证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“薄膜沉积装置”，专利申请号为CN202421040491.8，授权日为2024年12月24日。
专利摘要：一种薄膜沉积装置，涉及半导体工艺设备技术领域。该薄膜沉积装置包括晶圆平台和加热平台，晶圆平台靠近加热平台的一面设有容置槽，加热平台可拆卸连接于容置槽内，且加热平台与晶圆平台相向设置的一面呈面接触，加热平台用于对晶圆平台加热。该薄膜沉积装置能够在加热装置发生损坏时便于维修，能够降低薄膜沉积装置的维修成本。
今年以来甬矽电子新获得专利授权50个，较去年同期减少了1.96%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了9398.43万元，同比增52.57%。
数据来源：天眼查APP
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證券之星消息，根據天眼查APP數據顯示甬矽電子（688362）新獲得一項實用新型專利授權，專利名爲「薄膜沉積裝置」，專利申請號爲CN202421040491.8，授權日爲2024年12月24日。
專利摘要：一種薄膜沉積裝置，涉及半導體工藝設備技術領域。該薄膜沉積裝置包括晶圓平台和加熱平台，晶圓平台靠近加熱平台的一面設有容置槽，加熱平台可拆卸連接於容置槽內，且加熱平台與晶圓平台相向設置的一面呈面接觸，加熱平台用於對晶圓平台加熱。該薄膜沉積裝置能夠在加熱裝置發生損壞時便於維修，能夠降低薄膜沉積裝置的維修成本。
今年以來甬矽電子新獲得專利授權50個，較去年同期減少了1.96%。結合公司2024年中報財務數據，今年上半年公司在研發方面投入了9398.43萬元，同比增52.57%。
數據來源：天眼查APP
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