的话，厚度为60 μm）或更小。但是，在批量生产线中，处理厚度小于或等于80 μm的晶圆极其困难，并且不能使用普通的 “粘合法”。因此，公司的 “静电吸盘法” 将不可避免地成为必要。
注：以上是公司根据采访做出的解释
2。估算潜在市场
从上述商业环境来看，我也对公司的未来充满期待。但是，为了使晶圆变薄，仍有许多问题和障碍需要克服。据该公司称，最初假设电动汽车的晶圆将在2024/3财年之后变得更薄，但实际上，有迹象表明将推迟约2至3年。因此，预计该公司的业绩将从截至2026/3的财年开始大幅上升。
那么，它未来有多少潜在市场呢？根据该公司的解释，传统上，薄型IGBT生产的主要力量是6英寸晶圆，但从2023年秋季开始，80μs似乎将在8英寸晶圆上全面运行，在某些情况下，12英寸的晶圆正在启动。据说，大约3辆汽车的IGBT可以从一个12英寸的晶圆中获得。因此，根据未来的电动汽车产量预测，该公司预计最迟在2027/3财年对12英寸晶圆的 “支撑” 需求为每年7,000张。
“Supporter” 的价格尚未正式披露，但该公司在回应采访时表示，“12英寸晶圆的价格处于每片数千美元的水平”。假设这个价格为3,000美元，1美元为150日元，那么截至2027/3财年的 “支持者” 的销售额有可能为7,000 x 3,000 x 150 = 31.5亿日元*。
*这些数字基于我们的猜测，并未由公司正式公布。
据该公司称，有些客户已经在准备15万张12英寸的月度生产表，实际上，用于批量生产12英寸的自动机器已在2024/3财年售出。至于12英寸的保管材料，据说目前除了公司的 “支持者” 之外没有其他竞争产品。展望未来，随着公司8英寸产品的采用率越来越高，有必要密切关注向12英寸的扩展。
3.另一个潜在市场（MOSFET）和IGBT的扩张
该公司产品（主要是 “支持者”）的另一个主要市场是MOSFET。目前，汽车和手机电池容量的增加正在取得进展，需要对这些电池进行高速（短时间）充电。为此，必须施加高电压，而能够承受这种高压的MOSFET半导体是必不可少的组件。MOSFET半导体的厚度约为100 μm，但作为设备制造商，为了稍微提高生产效率，使用8英寸晶圆的生产是标准配置。晶圆的 “翘曲” 成为生产过程中的一个主要问题，公司的 “支持者” 可以解决这个问题。
该公司估计，在2025/3财年，对MOSFET的 “支持者” 的需求将达到每年约1,500张。这是一个有趣的市场，还有IGBT的市场。预计MOSFET（8英寸）的价格将低于IGBT（12英寸）的价格，但我们预计未来的销售额将增至每年2亿至3亿日元。
此外，最近，值得注意的是，薄型IGBT市场一直在扩大。目前，毫无疑问，电动汽车的需求量将最大，但近年来，对风力发电和家用电器的需求也有所扩散。
（由FISCO客座分析师寺岛升撰写）
