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燕东微(688172.SH):消费类沟槽型IGBT、车规级IGBT完成开发并实现批量生产

燕東微(688172.SH):消費類溝槽型IGBT、車規級IGBT完成開發並實現批量生產

格隆匯 ·  09/10 04:15

格隆匯9月10日丨燕東微(688172.SH)在投資者互動平台表示,在當前激烈的市場競爭環境下,燕東微將繼續堅持創新爲核心的發展戰略,不斷加大新品研發投入,積極開發新產品及新工藝平台,由傳統的消費類市場向新能源、工業、汽車等新領域轉移,不斷提升公司綜合競爭力。2024年上半年公司部分在研項目進展及階段性成果如下: (1)6 英寸SiC芯片研發項目:進一步優化了產品的參數性能,多款產品產出優化後的樣品, MOSFET工藝平台完成部分關鍵工藝優化; (2)IGBT技術升級項目:消費類溝槽型IGBT、車規級IGBT完成開發並實現批量生產; (3)溝槽分離柵MOSFET(SGT)工藝平台開發項目:100V SGT 已實現量產,目前正在結合快充應用場景對現有技術平台進行迭代升級和拓展; (4)熱成像工藝平台開發項目:完成熱成像工藝平台首款產品終端驗證,實現了消費類熱成像應用; (5)12 英寸硅光 SOI工藝平台開發項目:完成版圖設計,開展工藝驗證,已完成核心工藝技術複雜圖形光刻工藝、低側壁粗糙度刻蝕工藝驗證; (6)磁耦合數字隔離器開發項目:完成電感隔離結構電路設計、版圖設計,完成 MPW流片,電路功能正常; (7)硅高頻功率MOS 場效應晶體管的系列化研發項目:2 款硅高頻LDMOS產品小批量試生產;5款硅高頻LDMOS產品評測合格,通過客戶驗證;2 款LDMOS新產品導入中; (8)54AC 項目:新增完成1款54AC系列產品的鑑定檢驗。累計完成15款54AC系列產品鑑定檢驗; (9)高壓大功率驅動電路工藝平台研發項目:完成一款芯片功能驗證,發佈 PDK0.1; (10)12 英寸0.18um 40V/100V 工業驅動芯片工藝研發項目:確定了兩個平台的器件清單及器件結構,完成兩個平台初版flow制定; (11)多電壓檔超高壓BCD 工藝平台研發項目:完成不同電壓檔(5V~600V)器件結構設計、tapeout準備工作、flow流程搭建,核心工藝開發; (12)模擬開關係列研發項目:完成6款模擬開關產品鑑定檢驗,14款完成流片,評測中,9款流片中。 2024年上半年實現了硅光工藝平台產品的量產,這一里程碑式的成就標誌着公司在硅光技術領域的重大突破。硅光產品憑藉其集成度高、成本低、功耗低等優勢,已成功應用於光通信、光互連、激光雷達等多個關鍵領域。未來,燕東微將繼續深耕硅光芯片領域,加大科研投入,推動技術創新與產業升級,積極回報投資者。

声明:本內容僅用作提供資訊及教育之目的,不構成對任何特定投資或投資策略的推薦或認可。 更多信息
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