弱需求致短期现货市场承压，AI手机/AIPC存储容量提升拉动存储需求隨着AI應用需求持續釋放，“先進存力”建設勢在必行，存儲芯片或成爲國家大基金三期的重點投資對象。
智通財經APP獲悉，華金證券發佈研報稱，近日，國家集成電路產業投資基金三期股份有限公司已正式成立，註冊資本高達3440億人民幣。隨着AI應用需求持續釋放，“先進存力”建設勢在必行，存儲芯片或成爲國家大基金三期的重點投資對象。當前國內存儲原廠擴產項目正有序推進，稼動率亦穩步提升，在國家大基金三期的政策加速催化下，存儲產業鏈相關的設備、材料等廠商迎來黃金髮展機遇。建議關注存儲產業鏈相關標的：東芯股份(688110.SH)，兆易創新(603986.SH)，北京君正(300223.SZ)，江波龍(301308.SZ)，德明利(001309.SZ)，普冉股份(688766.SH)等。
華金證券主要觀點如下：
弱需求致短期現貨市場承壓，AI手機/AIPC存儲容量提升拉動存儲需求
具體看本週存儲價格(截至5月28日11：00)，根據CFM數據，1)FlashWafer：本週FlashWafer價格維持不變。2)DDR：DDR416Gb3200/eTT和8GbeTT價格小幅下跌。3)渠道市場：渠道市場仍處於去庫存階段，本週渠道內存價格下調，降幅在4%~5%;渠道SSD價格持平。4)行業市場：小單詢單有所增加，但大單依然較少，市場普遍謹慎觀望，按需備貨靈活應對，本週行業SSD價格維持不變，行業內存小幅下跌。5)嵌入式：原廠稀缺資源供應持續緊張，eMCP/LPDDR/UFS/uMCP價格維持不變，僅部分eMMC價格出現小幅下調。
CFM指出，雖然原廠資源及成品端價格仍然較高，但除原廠外的消費類品牌價格普遍出現回調，傳統PC市場短期難以擺脫增長乏力的困境，受弱需求衝擊存儲現貨市場信心不足，貿易端變現壓力較重，渠道消耗庫存動作明顯，短期存儲現貨行情將持續承壓。華金證券預計，24H2隨着AI手機和AIPC的發佈，存儲容量會顯著提升，進而帶動存儲需求。
漲價疊加供需改善推動，24Q1存儲原廠業績表現亮眼
受益於AI需求強勁增長，服務器eSSD、DDR5及HBM需求旺盛，加之NAND製程切換及DDR5產品迭代，服務器存儲芯片供需緊張。同時，三星、SK海力士及美光等原廠積極轉產或增產高利潤的HBM，持續擠佔傳統存儲芯片產能，加速存儲產業鏈供需回歸平衡。根據CFM數據，24Q1全球存儲市場規模達339億美元，同比增長86%，環比增長15%。在漲價疊加供需改善的推動下，24Q1存儲原廠的存儲收入同環比均回升；利潤端，繼23Q4僅SK海力士一家經營利潤扭虧爲盈、其餘四家原廠(三星、美光、西數、鎧俠)均處於虧損狀態之後，24Q1五大原廠均實現扭虧爲盈。
NAND方面，CFM數據顯示，24Q1全球NAND市場規模達152億美元，同比增長74%，環比增長24%。NAND均價在24Q1呈20%~30%的大幅上漲，其中三星、SK海力士和美光價格環比增速均在30%左右。
DRAM方面，CFM數據顯示，24Q1全球DRAM市場規模達到188億美元，同比增長97%，環比增長9%。受益於DRAM價格的全面回升，以及HBM、DDR5等產品的出貨增長，原廠DRAM營收延續增長勢頭；其中SK海力士和三星價格環比上漲幅度均在20%左右，美光價格環比增速超10%。
原廠產能轉向高附加值產品以及需求復甦，利基存儲市場有望加速回暖
24Q2以來部分國內互聯網廠商向原廠緊急加單HBM和DDR5產品，同時由於HBM產線已切換成HBM3/3E先進製程，針對客戶HBM2E的急單需求，部分原廠只能緊急加開產線並將部分DDR4產線切換成HBM2E；預計至2024年底，原廠約80%DRAM產能切換至DDR5，DDR4供應或陷入短缺。
根據ITHome消息，三星和SK海力士預計在24H2退役其DDR3產線。考慮到美光和南亞當前DDR3產量有限，兩大原廠退出或將推高DDR3價格。兆易創新表示SLCNAND需求回暖和價格上漲約比利基DRAM晚一個季度，而NOR供需已回歸平衡。華金證券認爲，隨着AI手機等端側AI的普及和應用，以及AR/VR等新興技術賦能可穿戴類產品刺激需求，NORFlash有望步入上行週期。
風險提示：下游需求復甦低於預期，終端去庫存效果低於預期，相關廠商研發進程不及預期，基金出資方出資金額實繳到位進度不及預期，系統性風險等。
