在技术实力方面，英诺赛科在全球氮化镓行业中亦处于领先地位。公司的技术突破主要体现在8英寸硅基氮化镓晶圆的量产上，这不仅突破了现有6英寸技术的局限，还实现了与现有8英寸硅制造设备的兼容性，并通过大量定制化改进提升了制造工艺。此外，8英寸晶圆相比6英寸晶圆在晶粒产出数上提升了80%，单一器件成本降低了30%。「全球氮化鎵市場正在經歷由新興行業需求推動的快速增長期，特別是在新能源汽車和人工智能等應用領域，對電源產品的能效提出了更高的標準。」業內人士指出，功率半導體芯片作爲電源產品的核心，氮化鎵憑藉其高頻、高電子遷移率、強抗輻射能力、低導通電阻和無反向恢復損耗等優勢，在性能和工藝創新方面展現出巨大的發展潛力，更好地滿足了當前全球功率半導體器件的革命性需求。
作爲全球氮化鎵半導體行業的領軍企業，英諾賽科自成立伊始便堅持採用集成器件製造商（IDM）商業模式。儘管IDM模式初期需要較大的資本支出和研發投入，但其整合了芯片設計、製造、測試和終端應用的全運營過程，尤其是芯片設計與製造工藝的深度協同，顯著提升了整體運營效率。
與Fabless模式相比，IDM模式賦予了英諾賽科在製造能力和工藝迭代上的自主性，同時避免了Foundry模式中對下游客戶高效定製化解決方案能力的侷限。沙利文的預測指出，IDM商業模式將成爲未來氮化鎵行業的主流選擇。
在技術實力方面，英諾賽科在全球氮化鎵行業中亦處於領先地位。公司的技術突破主要體現在8英寸硅基氮化鎵晶圓的量產上，這不僅突破了現有6英寸技術的侷限，還實現了與現有8英寸硅製造設備的兼容性，並通過大量定製化改進提升了製造工藝。此外，8英寸晶圓相比6英寸晶圓在晶粒產出數上提升了80%，單一器件成本降低了30%。
此外，公司的產品覆蓋全面，從分立器件到集成電路、晶圓及模組，並廣泛應用於消費電子、可再生能源、工業、汽車電子和數據中心等多個關鍵領域。同時，公司採用氮化鎵技術，不僅顯著提升了產品的性能和效率，而且通過縮小設備尺寸，爲用戶提供了更優質、更便捷的使用體驗。在汽車電子領域，英諾賽科的產品通過IATF 16949車規級認證，支持48V電源系統和LiDAR系統，爲自動駕駛技術的安全性和效能提供了堅實的技術支撐。
值得注意的是，英諾賽科近年來積極推進全球化戰略佈局，在蘇州、珠海建立了先進的生產基地，並在硅谷、首爾、比利時等全球創新高地設立子公司，積極拓展國際市場。2023年，英諾賽科的境外銷售額達到近5800萬元人民幣，佔總收入的10%，彰顯了其在國際市場的強大競爭力和影響力。
截至2023年12月31日，英諾賽科的氮化鎵分立器件累計出貨量超過5億顆，確立了其在全球氮化鎵出貨量中的領導地位。而在財務表現上，從2021年到2023年，公司營收實現了從6821.5萬元到5.9億元的跨越，顯示了市場對其產品和服務的高度認可。
業內人士表示，當前英諾賽科正衝刺港股上市，這將爲公司注入新的資本動力，加速技術研發和市場擴張的步伐。上市不僅將提升公司的全球競爭力，還將引領新一輪的能源技術革新浪潮，推動氮化鎵功率半導體行業邁向更廣闊的發展空間。隨着上市進程的不斷推進，氮化鎵功率半導體行業將迎來前所未有的發展機遇。這不僅是全球功率半導體產業的一次重要里程碑，也預示着氮化鎵技術將在未來能源解決方案中發揮更加關鍵的作用，爲全球綠色能源轉型貢獻重要力量。