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三星电子在3D NAND闪存生产中实现技术突破,光刻胶用量减半

三星電子在3D NAND閃存生產中實現技術突破,光刻膠用量減半

環球網 ·  2024/11/26 15:14

【環球網科技綜合報道】11月26日消息,三星電子在3D NAND閃存生產領域取得了重大技術突破,成功將光刻膠(PR)的使用量減半,這一創新預計將顯著提升生產效率並大幅降低成本。

據韓媒The Elec報道,三星電子通過精確控制塗布機的轉速(rpm)和優化PR塗層後的蝕刻工藝,將每層塗層所需的光刻膠用量從7-8cc降低至4-4.5cc。此外,三星採用了更厚的氟化氪(KrF)光刻膠,使得一次性形成多個層成爲可能,進一步提高了工藝效率。

然而,更厚的光刻膠也帶來了生產中的挑戰。由於光刻膠的高粘度特性,可能會導致塗層均勻性問題。爲了解決這一問題,三星電子與長期合作伙伴東進半導體化學公司自2013年起就密切合作,共同研發高性能光刻膠。東進半導體化學公司一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商,爲三星第7代(11微米)和第8代(14微米)3D NAND提供了關鍵材料。

消息稱,從第9代3D NAND開始,三星將全面應用這項新技術。這一創新舉措預計將爲三星節省每年數十億韓元的成本。但這也意味着東進半導體化學公司將面臨來自三星的訂單減少。東進半導體化學公司目前每年從光刻膠業務中獲得約2500億韓元收入,其中60%來自三星。(魚七)

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