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燕东微(688172.SH)：消费类沟槽型IGBT、车规级IGBT完成开发并实现批量生产

燕东微（688172.SH）：消費関連のトレンチ型IGBT、車両規格のIGBTの開発と量産化が完了しました。

Gelonghui Finance ·  09/10 04:15

格隆汇9月10日、燕東マイクロ(688172.SH) は投資家との対話プラットフォームで、現在の激しい市場競争環境の中で、燕東マイクロは引き続きイノベーションを中心とした開発戦略を貫き、新製品の研究開発投資を着実に増やし、新製品や新技術プラットフォームの積極的な開発を行い、従来の消費関連市場から新エネルギー、産業、自動車などの新領域に移行し、企業の総合競争力を向上させることを続けます。2024年の上半期には、同社の一部の研究中のプロジェクトの進捗および段階的な成果は以下のとおりです： （1） 6インチSiCチップの開発プロジェクト：製品パラメータパフォーマンスをさらに最適化し、複数の製品の生産最適化後のサンプルを提供し、MOSFET技術プラットフォームが一部の重要なプロセスの最適化を完了； （2） IGBT技術のアップグレードプロジェクト：消費者向けのトレンチ型IGBT、自動車用IGBTの開発が完了し、量産化が実現； （3） トレンチ分離ゲートMOSFET（SGT）技術プラットフォームの開発プロジェクト：100VのSGTが量産化され、現在、既存の技術プラットフォームを急速充電アプリケーションシーンに統合し、既存の技術プラットフォームを更新し、拡張中； （4） 熱イメージング技術プラットフォームの開発プロジェクト：熱イメージング技術プラットフォームの初の製品の端末検証を完了し、消費者向けの熱イメージング技術適用を実現； （5） 12インチのシリコン光SOI技術プラットフォームの開発プロジェクト：版図設計が完了し、工程検証を実施し、核心工程技術の複雑な図形光刻工程、低側壁粗さエッチング工程の検証が完了； （6） 磁気結合デジタル絶縁器の開発プロジェクト：インダクタ絶縁構造回路設計、版図設計が完成し、MPW流片が完了し、回路機能が正常である； （7） シリコン高周波パワーMOSFETの一連の開発プロジェクト：2つのシリコン高周波LDMOS製品の小ロット生産；5つのシリコン高周波LDMOS製品評価合格、顧客検証を通過；2つのLDMOS新製品が導入中； （8） 54ACプロジェクト：54ACシリーズ製品の1つの鑑定検査が追加されました。累計で15個の54ACシリーズ製品の鑑定検査が完了； （9） 高電圧大電力ドライバ回路技術プラットフォームの開発プロジェクト：1つのチップ機能の検証が完了し、PDK0.1をリリース； （10） 12インチ0.18um 40V/100V産業ドライバチップの工程開発プロジェクト：2つのプラットフォームのデバイスリストとデバイス構造が確定し、2つのプラットフォームの初版flowが作成されました； （11） 多電圧段階超高電圧BCD技術プラットフォームの開発プロジェクト：異なる電圧段階（5V〜600V）のデバイス構造設計、tapeout準備作業、flowプロセスの構築、核心工程開発が完了； （12） アナログスイッチシリーズの開発プロジェクト：6つのアナログスイッチ製品の鑑定検査が完了、14製品のflowが完了し、評価中、9製品が流片中。2024年の上半期には、シリコン光技術プラットフォーム製品の量産が実現され、この節目となる成果は、同社がシリコン光技術分野での重要な突破を意味します。集積度が高く、低コスト、低消費電力などの利点を持つシリコン光製品は、光通信、光インターコネクト、リダーシステムなど、複数の重要な分野での成功した適用を果たしています。将来的には、燕東マイクロは引き続きシリコン光チップ分野に投資を増やし、技術革新と産業のアップグレードを推進し、投資家に積極的に還元するでしょう。

これらの内容は、情報提供及び投資家教育のためのものであり、いかなる個別株や投資方法を推奨するものではありません。 更に詳しい情報
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