3月17日,中国芯片巨头——中芯国际对外发布公告,目前中芯国际FinFET第一代技术已经成功量产,FinFET第二代技术则处在风险量产阶段。
官方之前曾公布,中芯国际的FinFET第一代技术实质是14nm工艺改进的12nm工艺,而FinFET第二代技术则包括N+1和N+2,分别对标台积电7nm和5nm。
结合实际情况来看,目前中芯国际正在进行风险量产的应该就是7nm工艺,毕竟中芯国际并没有买到可以用于生产5nm芯片的EUV光刻机。
而在不久前,中芯国际才与荷兰ASML公司敲定一笔价值77亿的订单,其中就包括DUV光刻机。相比EUV光刻机,DUV光刻机虽然精度不够高,但其实也能在特定条件下制造7nm芯片。
不过,从官方公布的参数来看,中芯国际的7nm工艺相比台积电的7nm工艺其实还是存在一些差距。
台积电的7nm技术相比上一代制程工艺,性能提升35%,而中芯国际的7nm技术只提升20%。当然,中芯国际的7nm技术也有优点,那就是功耗大幅降低,这是非常难得的一件事,也是FinFET工艺最大的优势。事实上,7nm应该就是FinFET工艺的应用极限。
5nm芯片之所以频繁出现功耗翻车问题,很大原因就是FinFET工艺无法继续平衡芯片性能和功耗,导致芯片漏电问题变得严重。
从这一角度来看,或许很多厂商会为了芯片均衡,在新一代工艺出现前,放缓向先进工艺迈进的脚步。中芯国际7nm技术,也将凭借节电特点,获得更多用户青睐。
在笔者看来,中芯国际官宣最新工艺研发进展,其实也是为国内半导体产业打了一针强心剂。
众所周知,过去两三年时间,中国科技企业相继遭到芯片制裁。芯片技术、芯片产业链的重要性开始体现,国家不断加大对芯片企业的扶持力度。
但可惜的是,由于中国芯片产业整体实力落后国际水准太多,且尖端技术都存在极高的技术壁垒,短时间内难以突破。因此,国产芯片虽然在部分中低端市场实现了替代,但高端芯片严重依赖进口的情况却并没有明显改善。
而中芯国际突破7nm工艺,成为全球范围内第三家掌握这项技术的芯片代工企业,则是向厂商证明了技术自研的可行性。
按照计划,明年中芯国际就将可以量产7nm芯片,国产芯片自给率有望大幅提升。
文/JING 审核/子扬 校正/知秋