《日本經濟新聞》報道，日本半導體調查企業TechanaLye社長清水洋治表示，中國晶片實力已達到落後台積電(TSM.US)3年水平。
報道對比今年4月上市華為智能手機Pura 70 Pro應用處理器「麒麟9010」，以及2021年高端手機應用處理器「麒麟9000」的電路圖，兩者分別由中芯(00981.HK)及台積電量產。中芯7納米晶片面積為118.4平方毫米，台積電5納米晶片則為107.8平方毫米，面積未有太大差異，處理性能基本相同。雖在良品率上有差距，但中芯實力已追趕到落後台積電3年，且顯示設計該兩款晶片的海思半導體，其設計能力有提高。
清水洋治認為，美國政府的管制僅略為減慢中國的技術創新，但推動中國半導體產業自主生產。
《日本经济新闻》报道，日本半导体调查企业TechanaLye社长清水洋治表示，中国晶片实力已达到落后台积电(TSM.US)3年水平。
报道对比今年4月上市华为智能手机Pura 70 Pro应用处理器「麒麟9010」，以及2021年高端手机应用处理器「麒麟9000」的电路图，两者分别由中芯(00981.HK)及台积电量产。中芯7纳米晶片面积为118.4平方毫米，台积电5纳米晶片则为107.8平方毫米，面积未有太大差异，处理性能基本相同。虽在良品率上有差距，但中芯实力已追赶到落后台积电3年，且显示设计该两款晶片的海思半导体，其设计能力有提高。
清水洋治认为，美国政府的管制仅略为减慢中国的技术创新，但推动中国半导体产业自主生产。
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