東京エレクトロン、半導体エッチング新技術で米ラムリサーチのシェア奪う？アナリストらの予想は

半導体製造装置で国内首位の $東京エレクトロン (8035.JP)$が、新開発の技術を武器として同業の米 $ラム・リサーチ (LRCX.US)$のシェア奪取を狙っている。この新技術による増収効果は数千円規模となる可能性があるとされ、将来的に東エレクがラムリサーチの牙城を崩すとの見方が市場で強まっているようだ。

東エレクは成膜装置やエッチング（ウエハーの加工）装置など半導体製造の前工程で使われる装置を幅広く手掛けているのに対し、ラムリサーチはトップシェアを持つエッチング装置を主戦場としている。東エレクは今年6月、3次元NAND型フラッシュメモリーの製造向けのエッチング技術を新開発したと発表。400層以上積み上げられた積層構造に従来の2.5倍の速さで穴を開けることができるようになったといい、効率的な生産を求める顧客からの注目を集めている。

三菱UFJモルガン・スタンレー証券のアナリストによると、22年のエッチング装置全体の市場は200億ドル（約３兆円）強で首位のラムリサーチが約50%、2位の東エレクが約25%を占めているといい、「数年後にエッチング装置全体のシェアで、東エレクがラムリサーチを逆転することもあり得る」と話している。（13日付日本経済新聞）

みずほ証券は8月28日のアナリストリポートで、「エッチャー（エッチング装置）のシェア上昇ストーリーは非常に楽しみ。NAND向けでラムリサーチが100％シェアであるが、当社（東エレク）が優位になると考える」とした。シェア上昇の業績寄与は26年3月期からと予想。目標株価は同日2万3000円から2万6000円に引き上げた。

JPモルガンも9月27日付リポートで、「積層化が進む３DNANDにおけるエッチング領域でのシェア拡大など成長ポテンシャルに注目する」と評価。受注は24～25年以降になると予想。目標株価は2万円から2万4000円に引き上げた。

NAND型フラッシュメモリーについては市況低迷の長期化が懸念されていたが、ブルームバーグは13日、「ここ数週間でようやく底打ち反転の兆候が見え始めている」として底打ち感を指摘している。