三星迎頭趕上，開始在縮小與競爭對手SK海力士的差距方面取得進展。
智通財經APP獲悉，三星電子（SSNLF.US）在開發對人工智能市場至關重要的存儲芯片方面遭遇一系列挫折後，開始在縮小與競爭對手SK海力士的差距方面取得進展。據知情人士透露，這包括贏得了人工智能巨頭英偉達(NVDA.US)期待已久的一款名爲HBM3的高帶寬存儲芯片的批准，此外，該公司還預計下一代HBM3E將在兩到四個月內獲得批准。
在歷經幾個月挫折之後，三星終獲進展，此前該巨頭曾經歷開發失誤、規模較小的SK海力士在行業中脫穎而出並取得巨大領先地位。從歷史上看，憑藉其規模和工程專業知識，韓國最大的公司三星一直是內存芯片市場領導者，卻不尋常地被SK海力士迎頭趕了上來。此外，鑑於該公司在HBM領域舉步維艱，三星在5月採取了極不尋常的舉措，更換了半導體部門負責人。
Tirias Research分析師吉姆·麥格雷戈(Jim McGregor)表示，“我們從未見過三星處於這種境地，業界和英偉達比任何人都更需要三星，但他們需要三星全力以赴。”
三星拒絕對任何具體的合作伙伴發表評論，但表示總體而言，公司正與客戶密切合作，當前測試進展順利。
三星電子此次取得的成果很可能是爲將人工智能產品需求資本化。據摩根士丹利稱，HBM市場預計將從去年的40億美元增至2027年的710億美元。三星越快得到人工智能加速器領導者英偉達的支持，便能從這一熱潮中獲得越多收入。
摩根士丹利分析師Shawn Kim和Duan Liu在本月的一份研究報告中寫道,“投資者對三星的看法可能很快就會改變，情況正在迅速改善。”
這兩位分析師在報告中將三星列爲首選股票，他們認爲，到2025年，三星的HBM市場份額至少會增加10%，收入將增加約40億美元。儘管在該領域仍將落後於SK海力士，但這一進展可能會改變投資者的看法，股價也將隨之提振。
三星將於本週三公佈第二季度業績，屆時其HBM戰略可能面臨質疑。目前尚不清楚該公司將提供多少細節。
不過，雖然三星似乎有望在11月之前獲得英偉達的批准，但該公司仍在努力解決某些問題，鑑於人工智能芯片的複雜性，結果難以預測。知情人士說，其時間表有可能會滑到2025年。
三星落後於同行發生在該公司一個不同尋常的時期。執行董事長李在鎔(Jay Y.Lee)花了數年時間與檢方就賄賂和腐敗指控展開鬥爭，與此同時，公司高層並未將HBM視爲優先事項。事實上，在OpenAI於2022年底推出ChatGPT並引發對英偉達芯片的狂熱需求以訓練AI模型前，市場一直處在巨大的不確定性中。
雖然SK海力士已經準備好迎接井噴的需求，但三星仍在努力解決新芯片的複雜工程問題。HBM是由一組堆疊在一起的DRAM芯片組成的，最新一代是8個(每一層都會產生大量的熱量)，隨後則被裝入英偉達的圖形處理單元(GPU)。GPU本身可達到100攝氏度，如果沒有適當的散熱和冷卻材料，整個堆棧將面臨熔化的風險。
Bloomberg Intelligence分析師傑克·西爾弗曼(Jake Silverman)表示:“隨着這些層數的增加，開發合理產量將變得更加困難。問題在於散熱：運行發熱是因爲這是堆疊的DRAM，它非常接近GPU，而GPU的運行溫度更高。”
一位不願透露姓名的知情人士稱，三星在解決這種所謂的熱耦合問題上遇到了麻煩。今年5月，該公司採取了戲劇性的行動:宣佈半導體部門負責人Kyung Kye-hyun將離職，由Jun Young-hyun接替他的位置。
