こんにちは、mooerたち！
時が経つのは早いですね！
2023年の終わりに近づくにつれ、高いインフレ率と頻繁な変化に注目する価値があります 連邦準備制度理事会の金利 一年を通して一定でした。国際市場のボラティリティは、次のような大きな変動をもたらしました 商品価格。 人工知能（AI） 私たちの日常生活にますます溶け込んでいます。
2023年の投資計画と成果は？どの投資セス...

日常生活で絵文字を使いますか？ すべてを絵文字で表現でき、絵文字をいくつでも作ることができ、無数の複雑なパズルを形成できます。
順列と組み合わせの各文字列を解読するだけで、隠された情報を得ることができます！
絵文字で株を推測するのは楽しくて簡単なクイズです！ 絵文字の組み合わせから、それが表すシンガポールの株やSREITを推測する必要があります！
たとえば、📞📱📶📡🌍 は表す場合があります $Singtel(Z74.SG)$、...

4つの米国主要指数の日次チャート $S&P500(2409)(ESmain.US)$ , $NYダウ(2409)(YMmain.US)$それと $ラッセル2000指数(2409)(RTYmain.US)$ . $NASDAQ-100(2409)(NQmain.US)$価格構造コンテキスト
取引旅程で経験し、ろうそくのパターンが時にしか機能しないことに気付いた場合は、パターンの上にコンテキストと出来高に注意を払う必要があります。以下は、米国ダウの日次チャートの詳細です。
その他
チャートを分析するときに最も重要なことは、文脈を注意深く調べることです。キャンドルスティックパターンの本によると、シューティングスターやベアリッシュ・エンガルフィングはベアリッシュですが、これは間違いです！
取引の旅で経験があり、キャンドルスティックパターンが一部しか機能しないことがわかった場合、文脈と出来高に注意を払う時が来ています。
以下は、 $S&P 500 Index(.SPX.US)$S＆P 500デイリーチャートです。
10月13日以来、S&P 500は過熱気味だったアップチャンネルの買い上げに押し上げられ、その後、取引範囲を形成しました。11月22日（先週月曜日）に、スイング高値で形成されたレジスタンスレベルを超えられず、買い手が増えたにもかかわらず、アップスラストが発生しました。
次の2日間、S&P 500は下落を続けませんでした（需要の欠如を伴ってデマンドテールを形成した）、多くの株式がリーダーシップをとっていました。その他、イーサリアムクラシックなどが、プライベートなテレグラム投稿で言及されたように、11月22日にキャラクターの変化を起こして急落しました。 $エアテスト(AEHR.US)$ , $アサナ A(ASAN.US)$ , $ビル ホールディングス(BILL.US)$ , $データドッグ A(DDOG.US)$ , $クラウドフレア A(NET.US)$ , $アトラシアン(TEAM.US)$ , $Z スケーラー(ZS.US)$等は防御的な態勢を取る時期です.
P&Fチャートにおける分布価格ターゲット
先週金曜日の弱気バーは、供給が増加しながら、4620周辺のスイングローのサポートラインを下回りました。この分布特性が認められる小さな取引範囲は、より大きな下降価格目標のための要因がいくつか組み込まれており、以下のポイントアンドフィギュア（P&F）チャートに示されています。
金曜日の需要が低かっただけでなく、P&F価格ターゲットの予測に基づいてより下降価格ターゲットに燃料があったため、月曜日にさらなるパニック売りがあると驚かないでしょう。最初のターゲットは4545です。前回のレジスタンスがサポートに変わる軸線に重なる2番目のターゲットは、44​​40〜44​​70のあたりです。前回の蓄積構造の近くにあります。
弱気の勢いがS&P 500を価格目標ゾーンに運ぶ場合、そこからの反発を価格アクションの特性と出来高で判断する必要があります。これは、普通の市場の修正なのか、熊市の始まりなのかを判断する唯一の方法です。
価格が展開されるにつれて、次の方向を予想するために、出来高と価格アクションの振る舞いに注意を払うことが重要です。
私は11月23日-24日に一部の利益を確定し、一部のポジションを早期に手仕舞いすることで損失を出しました。他のポジションのストップを締めて現金を持ち、ポートフォリオを軽くするために継続していきます。 $NYダウ(.DJI.US)$ $Nasdaq Composite Index(.IXIC.US)$
安全な取引をしましょう。

$ユウシン(UXIN.US)$ 这个股春天应该要来了

$セミLEDS(LEDS.US)$底を写してもいいですか

$ASMLホールディング(ASML.US)$
At the ITF conference last month, iMEC (Belgium Microelectronics Research Center), the brain of the semiconductor industry, announced A blueprint that transistors will enter the angstrom scale (A, Angstrom, 1 angstrom = 0.1 nanometers) after 2025, in which 2025 corresponds to A14 (14A =1.4 nanometers). In 2027, it will be A10 (10A =1nm) and in 2029, A7 (7A = 0.7nm).
At the time, IMEC said that in addition to the new transistor structure and 2D materials, a key link was the High NA (High numerical aperture) EUV lithography machine. The 0.55NA next generation EUV lithography machine I (EXE:5000) will be supplied by ASML to IMEC in 2023 and will be mass-produced in 2026, according to the company.
However, speaking to the media this month, ASML seemed to hint at an earlier timetable. The first high NA EUV lithography machine will be available for early access in 2023 and for customer development in 2024-2025 with mass production starting in 2025.