上半年，燕东微的研发投入力度进一步加大，研发费用达到11332.63万元，同比增长16.56%。这一显著的增长不仅体现在财务数字上，更转化为实实在在的研发成果。上半年，公司新增获得专利21个，其中发明专利8个，累计拥有专利数达到399个，发明专利85个，为公司的技术创新和产品升级提供了坚实保障。8月24日，燕東微(688172)發佈了其2024年半年度報告，數據顯示公司在研發投入方面持續保持強勁增長，尤其在硅光新領域取得了顯著進展，彰顯出公司在技術創新和市場拓展方面的卓越實力。在當前激烈的市場競爭環境下，燕東微始終堅持創新爲核心的發展戰略，不斷加大新品研發投入，積極推動產品更新換代。近年來，公司持續增加的研發投入開始顯現成效，2024年上半年更是實現了硅光工藝平台產品的量產，這一里程碑式的成就標誌着公司在硅光技術領域的重大突破。
研發投入持續加大，核心競爭力不斷增強
在當前激烈的市場競爭環境下，燕東微始終堅持創新爲核心的發展戰略，不斷加大新品研發投入，積極推動產品更新換代。近年來，公司持續增加的研發投入開始顯現成效，2024年上半年更是實現了硅光工藝平台產品的量產，這一里程碑式的成就標誌着公司在硅光技術領域的重大突破。硅光產品憑藉其集成度高、成本低、功耗低等優勢，已成功應用於光通信、光互連、激光雷達等多個關鍵領域。
上半年，燕東微的研發投入力度進一步加大，研發費用達到11332.63萬元，同比增長16.56%。這一顯著的增長不僅體現在財務數字上，更轉化爲實實在在的研發成果。上半年，公司新增獲得專利21個，其中發明專利8個，累計擁有專利數達到399個，發明專利85個，爲公司的技術創新和產品升級提供了堅實保障。
在研發強度的推動下，燕東微的產品應用領域不斷拓展。除了在新能源汽車、工業控制、消費電子等傳統應用領域保持長期穩定的供貨外，射頻功率器件產品也成功應用於射頻廣播、移動無線電、射頻能源以及工業、科研、醫療等多個具有戰略重要性的行業領域。隨着產品線的豐富和應用市場的拓展，燕東微的市場地位將進一步鞏固和提升。
硅光工藝全面提升，優勢地位持續鞏固
基於持續的研發投入，燕東微在硅光工藝技術上實現了重大突破。公司擁有自主研發的SiN硅光工藝技術，該技術通過化學氣相澱積(CVD)及複雜圖形的光刻與刻蝕技術，實現了無裂紋的化學計量Si3N4薄膜的澱積和低側壁粗糙度刻蝕，波導損耗達到行業先進水平。這一技術的成功應用，使得燕東微在光通信、光互連、激光雷達等產品的規模化量產上取得了顯著成效。
不僅如此，燕東微在SiN硅光工藝平台方面取得了關鍵性突破，成功開發了5款新產品並順利轉入量產階段，月產能達到1000片，且產品良率高達95%以上，實現了穩定供貨。同時，公司在8英寸相關硅光產品方面也實現了市場化銷售，8英寸SiN工藝平台已實現量產，8英寸SOI工藝平台也完成了部分關鍵器件的開發。此外，12英寸硅光關鍵工藝的開發也取得了良好市場反響，爲公司未來在硅光領域的持續發展奠定了堅實基礎。
展望未來，燕東微將繼續深耕硅光芯片領域，加大科研投入，推動技術創新與產業升級。公司將積極拓展產品應用領域，持續擴大市場規模，不斷提升產能。隨着一系列戰略舉措和技術突破的實施，燕東微的未來發展將更加穩健和可持續，助力公司在激烈的市場競爭中保持領先優勢。
