证券之星消息，根据天眼查APP数据显示天岳先进（688234）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件”，专利申请号为CN202410579039.7，授权日为2024年8月9日。
专利摘要：本发明提供了一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件，涉及碳化硅晶片技术领域。该碳化硅衬底由晶体至少经过切割步骤后得到，晶体的制备方法包括晶体稳定生长阶段，晶体稳定生长阶段的生长工艺条件包括以下步骤：靠近晶体生长边缘处存在限定边，限定边与晶体生长边缘处的距离不大于6mm，在限定边至晶体中心设置连续且正的温度梯度；在限定边与晶体生长边缘范围内的温度梯度≥2℃/cm，限定边与晶体生长边缘范围内的温度梯度值大于限定边至晶体中心的温度梯度值；设置籽晶偏角；设置晶体生长石墨环夹角等，碳化硅衬底由晶体处理后得到。本发明碳化硅衬底具有高质量均匀性，显著提高器件的可靠性。
今年以来天岳先进新获得专利授权21个，较去年同期增加了75%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.37亿元，同比增7.57%。
数据来源：天眼查APP
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