SK海力士，世界首層321層NAND閃存量產開始 - 半導體業界迎來新技術革新

2024年11月22日(一部摘要)

SK hynix宣布開始量產全球首款321層4D NAND閃存，這款新產品擁有1TB的存儲容量，採用獨特的“3電芯”製造過程，並計劃從2025年上半年開始向客戶交付。

SK hynix採用的3電芯（電芯：多層基板垂直貫穿，旨在一次建立多個單元的技術）技術採用每約100層的3個疊層，以垂直方式堆疊。在傳統製造方法中，超過100層時會降低蝕刻設備的可靠性，此為一個挑戰。透過轉向低應力材料減少彎曲和引入插頭自動位置校正技術，該公司克服了這個技術挑戰。