根据弗若斯特沙利文的数据，以折算氮化镓分立器件收益计，截至2023年末，公司市场份额高达33.7%，在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一;截至2024年6月30日，公司氮化镓分立器件累计出货量超过8.5亿颗。这一切成就的背后，是英诺赛科作为行业龙头对氮化镓技术的深耕细作和对品质的不懈追求。12月18日，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(下稱「英諾賽科」或「公司」，02577.HK)正式啓動公開招股，擬全球發售4536.4萬股H股，香港發售佔約10%，國際發售佔約90%，另有約15%超額配股權。發售價最高將爲每股發售股份33.66港元，每手100股，預期H股將於12月30日上市。
氮化鎵作爲第三代半導體代表性材料，憑藉高頻、耐高壓、抗輻射、高電子遷移率等優勢，在電動汽車及數據中心、光伏發電站及電網等下游市場展現廣闊的應用潛力。根據弗若斯特沙利文的資料，2023年，氮化鎵功率半導體產業開啓了指數級增長的元年，預計市場將迅速增長。到2028年，全球氮化鎵功率半導體市場規模將達到人民幣501億元，在全球功率半導體市場的市佔率提升至10.1%，並佔全球功率半導體分立器件市場的24.9%，爲行業參與者帶來前所未有的機遇。
英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，專注於硅基氮化鎵外延與器件的研發與製造，是全球功率半導體行業革命領導者，也是全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的IDM企業。2021年—2023年，公司收入複合年增長率高達194.8%。
根據弗若斯特沙利文的數據，以折算氮化鎵分立器件收益計，截至2023年末，公司市場份額高達33.7%，在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一;截至2024年6月30日，公司氮化鎵分立器件累計出貨量超過8.5億顆。這一切成就的背後，是英諾賽科作爲行業龍頭對氮化鎵技術的深耕細作和對品質的不懈追求。
此次赴港上市，有望助英諾賽科提升國際知名度與影響力，並在資本市場的支持下深化全球拓展、強化技術迭代，繼續引領氮化鎵領域穩步前行，爲第三代半導體時代的發展注入更強動力。
