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台积电、三星、IBM将于12月在IEDM国际会议上展示最新CFET技术成果

台積電、三星、IBM將於12月在IEDM國際會議上展示最新CFET技術成果

格隆匯 ·  10/17 10:46

格隆匯10月17日|第70屆IEE 國際電子設備年會(IEDM)將於2024年12月7日至11日在舊金山舉行。屆時,諸如台積電、IMEC、IBM和三星等各大半導體公司的研究人員將匯聚一堂,分享關於垂直堆疊互補場效應晶體管(CFET)技術的最新研究成果。儘管GAA FET(全柵極環繞晶體管)技術還未獲得業界大規模採用,但下一代 CFET 技術已被提上日程,這項技術被視爲下一代半導體技術的重要發展方向,有望在未來實現進一步的工藝尺寸微縮。CFET的概念最早由IMEC研究所於2018年提出,即在同一區域內垂直堆疊n型和p型晶體管。根據 IMEC 的路線圖,CFET有望在A5工藝節點(預計約2032年)實現廣泛量產。

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