銘柄コードMRAM
会社名エバースピン・テクノロジーズ
上場年月日2016/10/07
発行価格8.00
設立日2008
代表者Mr. Sanjeev Aggarwal
マーケットナスダック
従業員数106
会計年度末12-31
所在地5670 West Chandler Boulevard,Suite 130
都市Chandler
州Arizona
国米国
郵便番号85226
電話番号1-480-347-1111
URLhttps://www.everspin.com
紹介エバースピン・テクノロジーズ（Everspin Technologies Inc）は磁気抵抗メモリ（MRAM）ソリューションの提供を行う。【事業内容】MRAMソリューションは、ランダムアクセスメモリ（RAM）の速度と耐久性を備える不揮発性メモリを提供し、特に停電または故障時にミッションクリティカルなデータを保護する。MRAM技術のポートフォリオには、トグルMRAMとスピントランスファートルクMRAM（STT-MRAM）が含まれる。トグルMRAM製品には、パラレル、シリアルペリフェラルインターフェイス（SPI）及びクワッドSPI（QSPI）インターフェイスなどの業界標準インターフェイスが含まれる。STT-MRAMテクノロジーはダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）、スタティックラム・エスラム（SRAM）、「NOR」フラッシュアプリケーションに製品を提供する。ダブルデータレート3（DDR3）及びダブルデータレート4（DDR4）派生インターフェースを備える製品を提供し、バッテリバックアップDRAMをSTT-MRAMに簡単に交換できる。三次元（3D）トンネル磁気抵抗効果（TMR）センサーは単一のコンポーネント
