新浪科技讯 12月12日午间消息，近日，英特尔代工宣布芯片内互联技术取得重大突破，通过公司最新的减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium）最高可将线间电容降低25%，有效改善了芯片内互连。
据介绍，减成法钌互连技术通过采用钌这一新型、关键、替代性的金属化材料，利用薄膜电阻率（thin film resistivity）和空气间隙（airgap），实现了在互连微缩方面的重大进步。该工艺无需通孔周围昂贵的光刻空气间隙区域（lithographic airgap exclusion zone），也可以避免使用选择性蚀刻的自对准通孔（self-aligned via）。在间距小于或等于 25 纳米时，采用减成法钌互连技术实现的空气间隙使线间电容最高降低 25%，可作为一种金属化方案在紧密间距层中替代铜镶嵌工艺。
据悉，这一解决方案有望在英特尔代工的未来制程节点中得以应用。
此外，英特尔代工还披露了一种用于先进封装的异构集成解决方案，能够将吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装（chip-to-chip assembly）。（文猛）
新浪科技訊 12月12日午間消息，近日，英特爾代工宣佈芯片內互聯技術取得重大突破，通過公司最新的減成法釕互連技術（subtractive Ruthenium）最高可將線間電容降低25%，有效改善了芯片內互連。
據介紹，減成法釕互連技術通過採用釕這一新型、關鍵、替代性的金屬化材料，利用薄膜電阻率（thin film resistivity）和空氣間隙（airgap），實現了在互連微縮方面的重大進步。該工藝無需通孔周圍昂貴的光刻空氣間隙區域（lithographic airgap exclusion zone），也可以避免使用選擇性蝕刻的自對準通孔（self-aligned via）。在間距小於或等於 25 納米時，採用減成法釕互連技術實現的空氣間隙使線間電容最高降低 25%，可作爲一種金屬化方案在緊密間距層中替代銅鑲嵌工藝。
據悉，這一解決方案有望在英特爾代工的未來製程節點中得以應用。
此外，英特爾代工還披露了一種用於先進封裝的異構集成解決方案，能夠將吞吐量提升高達100倍，實現超快速的芯片間封裝（chip-to-chip assembly）。（文猛）
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