智通财经アプリによると、国金証券はリサーチレポートで、23年がAIの訓練の年となり、24年はAIの推理の年になると述べています。これは、海外でSoraを含むAIアプリケーション製品が引き続き発売されることに加えて、国内国央企がAIアプリケーションに力を入れることにより、AIの推論の需要を強力に拡大するということが主な理由です。チップ分野では、同行は算力とストレージが最も恩恵を受けると考えており、特に現在の国内産業の大きな流れの中で、算力とストレージがAIの10年後の勝者を決めることになるとのことです。国内HBMの需要は今後大きくなるため、HBM関連産業の企業が急速に成長することが期待できます。香港シャノン(300475.SZ)、Luen Ray新材(688300.SH)、Tongfu microelectronics(002156.SZ)、Gigadevice semiconductor inc.(603986.SH)、Jiang Bolong(301308.SZ)に注目しています。

国金証券の主な観点は以下のとおりです。

HBMは、AI時代における必須アイテムであり、従来のGDDRで直面した「メモリウォール」問題を解決しました。HBMは、ストレージと計算が一体化した近いストレージ計算アーキテクチャを採用し、中間層を通じて信号処理チップを迅速に接続することで、データ転送時間や消費電力を大幅に削減します。HBMは、積層技術を採用して、従来のGDDRに比べて大幅なスペースを節約します。将来的には、クラウド上の多数のユーザー、高いスループット、低遅延、高密度の展開ニーズに対応するため、計算単位が急増し、I / Oボトルネックがより深刻になるため、HBMを使用することが必須です。

HBMのコア技術は、シリコンスルーホール技術（TSV）とスタックボンディング技術であり、パッケージ技術および放熱材料の要件を高めます。 HBMは、SIPおよびTSV技術を使用して、数個のDRAM dieを垂直に積み重ねます。垂直に貫通する電極で上下のチップを接続することで、データ転送速度を大幅に向上させることができます。同時に、SK hynixは、MR-MUFボンディングプロセスを採用し、チップの間に液体エポキシ成形材料を使用して、より低いボンディング応力と優れた放熱性能を実現しています。TSV+スタックボンディングプロセスは、現在のHBMの理想的なソリューションとなっており、スタック層数の増加に伴い、放熱要件もさらに増加しているため、混合ボンディングは次世代のHBM4で選択されることが期待されています。しかし、どのようなソリューションでも、HBMはEMCの分散特性と放熱特性の要件を提出するため、EMCおよびフィラーの価値が大幅に向上することになります。

23年の世界のHBMの生産額は約43.6億ドルであり、2024年には4倍以上の169億ドルに達する可能性があります。HBMの価格が高く、利益が高いため、より高い資金投資を必要とし、また、HBMはDDR5と同じ製造プロセスと同じ容量サイズで35〜45％大きく、良好なレートに比べて約20〜30％低くなります。生産サイクルもDDR5より1.5-2か月長くなります。AIの需要が高まることで、GPUメーカーはHBM生産能力を前もってロックし、3つの主要なメーカーが継続的に生産拡大を推進することになります。集邦コンサルティングのデータによると、2023年末までに、業界全体で、HBM TSVを生産する能力を持っている約250K/mのDRAM産業全体の約14％に当たる生産能力があり、2023年の需給逆転率は260％に達すると予想されます。2023年、HBMの生産額はDRAM全体の約8.4％に相当し、約43.56億ドルでした。2024年末までに、HBMの生産額はDRAM全体の約20.1％になると予測されています。

投資ロジック：

主に国内の国家企業がAIアプリケーションに注力し、海外でSoraを含むAIアプリケーション製品が引き続き発売されることにより、AIの推論の需要が大きく拡大するため、23年はAIの訓練の年となり、24年はAIの推論の年となると予想されます。チップ分野では、同行は算力とストレージが最も恩恵を受けると考えており、特に現在の国内産業の大きな流れの中で、算力とストレージがAIの10年後の勝者を決めることになるとのことです。国内HBMの需要は今後大きくなるため、HBM関連産業の企業が急速に成長することが期待できます。

HBMはDRAMの先進的なプロセスを排除し、主流のDRAMの持続的な値上げを推進する可能性があります。注目すべき点は、次の3つです。

1) 3つの主要メーカーがストレージメモリ契約価格を上昇させた後、先進的なプロセスへの出荷を拡大するため、生産能力の増加は2024年下半期に集中することになります。

2) AIコンピュータとAI搭載スマートフォン・サーバーの持続的なアップグレードに伴い、今年中にDDR5およびLPDDR5(X)の普及率が50％に増加することが予想されており、より多くのDRAM先端プロセスの生産能力を消費することになります。

3) HBM3eの出荷は今年下半期に集中するため、ストレージメモリーの強い需要時期に集中することになります。DDR5およびLPDDR5(X)市場の需要も増加すると予想されますが、2023年には損失が発生するため、メーカーの生産拡張計画は慎重になる傾向があります。各メーカーがHBMを優先的に生産する中で、DRAM生産能力が逼迫する可能性があり、主流ストレージの値上げに利益を得るためのストレージモジュール企業、ストレージ評価および密封材料企業に注目することをお勧めします。

ストレージ大手がDDR5/HBMに生産能力をシフトし、ニッチ市場からの撤退を加速することで、国内のニッチストレージチップメーカーに発展の機会をもたらす可能性があります。三大メーカーがHBMおよび主流のDDR5仕様のメモリに投資を増やすため、ニッチ市場向けのDDR3等のDRAM供給が減少することが期待されており、端末需要が回復するにつれて、ニッチ市場は短期間に生産能力不足に直面し、価格が上昇する可能性があります。核心的な提言は、国内のニッチストレージメーカーに関心を持つことです。

リスク注意：生産能力拡大が予想に及ばず、人工知能の発展が予想よりも遅れ、技術の向上が予想よりも遅れる場合があります。