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利潤暴跌40%後：三星芯片業務新負責人走馬上任
快科技11月28日消息，日前，三星電子日前宣佈了一系列管理層調動，重點是芯片業務部門。
三星電子將於2024年12月27日除權除息，1股派股息0.3228USD
美東時間11月27日消息，$三星電子(SSNLF.US)$將於2024年12月27日除淨，1股派股息0.3228USD。相關派息股權登記日爲2024年12月31日，除淨日爲2024年12月27日，派息日爲2025年4月21日。什麼是派息？ 派息是指上市公司向股東派送利息，即現金。在除淨日前一天結算後，如果客戶持有上市公司的股票，則都會參與派息。除淨日當天，上市公司的股票價格會下跌，這部分虧損的金額
突發！三星高層大調整！
IDC：蘋果iOS在2025年將趕超安卓，2024年智能手機增長溫和。
三星電子對存儲和代工部門進行領導層變動
三星電子官宣芯片部門高管人事調動 力求扭轉不利局面
財聯社11月27日訊（編輯 周子意）三星電子週三（11月27日）宣佈了一系列管理層調動，主要涉及芯片業務部門。根據最新任命，負責半導體及設備解決方案（DS）部門的負責人、公司副董事長全永鉉（Jun Young-hyun）被委以更大職責。他將擔任三星聯合首席執行官，同時負責DS和存儲芯片業務。負責三星電子美國半導體業務的執行副總裁Han Jin-man被提拔爲總裁，並就任代工業務部負責人；芯片工廠工
三星重組領導層！芯片負責人直管存儲
半導體，突傳大消息
半導體行業傳出多則大消息！日前，有消息稱，三星電子在生產3D NAND閃存方面取得重大突破，成功減少了3D NAND光刻過程中的光刻膠（PR）用量，降幅達到50%，預計三星電子每年將可從中節省數百億韓元。此外，韓國財政部今日表示，計劃明年推出14萬億韓元（約合100億美元）的低息貸款，以支持其芯片產業。韓國還尋求加大芯片公司的稅收減免力度，並計劃到2030年投資4萬億韓元，創建人工智能（AI）計算
三星電子官宣重大結構調整：全永賢出任聯席CEO，直轄存儲器事業部
芯片大廠通知高管提前退休！
華爲推出Mate 70旗艦手機，同時美國芯片管制的擔憂仍在縈繞
三星電子在3D NAND閃存生產中實現技術突破，光刻膠用量減半
【環球網科技綜合報道】11月26日消息，三星電子在3D NAND閃存生產領域取得了重大技術突破，成功將光刻膠（PR）的使用量減半，這一創新預計將顯著提升生產效率並大幅降低成本。據韓媒The Elec報道，三星電子通過精確控制塗布機的轉速（rpm）和優化PR塗層後的蝕刻工藝，將每層塗層所需的光刻膠用量從7-8cc降低至4-4.5cc。此外，三星採用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，使得一次性形成多個層
Netlist在第二次專利侵權訴訟中贏得了11800萬美元訴訟，對抗三星
蘋果10000萬美元的投資提議以解除對iPhone 16的禁令，受到印度尼西亞政府的指責，認爲這一行爲不公平 - 報道
蘋果（納斯達克：AAPL）提議向印尼投資10000萬美元未符合"公平"原則，一名政府官員表示，該亞洲國家在解除對在該國銷售iPhone 16型號的禁令前正在尋求進一步談判，彭博社報道。
三星的NAND，也被SK海力士超越了
如果您希望可以時常見面，歡迎標星 收藏哦~來源：內容編譯自businesskorea，謝謝。最近，SK海力士推出首款300層NAND閃存產品，威脅三星電子在存儲半導體行業的領先地位。三星電子在高帶寬內存（HBM）技術和最近的 DRAM 技術方面被評價爲被超越，但在 NAND 堆疊競爭中也失去了領先地位，將其競爭劣勢蔓延到各種內存產品中。SK海力士於11月宣佈1月22日，該公司已開始量產321層1
消息稱英偉達正儘快認證三星的AI內存芯片
英偉達加速認證三星HBM內存芯片：掀起GPU技術革命浪潮
快科技11月24日綜合報道，英偉達CEO黃仁勳近日在接受媒體採訪時透露，公司正在加速對三星電子的人工智能內存芯片——HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內存）進行認證。這一消息引發了業界廣泛關注。
聯儲局官員鮑曼表示，監管機構不應急於限制人工智能
聯儲局理事米歇爾·鮑曼承認了人工智能帶來的風險，但警告監管者也應當小心，不要限制有用技術的發展。
內存芯片製造商Kioxia計劃於12月在日本上市，估值爲49億 - 報告
快訊 | 'OpenAI考慮通過瀏覽器挑戰谷歌' - 信息科技
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