公司表示，项目于2023年开工，预计2025年建成并全面投产。本次项目封顶标志着长光华芯在多种化合物半导体光电芯片、器件等方面的产能、研发水平、横向扩展和纵向延伸能力都将迈上新台阶，横向覆盖从可见光、近红外、中波、长波多波段激光芯片和硅光集成芯片，纵向延伸从激光显示、工业激光、光通讯、激光传感到生命科学与健康等主流应用和未来产业。據長光華芯(688048)9月23日最新消息，2024年9月20日，公司先進化合物半導體光電子平台項目正式封頂，長光華芯董事長總經理閔大勇及公司高管、中設建設集團負責人等出席封頂儀式。
據悉，長光華芯先進化合物半導體光電子平台建設項目總佔地面積約31畝，含生產中心、研發中心、動力站及配套設施，旨在建設國內一流的半導體激光芯片研發及生產平台，對標國際頂尖水準，打造基於多種化合物半導體的光電與電子器件的材料、工藝以及封裝技術開發的先進器件研發和產業化平台。
該項目是繼2022年8月8日長光華芯搬遷新基地後的又一重大工程，是公司實施「一平台，一支點，橫向擴展，縱向延伸」發展戰略的里程碑工程，該項目已被列入江蘇省重點工程。
公司表示，項目於2023年開工，預計2025年建成並全面投產。本次項目封頂標誌着長光華芯在多種化合物半導體光電芯片、器件等方面的產能、研發水平、橫向擴展和縱向延伸能力都將邁上新臺階，橫向覆蓋從可見光、近紅外、中波、長波多波段激光芯片和硅光集成芯片，縱向延伸從激光顯示、工業激光、光通訊、激光傳感到生命科學與健康等主流應用和未來產業。
長光華芯指出，公司在目前國際領先的6英寸化合物生產線基礎上，推動研發硬件條件以及研發生產水平全面達到國際先進，全力構建政府、資本、產業、區域、研究所及企業、上下游創新協同、供應鏈互通的新一代中國激光國產化產業生態鏈，推動我國激光產業科技創新。