Micron推出了一系列新的HBM3E記憶芯片（來自Tweakers）

$美光科技 (MU.US)$ $美光科技 (MU.US)$ 這些芯片由十二層組成，而不是八層。這意味著它們擁有更高的容量36Gb。帶寬再次達到“超過1.2TB/s”。
Micron確認新的HBM3E 12高模塊正在交付給客戶。由於記憶芯片的層數增加到十二層，這些芯片的容量比其具有八層記憶芯片的前身高出50％。之前的HBM3E芯片容量為24Gb，但這個新模塊將此提升到36Gb。
這家美國記憶體製造商還表示，帶寬每個引腳超過9.2 Gbit/s。根據該公司現有的HBM3E 8高模塊，整個模塊由1024個引腳組成，這相當於超過1.2TB/s的帶寬。該帶寬與現有的HBM3E 8高模塊相比保持不變。

HBm，即高頻寬記憶體，是一種主要用於視頻卡的記憶體類型。該記憶體具有相對較高的帶寬，現在主要用於數據中心。這也適用於美光的HBM3E模塊，例如用於英偉達的H200 gpu芯片-云计算（照片美光）。