Navitas Semiconductor (NASDAQ:NVTS), the industry leader in next-generation GaNFast gallium nitride (GaN) and GeneSiC silicon carbide (SiC) power semiconductors, today announced that Samsung had expanded adoption of Navitas' GaNFast ICs from the original flagship Galaxy S22, S23 and S24 to the mainstream Galaxy A, and revolutionary Galaxy Z Fold6 and Galaxy Z Flip6 smartphones with enhanced Galaxy AI features.
GaN runs up to 20x faster than legacy silicon and enables chargers up to 3x more power and 3x faster charging in half size and weight. GaNFast power ICs enable high-frequency, high-efficiency power conversion, achieving up to a 50% shrink vs. prior designs.
The new 25W charger (EP-T2510) features new energy-saving technology to reduce standby losses by 75% to only 5 mW, which aligns with Navitas' environmental advances, where every GaNFast IC saves 4 kg of CO2 vs. legacy silicon chips.
業種の次世代GaNFast 窒化ガリウム (GaN) 製およびGeneSiC シリコンカーバイド(SiC) パワー半導体において業界をリードするNavitas Semiconductor (NASDAQ: NVTS)は、SamsungがGalaxy S22、S23、S24から一般的なGalaxy A、革命的なGalaxy Z Fold6、およびGalaxy Z Flip6スマートフォンに強化されたGalaxy AI機能を有するNavitasのGaNFast ICの採用を拡大したことを本日発表しました。
GaNは従来のシリコンよりも最大20倍高速で動作し、半分のサイズと重量で3倍以上の電力と3倍以上の高速充電を可能にします。GaNFastパワーICは高周波・高効率の電力変換を実現し、従来設計と比べて最大50%の縮小を実現します。
新しい25W充電器(EP-T2510)は、スタンバイロスを75%削減して5mWに抑える新しい省エネ技術を特徴としており、Navitasの環境技術の方針に合致しています。すべてのGaNFast ICにより、従来のシリコンチップに比べて4 kgのCO2が節約されます。