$阿斯麥 (ASML.US)$ 上個月，在ITF（國際半導體技術研討會）上，比利時微電子研究中心iMEC宣布了一項藍圖，...

上個月，在ITF（國際半導體技術研討會）上，比利時微電子研究中心iMEC宣布了一項藍圖，即晶體管將在2025年後進入埃角分尺度（A，埃角，1埃角=0.1奈米），其中2025年對應A14（14A=1.4奈米）。到2027年，將成為A10（10A=1奈米），到2029年，則成為A7（7A=0.7奈米）。

當時，iMEC表示，除了新的晶體管結構和2D材料外，一個關鍵環節是高NA（高數值孔徑）EUV光刻機。根據該公司的消息，0.55NA下一代EUV光刻機（型號：EXE:5000）將在2023年供應給iMEC並於2026年開始大規模生產。

然而，這個月對媒體發表談話時，ASML似乎暗示了更早的時間表。第一部高NA EUV光刻機將於2023年提供初步訪問，並在2024年至2025年供客戶開發，並於2025年開始進行大規模生產。