SK海力士于11月宣布1月22日，该公司已开始量产321层1Tb（太比特）三层单元（TLC）NAND闪存。该产品将每个可存储三位的单元堆叠成 321 层，总容量达到 1Tb。如果您希望可以時常見面，歡迎標星 收藏哦~
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最近，SK海力士推出首款300層NAND閃存產品，威脅三星電子在存儲半導體行業的領先地位。三星電子在高帶寬內存（HBM）技術和最近的 DRAM 技術方面被評價爲被超越，但在 NAND 堆疊競爭中也失去了領先地位，將其競爭劣勢蔓延到各種內存產品中。
SK海力士於11月宣佈1月22日，該公司已開始量產321層1Tb（太比特）三層單元（TLC）NAND閃存。該產品將每個可存儲三位的單元堆疊成 321 層，總容量達到 1Tb。
到目前爲止，業界最高層數的產品在200層範圍內。SK海力士是第一個成功量產300層產品的公司。新產品的數據傳輸速度比上一代產品快12%，讀取性能提高13%。數據讀取功耗效率也提升了10%以上。SK海力士相關人士解釋稱，「通過321層NAND，我們計劃積極應對新的低功耗、高性能AI市場，並逐步擴大其應用範圍。」
SK海力士在300層產品上取得領先的消息，引起了三星電子內部的危機感。最初將垂直堆疊單元技術商業化而不是水平堆疊以擴大 NAND 產品產能的先驅不是別人，正是三星電子。三星電子於 2013 年通過垂直堆疊單元推出了業界首款「V（垂直）NAND」。自此，NAND行業技術競爭的標準就變成了能堆疊多少層。三星電子相關人士表示，「在上一代產品中，三星電子通過改變量產準備評估的標準或條件，在最初的開發階段取得了領先，但現在SK海力士的技術已經顯着進步，這使得它變得困難。」
與 DRAM 相比，NAND 一直處於 AI 熱潮之外，但最近氣氛發生了變化。數據中心對支持人工智能計算的快速高性能固態硬盤（SSD）的需求激增，尤其是企業級SSD（eSSD），與HBM的需求類似。SK 海力士是從 AI 驅動的 NAND 熱潮中受益最多的公司之一。今年第三季度，SK海力士的eSSD銷量同比猛增430%，佔SSD總銷量的60%。
SK海力士正在加速擴大以eSSD爲中心的NAND競爭力。最近，領導該集團人工智能戰略的SK集團董事長Chey Tae-won出任SK海力士子公司Solidigm董事長。Solidigm是業內唯一一家擁有量產四級單元（QLC）NAND技術的公司，在eSSD供應方面處於領先地位。QLC 每個單元最多可存儲 4 位，容量高效，非常適合大容量 AI 數據中心使用的 eSSD。一位業內人士表示，「人工智能數據中心比PC和手機需要更高容量和更快的存儲設備」，「與傳統HDD相比，eSSD具有性能優勢，但價格一直是障礙。基於QLC的產品具有更高的容量和成本」與其他技術相比的效率，使其受到人工智能數據中心的追捧。”
對於三星電子來說，NAND是必須保護的最後一道防線。它一直是內存行業的老大，但由於AI驅動的格局變化，它在HBM和DRAM領域連續面臨SK海力士的危機。在HBM市場，SK海力士是Nvidia的主要供應商，而在下一代DRAM（D1c）的量產競爭中，根據業界共識，SK海力士略微領先。
一位業內人士表示，「如果三星電子讓SK海力士在NAND閃存領域繼DRAM和HBM之後迎頭趕上，這將是三重打擊，對行業的象徵意義將是重大的」，「儘管三星電子的銷售份額目前勢不可擋，但基於 SK 海力士在不斷增長的 eSSD 市場中的強勁表現，差距可以迅速縮小。」
NAND，巨頭謹慎
最近，有人擔心通用 NAND 市場的表現將比最初預期的更差。這是因爲移動和PC產品的需求低迷，供應商之間的競爭加劇。據此，三星電子和SK海力士明年也將減少設備投資。
24日業內人士表示，由於NAND閃存市場的不確定性，韓國本土主要存儲器廠商對明年的設備投資採取保守態度。
由於PC等消費IT行業需求低迷，NAND市場面臨價格下行壓力。根據市場研究公司 DRAM Exchange 的數據，上個月用於存儲卡和 USB 的通用 NAND 產品（128Gb 16Gx8 MLC）的平均固定交易價格爲 3.07 美元，環比下降 29.18%。
此外，由於後來者積極擴張市場，對通用NAND供應過剩的擔憂正在加劇。
Kiwoom Securities研究員Park Yoo-ak表示，「在第四季度的NAND市場中，eSSD（企業級SSD）價格預計將保持穩定，但移動設備的價格預計將下降15%，消費級SSD與上一季度相比，增長了 10%，個別 NAND 產品增長了 11%。」「這是由於與 Kiosia 和其他公司的競爭加劇，」他解釋道。
在最近的一份報告中，花旗銀行將明年的 NAND ASP（平均銷售價格）從增幅 12% 下調至增幅 5%。主要原因是移動和PC市場的NAND需求弱於預期。
因此，三星電子和SK海力士等國內主要存儲設備公司對明年的NAND相關設施投資採取保守立場。
三星電子最近將其平澤第四園區（P4）的第一條生產線「P4F（閃存）」更改爲「P4H（混合）」。該戰略是將該生產線作爲同時批量生產 NAND 和 DRAM 的生產線來運營，而不是專門用於 NAND 的生產線。
受此影響，NAND產能擴張計劃也被縮減。最初，三星電子計劃在第一條 P4 生產線上確保每月約 45,000 片的 NAND 最大產能，但據悉，在改變生產線用途後，該產能減少至每月約 35,000 片。
一位業內人士解釋說，「三星電子正在專注於尖端DRAM轉換的投資，而被動投資於NAND」，並補充說，「根據行業情況，三星電子有可能進一步放緩投資。」
SK海力士還在公佈第三季度業績的電話會議上表示，「我們計劃保持保守的NAND投資立場，直到行業庫存恢復正常且全面需求改善」，並補充道，「我們只會投資產品的工藝轉換」保證盈利能力。”「我們會執行它，」他說。
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