Wisdom Finance APPは、平安証券のリサーチレポートによると、現在の人工知能の計算能力は持続的な好景気の背景にあり、HBMはAIハードウェアやシステムの計算能力を向上させる重要なメモリ技術として市場需要が強力な成長傾向を示しています。また、Micronのデータによると、同じノード/容量条件下で、HBM3eの生産能力消費はDDR5の3倍であり、さらにHBMに関連する製造業の伸びが期待され、TSV、MR-MUFの先進的なパッケージ技術が半導体、材料、封止部門に与える高い要件、現在のオリジナルの製造増産計画が関連産業チェーンに持続的な恩恵を与えることができます。

半導体材料分野では、Jiangsu Yoke Technology (002409.SZ)、Novoray Corporation (688300.SH)、Huahaicheng Science and Technology Co., Ltd (688535.SH)に注目することをお勧めします。半導体装置に注目する場合は、Jingzhida (688627.SH)、Suzhou SECOTE Precision Electronic (603283.SH)、Hangzhou Changchuan Technology (300604.SZ)などに注目してください。封止に関しては、Tongfu Microelectronics Co., Ltd. (002156.SZ)、Shenzhen Kaifa Technology (000021.SZ)に注目することをお勧めします。同時に、SK Hynixの重要な代理店であるShannon Semiconductor Technology (300475.SZ)にも注目してください。

平安証券の主な観点は次のとおりです：

高帯域特性を発揮することで、AIハードウェアのパフォーマンスを向上させるHBMは、AI時代における最初の選択肢となっています。

平安証券は、現在のGPT-3などのAI大規模モデルが要求する計算能力の増加に伴い、パラメータ数が指数関数的に増加していることを指摘し、伝統的なメモリ帯域幅および転送速度がAIハードウェアやシステムの最大パフォーマンスを制限していることを述べました。伝統的なDDRメモリに比べて、HBMは高帯域幅、低消費電力、低遅延などの利点を持っており、現在の高性能コンピューティングや人工知能などの分野で最初のメモリ技術として選択されています。現在、HBM製品は第5世代HBM3eまで開発されており、前世代に比べてメモリ帯域幅が47％向上し、最大12層のスタックアップ層数に対応し、対応する最大容量は36GBに達します。現在、3大オリジナルはすべて参入しており、24H1で順次販売しています。HBMの需要の高まりを考慮すると、SK Hynixは2025年にHBM4をリリースする予定です。

3大オリジナルメーカーはHBMの生産能力を持続的に拡大し、SK Hynixがグローバル市場シェアのトップに立っています。

現在、AIの高景気はHBMの需要の高い伸びを推進しています。HBMのビット出荷量および産業価値は、ビット出荷量が17億GB、産業価値が199億米ドルに達すると予想されています。競争状況に関しては、TrendForceのデータによると、出荷量をもって見る限り、2023年のHBM市場において、SK Hynixと三星はそれぞれ47.5％前後の市場シェアを占め、米光は約5％となると予想されています。HBM3eが先行して展開・増産されることにより、2024年にはSK Hynixの市場シェアが52.5%に増加し、三星の市場シェアが42.4%に減少すると予想されています。

HBMの需要の持続的な増加に対応するため、3大オリジナルメーカーは積極的に資本支出を増やしてHBMの生産能力を拡大しています。その中でも、三星とSK Hynixの生産能力拡大が最も積極的で、2024年末までに、三星のHBM総生産能力は約13万枚/月、SK Hynixは約12万枚/月に達する予定です。一方、MicronのHBM生産能力は2万枚/月程度です。

TSVは、HBMの製造において、複数のDRAMチップを直立して並べるための中心的な製造工程です。現在のオリジナルメーカーのパッケージ技術については、三星は主にTC-NCF技術を採用しており、SK HynixはAdvanced MR-MUF技術を採用しています。その際、EMC材料の改良を組み合わせてHBMのパッケージ製造を行い、冷却面でも大きな優位性が得られます。

HBMは、複数のDRAMチップを垂直にスタックし、GPUと一緒にパッケージングすることで、単一のパッケージ内の帯域幅制限を克服する大容量・高帯域幅のDDRアレイを形成します。TSVはHBMのチップスタックを垂直に配置するための中心的な製造技術であり、封止コストの30%を占めます。現在、オリジナルメーカーが採用しているパッケージ技術のうち、三星は主にTC-NCF技術を、SK HynixはAdvanced MR-MUF技術を採用しており、冷却に関しては前者に比べて後者のほうが優れています。

今後、帯域幅および容量の増加に伴うスタック数および密度の向上を考慮すると、SK Hynixは混合キーボンディング技術を利用してHBM4を製造する予定です。混合キーボンディング技術は、無凸体設計を排除し、直接的な銅と銅の接続を採用しています。微凸体技術に比べて、これにより間接密度をさらに向上させながら消費電力を低減することができます。この技術は、将来的にはHBMの主要なスタック技術になる可能性があります。

リスクプロファイル：国産化の代替案が予想よりも遅れるリスク、国内企業の先進技術の研究開発プロセスが予想よりも遅れるリスク、サプライチェーンのリスクの上昇。