格隆汇10月28日丨龙图光罩(688721.SH)接受特定对象调研时表示，珠海募投项目预计在今年年底实现第三代半导体掩模版的小规模试产，预计于2025年实现稳定量产，目前已启动28nm制程节点的规划。
往更高的制程节点突破，主要难度：(1)随着半导体工艺的不断提升，掩模版的要求也越来越苛刻，因此半导体掩模版对最小线宽、位置精度、CD精度、缺陷管控等均提出了更高的要求，工艺难度大，技术壁垒高。(2)在掩模版线缝水平的不断提升的要求下，下游晶圆在使用光刻机曝光时光学效应影响越发显著，会出现实际光刻图案与芯片设计图案失真变形的现象，严重影响芯片的性能与良率。(3)若是达到了先进制程，如28nm及以下，需要国内产业链上下游的协同，目前国外的贸易限制和技术封锁，先进制程的生产设备在一定程度上受到限
格隆匯10月28日丨龍圖光罩(688721.SH)接受特定對象調研時表示，珠海募投項目預計在今年年底實現第三代半導體掩模版的小規模試產，預計於2025年實現穩定量產，目前已啓動28nm製程節點的規劃。
往更高的製程節點突破，主要難度：(1)隨着半導體工藝的不斷提升，掩模版的要求也越來越苛刻，因此半導體掩模版對最小線寬、位置精度、CD精度、缺陷管控等均提出了更高的要求，工藝難度大，技術壁壘高。(2)在掩模版線縫水平的不斷提升的要求下，下游晶圓在使用光刻機曝光時光學效應影響越發顯著，會出現實際光刻圖案與芯片設計圖案失真變形的現象，嚴重影響芯片的性能與良率。(3)若是達到了先進製程，如28nm及以下，需要國內產業鏈上下游的協同，目前國外的貿易限制和技術封鎖，先進製程的生產設備在一定程度上受到限
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