證券之星消息，根據企查查數據顯示頎中科技（688352）新獲得一項發明專利授權，專利名爲“晶圓表面介電層的製備方法、晶圓結構及凸塊的成型方法”，專利申請號爲CN202110735094.7，授權日爲2024年7月16日。
專利摘要：本發明公開了一種晶圓表面介電層的製備方法、晶圓結構及凸塊的成型方法，所述製備方法包括如下步驟：提供晶圓；在晶圓的上表面形成對位標記，其中，對位標記爲厚度不低於0.3μm的金屬塊；在形成對位標記後的晶圓的上表面形成一介電層。與現有技術相比，本申請優化了晶圓介電層的製備工藝，在晶圓表面成型出介電層之前，預先在晶圓表面製備出對位標記。由於對位標記的厚度達0.3μm以上，具有較好的突出可見性，其在晶圓的後續工藝中能夠很好的被識別並被用於定位，有利於後續工藝的展開；有效避免了在介電層製備階段，因對位標記不可見而需返工的問題，保障了製程工藝的連續性，提高了生產效率，也節省了返工的人力物力成本。
今年以來頎中科技新獲得專利授權10個，較去年同期增加了11.11%。結合公司2023年年報財務數據，2023年公司在研發方面投入了1.06億元，同比增6.39%。
數據來源：企查查
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