智通財經APP獲悉，國泰君安發佈研究報告稱，受AI 算力需求拉動，中長期HBM 年需求增長率預計將達40%。海力士將投資10億美元發展HBM，至2024 年底，海力士HBM產能將翻倍，2030 年出貨量有望達到1 億顆。三星HBM 將投資7000-10000 億韓元投資新封裝線，預計2024 年出貨量將提升2.5 倍。該行認爲AI 算力拉動HBM 量產，海力士HBM3E 預計2024 年3 月量產，看好國內先進封裝及配套設備及材料產業鏈。
投資建議：持續推薦先進封裝相關標的：通富微電(002156.SZ)、長電科技(600584.SH)、甬矽電子(688362.SH)、偉測科技(688372.SH); 先進封裝設備標的： 拓荊科技(688072.SH)( 鍵合設備+PECVD)，芯源微(688037.SH)(鍵合與解鍵合)、新益昌(688383.SH)(固晶設備)、光力科技(300480.SZ)(劃片機)。相關受益標的：華海清科(688120.SH)、華海誠科(688535.SH)、聯瑞新材(688300.SH)。
國泰君安觀點如下：
HBM 加快量產步伐，海力士HBM3E 預計2024 年3 月量產。
高帶寬存儲器(HBM)通過TSV硅通孔、微凸塊等先進封裝技術將多個DRAM垂直堆疊，與GPU通過中介層互聯封裝，在較小空間裏實現高帶寬、高容量、低延時、低功耗，成爲高性能AI 算力需求下必經之路。HBM 技術至今已發展至第4 代(HBM1、HBM2、HBM2 E、HBM3)。英偉達新一代AI 算力芯片H200 將搭載首款海力士HBM3E。據海力士，HBM3E 最高帶寬1.18 TB/s，比HBM3 快30%，數據容量高40%，傳熱速率高10%，預計2024 年3 月量產。此外，三星HBM3E 順利通過客戶驗證，預計2024H2 量產，美光則跳過HBM3，HBM3E 預計也將於2024H2 開始向英偉達供貨。
海力士HBM3E 採用MR-MUF 先進工藝，預計HBM4 將使用混合鍵合工藝。
HBM 封裝廣泛採用TCB 熱壓鍵合的方式進行堆疊，從芯片頂部發加熱，僅芯片和Bump 焊接連接處會發熱，避免了下方基板翹曲問題，適用於極薄的芯片(~30μm)堆疊。海力士HBM2採用TC-NCF(Thermal Compression – Non Conductive Film，熱壓-非導電膜)的方式，預先沉積一層非導電膜控制翹曲，再進行熱壓鍵合，堆疊層數爲4/8 層，相對熱指數爲1。而從HBM3 開始，海力士採用MR-MUF 工藝(Mass Reflow-Molded Underfill，回流毛細管填充)，回到傳統倒裝芯片大規模回流焊工藝，提高量產吞吐量，將液態環氧塑封料一次性注入堆疊好的芯片孔隙，實現低壓填充並粘結。HBM3E 焊接高度預計降低至13μm，堆疊層數實現8/12 層，相對熱指數降低至0.5。海力士宣佈HBM4 將採用混合鍵合工藝，在高度潔淨平坦表面形成直接Cu-Cu 鍵合，間距能低至數微米，實現最高16 層的堆疊。HBM4 預計將於2026 年量產。
AI 算力拉動HBM需求井噴，國內供應鏈有望受益。
受AI 算力需求拉動，中長期HBM 年需求增長率預計將達40%。海力士將投資10億美元發展HBM，至2024 年底，海力士HBM產能將翻倍，2030 年出貨量有望達到1 億顆。三星HBM 將投資7000-10000 億韓元投資新封裝線，預計2024 年出貨量將提升2.5 倍。
風險提示：AI 產業發展不及預期;國產化進程不及預期;國際局勢不穩定。