投資界消息，杭州鎵仁半導體有限公司近日獲得近億元Pre-A 輪融資，本輪投資由九智資本領投，普華資本共同投資。本輪融資資金的注入，不僅是對公司技術實力和市場前景的高度認可，更爲公司的未來發展提供了堅實的資金保障。
同時，隨着與杭州銀行戰略合作協議的簽訂，公司將進一步深化與金融機構的合作，共同探索科技與金融深度融合的新模式、新路徑，爲公司的持續快速發展注入新的活力。
自2022年9月成立以來，鎵仁半導體專注超寬禁帶半導體氧化鎵單晶材料領域，對外提供多種尺寸以及晶面的氧化鎵半導體襯底材料以及外延片。從成功實現6英寸鑄造法單晶生長，到突破3英寸晶圓級(010)襯底製備技術，鎵仁半導體在短短一年多的時間裏，取得了一系列技術成果。
九智資本董事長韓華龍表示：“鎵仁半導體是一家在關鍵材料領域技術領先的公司，氧化鎵作爲第四代半導體材料，是一種關鍵的“卡脖子”材料，也爲中國在全球科技領域競爭中提供了有力的支持。九智資本作爲一家深耕國內高科技產業的一流投資公司，先後投資了多家高科技企業，深耕浙江，爲杭州市臨平區、湖州長興、金華浦江等地招引了大量科創項目，爲地方政府帶來數百億產值。在與楊院士和張輝老師的接觸過程中，我們深刻的了解到氧化鎵材料在半導體領域中的重要性，我們願與鎵仁半導體一起，共同扛起中國科技發展的大旗，我們堅定相信在楊院士和張輝老師專業的團隊的帶領下，鎵仁半導體一定可以成爲一家全球領先的寬禁帶半導體材料公司。”
普華資本管理合夥人蔣純表示：“我作爲一名浙大學生，很榮幸見證母校老師創立的又一家優秀企業的冉冉升起，寬禁帶半導體作爲全球科技競爭中的重要領域，將爲實現關鍵材料的國產替代做出重要貢獻，氧化鎵作爲這一領域材料的佼佼者，具有優秀的性能和廣闊的應用前景。前段時間在與楊院士和張輝老師的交流過程中，也了解到鎵仁半導體正在參與一些專項的研發計劃，在推動新一代電子器件的創新和性能提升方面有非常重要的意義，是一種顛覆式創新和前沿技術。鎵仁在楊院士的指導下，在張輝老師的帶領下，首創了鑄造法單晶生長技術，實現了技術突破，因此我們對鎵仁非常有信心。普華資本將繼續服務於實體經濟，以推動科技創新爲己任，期待通過這次融資合作，和鎵仁一起共同助推中國半導體前沿科技的發展，助力蕭山本地科技新質生產力的發展。”
杭州銀行副行長張精科表示：“這次簽約合作的鎵仁半導體就是我們和政府、創投機構合作下接觸到的一家優秀企業。我們了解到鎵仁半導體已經完成了數千萬天使輪融資以及即將完成的近億元Pre-A輪融資，顯示出資本市場對其技術和市場前景的認可。經過深度接觸，我們了解到其核心技術（非導模法氧化鎵單晶生長新技術）突破了國際市場對氧化鎵材料的壟斷，並擁有完全自主知識產權，創始團隊擁有強大的研發背景，致力於推動氧化鎵材料的產業化，解決國家在半導體材料領域的“卡脖子”問題。我們看好鎵仁半導體的長期發展潛力，將以此次簽約爲契機給予更多金融支持和資源共享。我們將利用好現有合作基礎，不斷優化科創金融服務，提升服務效率，爲鎵仁半導體爲代表的科創企業提供高質量金融服務供給，加速促進創新鏈、產業鏈、金融鏈深度融合，積極推動新質生產力的培育和發展，打造“科創金融”助力新質生產力的“杭銀範本”。
“孤軍奮戰，其力有限，衆志成城，堅不可摧”。我們所取得的每一項成績，都離不開各級領導和政府的關懷指導，離不開廣大企業的信任支持，在此，我要向所有支持和關心杭州銀行科創金融發展的同仁表示最衷心的感謝！”
鎵仁半導體創始人張輝在致辭中深情地感謝了每一位爲公司發展付出辛勤努力的鎵仁人。他表示，是團隊的智慧、汗水和不懈努力創造了鎵仁半導體今天的輝煌成就；是團隊的團結協作、銳意進取讓鎵仁在半導體領域綻放光彩、不斷前行。他強調，Pre-A輪融資的成功不僅是對公司實力與潛力的認可，更是對公司未來發展的有力推動。這筆資金將如同及時雨般滋養公司的研發土壤，加速技術創新與產能擴張的步伐，助力公司在激烈的市場競爭中乘風破浪、穩健前行。