「high-NA」EUVはASMLの現在のEUVバージョンとどう違うのでしょうか？

高NA極端紫外線又は高NA EUVリソグラフィーとASMLの標準EUVリソグラフィーの主な違いは、より大きな数値絞りの使用です。高NA EUV技術は0.55 NAのレンズを使用しており、8 nmの解像度を実現でき、一方、標準EUV技術は0.33 NAのレンズを使用しています。結果として、この新しいNA技術はウエハ上のより小さなフィーチャーサイズの印刷が可能です。これは、2nm以下ノードのチップ製造技術にとって重要です。この新しいNA技術により、ウエハ上のより小さなフィーチャーサイズの印刷が可能になります。これは、2nm以下ノードのチップ製造技術にとって重要です。

インテルとの協力に加え、ASMLはより広範囲なパートナーとともに、高NA EUVリソグラフィーの普及に取り組んでいます。ニューヨーク州政府は最近、IBMやMicron Technologyなどの業界関係者と協力して、Albany Nanotechnology Complexに10億ドルの投資を発表し、新しいHigh NA EUVセンターを設置することになりました。

また、センターのメンバーである日本の半導体装置大手である東京エレクトロン、米国の半導体装置リーダーのApplied Materials、および日本のRapidus Chip Companyなどの国際パートナーも、新しいASML EUVリソグラフィーマシンを利用して研究することができます。

もしRapidusが成功した場合、現在の40ナノメートルノードで停滞していた日本のチップ製造能力にとって世代を超えた飛躍を意味することになります。日本の菊田総理大臣は、共同事業を軌道に乗せるために「最大限の支援」を約束しました。 $インテル (INTC.US)$ $ASMLホールディング (ASML.US)$ $アイビーエム (IBM.US)$ $台湾セミコンダクター・マニュファクチャリング (TSM.US)$