imec成功利用单次曝光，形成间隔为9nm与半线宽为5nm的随机逻辑结构，相当于间距为19nm，图形顶端（tip-to-tip）的间距达到20纳米以下。中心间距为30nm的随机通孔充分展示了绝佳的图形保真度与关键尺寸均匀度。此外，间距为22nm的2D特征也展现了杰出的性能，突显了利用High NA EUV技术来实现2D布线的发展潜力。近日，比利時微電子研究中心（imec）在荷蘭 Eindhoven 與ASML合作建立的高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）光刻實驗室中，利用徑 0.55NA EUV光刻機(TWINSCAN EXE:5000)，發佈了曝光後的圖形化元件結構。
imec表示，在單次曝光後，9nm和5nm（間距19nm）的隨機邏輯結構、中心間距爲30nm的隨機通孔、間距爲22nm的二維特徵，以及間距爲32nm的動態隨機存取記憶體（DRAM）專用佈局全部成功成形，採用的是由imec與其先進圖形化研究計劃夥伴所優化的材料和基線製程。通過這些研究成果，imec證實該光刻技術的生態系統已經準備就緒，能夠實現高分辨率的 High NA EUV 單次曝光。
由ASML與imec共同成立於荷蘭Eindhoven的High NA EUV光刻實驗室在近期啓用後，客戶現在可以使用High NA EUV光刻機來開發非公開的High NA EUV應用案例，這些案例也能運用客戶各自的設計規則和佈局。
imec成功利用單次曝光，形成間隔爲9nm與半線寬爲5nm的隨機邏輯結構，相當於間距爲19nm，圖形頂端（tip-to-tip）的間距達到20納米以下。中心間距爲30nm的隨機通孔充分展示了絕佳的圖形保真度與關鍵尺寸均勻度。此外，間距爲22nm的2D特徵也展現了傑出的性能，突顯了利用High NA EUV技術來實現2D佈線的發展潛力。
除了邏輯結構，imec 也成功利用單次曝光，爲動態隨機存取內存（DRAM）製出把電荷儲存節點連接墊（storage node landing pad）與周邊位線相互整合的元件圖形。這項成就彰顯了High NA EUV技術的潛能，有望通過單次曝光來取代多層光罩的曝光需求。
取得這些突破性成果後，imec攜手ASML與其夥伴緊密合作，開始緊鑼密鼓地進行準備工作，爲第一代High NA EUV微影技術來籌備圖形化生態系統與量測技術。在進行多次曝光之前，imec準備了專用的晶圓堆疊（包含先進光阻、塗布底層及光罩），並把像是光學臨近校正（OPC）、整合圖形化及蝕刻技術等high NA EUV基線製程整合到0.55NA EUV光刻機臺上。
imec 計算技術與系統/計算系統擴展高級副總裁Steven Scheer表示：「我們很高興在 ASML-imec 聯合實驗室中展示了世界上第一個支持HighNA EUV的邏輯和內存圖案化，這是對行業應用的初步驗證。結果展示了HighNA EUV 的獨特潛力，可以實現大規模 2D 特徵的單次打印成像，提高設計靈活性並降低圖案化成本和複雜性。展望未來，我們希望爲我們的圖案化生態系統合作伙伴提供寶貴的見解，支持他們進一步完善High NA EUV 特定材料和設備。」
imec 總裁兼首席執行官Luc Van den hove 表示：「結果證實了HighNA EUV 光刻技術長期以來預測的分辨率能力，一次曝光即可實現 20nm 以下間距的金屬層。因此，HighNA EUV 將對繼續實現邏輯和內存技術的尺寸縮放發揮重要作用，這是將路線圖推向『埃時代』的關鍵支柱之一。這些早期演示之所以能夠實現，要歸功於 ASML-imec 聯合實驗室的建立，這使我們的合作伙伴能夠加速將HighNA EUV光刻技術引入製造業。」
編輯：芯智訊-林子 來源：imec
