【环球网科技综合报道】10月17日消息，三星电子今日宣布，该公司已成功开发出首款24Gb GDDR7 DRAM，即第七代图形双倍数据传输率存储器，标志着在高性能存储解决方案领域的又一重大突破。这一创新产品预计将在数据中心、AI工作站等需要高速数据处理的领域发挥重要作用，并将进一步拓宽图形DRAM在显卡、游戏机和自动驾驶等传统应用领域之外的新天地。
三星电子的24Gb GDDR7 DRAM采用了先进的第五代10纳米级DRAM制程技术，这一技术进步使得新存储器在保持与前代产品相同封装尺寸的同时，单元密度提升了50%。此外，通过采用脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，GDDR7的速度达到了行业领先的40Gbps，与前代产品相比提升了25%，而在特定使用环境下，性能甚至可以进一步提升至最高42.5Gbps。
三星电子在移动产品技术上的创新应用也为GDDR7带来了超过30%的能效提升。通过实施时钟控制管理和双电压（VDD）设计等方法，新存储器大幅降低了不必要的功耗。此外，24Gb GDDR7采用了电源门控设计，这一设计有助于最大限度地减少电流泄漏，确保在高速运行时的稳定性。
三星电子计划于今年在下一代AI计算系统中对24Gb GDDR7 DRAM进行验证，并预计在明年年初实现商业化生产。这不仅将为AI和高性能计算领域带来新的活力，也将推动相关行业的技术进步和创新发展。