Jun於2000年加入三星，並幫助開發了DRAM和閃存芯片。現年63歲的他召開了一系列會議，探討技術細節，致力於找到問題的根本原因。據一位知情人士透露，在一次持續數小時不間斷的會議上，他哀嘆HBM可能是一個更廣泛問題的一部分。
然而，不僅在內存芯片技術上具有落後的風險，三星在創新的緊迫性方面也有可能落後。爲促進合作，他重組了專注於HBM的團隊，並任命了一位新負責人。
三星使用一種稱爲熱壓縮不導電膜(TC-NCF)的熱管理策略來隔離DRAM的每一層。而SK海力士則率先開發出了改善散熱和產量的替代方案。
然而，三星選擇堅持使用TC-NCF並對其進行改進，並未選擇其他方式。一位公司發言人表示，TC-NCF是一項“經過驗證的技術”，將用於未來的產品中。
知情人士說，最終，該公司修改了HBM的設計，以解決熱量和電力消耗問題。這使得HBM3獲得了英偉達的批准。
三星表示，Jun自上任以來，一直將公司集體商議和堅持解決問題的文化放在首位。該公司補充說，“我們的HBM產品沒有與熱量和電力消耗相關問題”，也沒有針對特定客戶“進行設計更改”。
三星的“救命稻草”可能在於，人工智能大部分增長都在未來。微軟(MSFT.US)、谷歌母公司Alphabet(GOOGL.US)、亞馬遜(AMZN.US)、蘋果(AAPL.US)和Meta Platforms(META.US)等科技巨頭都在斥巨資以發展自身能力。
根據三星季度報告的細節，該公司從去年下半年開始生產HBM3芯片。像谷歌這樣自己設計芯片功能的公司，預計在今年的大部分時間裏將繼續使用HBM3。三星已開始向英偉達供應HBM3，用於其H20芯片，這是一款爲中國定製的產品，以滿足美國的出口管制。
至於HBM3E，因爲英偉達將SK海力士芯片與自己的H200芯片配對，該技術今年首次進入市場。Sanford C. Bernstein分析師在7月份的一份報告中表示，到2025年，英偉達幾乎所有的產品都將繼續使用HBM3E，而其芯片競爭對手甚至在2026年也將繼續使用。
以馬克·李(Mark Li)爲首的分析師寫道:“三星姍姍來遲，但HBM3E的窗口仍將爲盡力追趕的三星所保留。”
美光科技(MU.US)今年早些時候宣佈，英偉達已批准將其HBM3E芯片用於該公司的人工智能設備。在規模上歷來落後於韓國競爭對手的美光，如今聲稱在一些內存製造和產品推出領域處於領先地位，這進一步表明三星的主導地位正在受到侵蝕。
然而，三星擁有的一個顯著優勢是其財務資源和生產能力。一旦達到英偉達的批准標準，三星便能迅速提升產量，解決阻礙英偉達和其他人工智能倡導者的短缺問題。
Bloomberg Intelligence的Silverman表示，“美光和海力士還沒有能力支撐整個市場，”他補充說，英偉達首席執行官黃仁勳“希望鼓勵他們”，因爲英偉達需要更多供給。
SK海力士並沒有放棄，更是罕見地從其知名度更高的競爭對手那裏搶佔了風頭，自2023年初以來，該公司股價飆升了150%以上，是三星股價表現的三倍多。
SK海力士上週表示，目前正加快HBM3E產品的生產，以期實現超300%的增長。該公司還表示，計劃於本季度量產下一代12層HBM3E芯片，並在第四季度開始向一家客戶供貨，這或許表明英偉達的認證即將到來。
與此同時，在Jun的領導下，三星正在取得進步。它開發了自己的12層HBM3E技術，並正在努力獲得英偉達對這一代芯片以及8層HBM3E的批准。這也是未來市場前景的一個跡象。
摩根士丹利的分析師寫道:“據我們估計，到2027年，這將是一個價值710億美元的營收機會，而且還在不斷增長，這在兩年前是不存在的。對三星來說，關鍵的爭論在於，它能否成爲英偉達之後強有力的第二供應商。”