3月17日，中國芯片巨頭——中芯國際對外發布公告，目前中芯國際FinFET第一代技術已經成功量產，FinFET第二代技術則處在風險量產階段。
官方之前曾公佈，中芯國際的FinFET第一代技術實質是14nm工藝改進的12nm工藝，而FinFET第二代技術則包括N+1和N+2，分別對標台積電7nm和5nm。
結合實際情況來看，目前中芯國際正在進行風險量產的應該就是7nm工藝，畢竟中芯國際並沒有買到可以用於生產5nm芯片的EUV光刻機。
而在不久前，中芯國際才與荷蘭ASML公司敲定一筆價值77億的訂單，其中就包括DUV光刻機。相比EUV光刻機，DUV光刻機雖然精度不夠高，但其實也能在特定條件下製造7nm芯片。
不過，從官方公佈的參數來看，中芯國際的7nm工藝相比台積電的7nm工藝其實還是存在一些差距。
台積電的7nm技術相比上一代製程工藝，性能提升35%，而中芯國際的7nm技術只提升20%。當然，中芯國際的7nm技術也有優點，那就是功耗大幅降低，這是非常難得的一件事，也是FinFET工藝最大的優勢。事實上，7nm應該就是FinFET工藝的應用極限。
5nm芯片之所以頻繁出現功耗翻車問題，很大原因就是FinFET工藝無法繼續平衡芯片性能和功耗，導致芯片漏電問題變得嚴重。
從這一角度來看，或許很多廠商會為了芯片均衡，在新一代工藝出現前，放緩向先進工藝邁進的腳步。中芯國際7nm技術，也將憑藉節電特點，獲得更多用户青睞。
在筆者看來，中芯國際官宣最新工藝研發進展，其實也是為國內半導體產業打了一針強心劑。
眾所周知，過去兩三年時間，中國科技企業相繼遭到芯片制裁。芯片技術、芯片產業鏈的重要性開始體現，國家不斷加大對芯片企業的扶持力度。
但可惜的是，由於中國芯片產業整體實力落後國際水準太多，且尖端技術都存在極高的技術壁壘，短時間內難以突破。因此，國產芯片雖然在部分中低端市場實現了替代，但高端芯片嚴重依賴進口的情況卻並沒有明顯改善。
而中芯國際突破7nm工藝，成為全球範圍內第三家掌握這項技術的芯片代工企業，則是向廠商證明了技術自研的可行性。
按照計劃，明年中芯國際就將可以量產7nm芯片，國產芯片自給率有望大幅提升。
文/JING 審核/子揚 校正/知秋