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三星(SSNLF.US)跑步前进 力争“东山再起” 正缩小英伟达(NVDA.US)AI芯片供应“赛跑”差距

Zhitong Finance ·  Jul 30 02:34

三星迎头赶上,开始在缩小与竞争对手SK海力士的差距方面取得进展。

智通财经APP获悉,三星电子(SSNLF.US)在开发对人工智能市场至关重要的存储芯片方面遭遇一系列挫折后,开始在缩小与竞争对手SK海力士的差距方面取得进展。据知情人士透露,这包括赢得了人工智能巨头英伟达(NVDA.US)期待已久的一款名为HBM3的高带宽存储芯片的批准,此外,该公司还预计下一代HBM3E将在两到四个月内获得批准。

在历经几个月挫折之后,三星终获进展,此前该巨头曾经历开发失误、规模较小的SK海力士在行业中脱颖而出并取得巨大领先地位。从历史上看,凭借其规模和工程专业知识,韩国最大的公司三星一直是内存芯片市场领导者,却不寻常地被SK海力士迎头赶了上来。此外,鉴于该公司在HBM领域举步维艰,三星在5月采取了极不寻常的举措,更换了半导体部门负责人。

Tirias Research分析师吉姆·麦格雷戈(Jim McGregor)表示,“我们从未见过三星处于这种境地,业界和英伟达比任何人都更需要三星,但他们需要三星全力以赴。”

三星拒绝对任何具体的合作伙伴发表评论,但表示总体而言,公司正与客户密切合作,当前测试进展顺利。

三星电子此次取得的成果很可能是为将人工智能产品需求资本化。据摩根士丹利称,HBM市场预计将从去年的40亿美元增至2027年的710亿美元。三星越快得到人工智能加速器领导者英伟达的支持,便能从这一热潮中获得越多收入。

摩根士丹利分析师Shawn Kim和Duan Liu在本月的一份研究报告中写道,“投资者对三星的看法可能很快就会改变,情况正在迅速改善。”

这两位分析师在报告中将三星列为首选股票,他们认为,到2025年,三星的HBM市场份额至少会增加10%,收入将增加约40亿美元。尽管在该领域仍将落后于SK海力士,但这一进展可能会改变投资者的看法,股价也将随之提振。

三星将于本周三公布第二季度财报,届时其HBM战略可能面临质疑。目前尚不清楚该公司将提供多少细节。

不过,虽然三星似乎有望在11月之前获得英伟达的批准,但该公司仍在努力解决某些问题,鉴于人工智能芯片的复杂性,结果难以预测。知情人士说,其时间表有可能会滑到2025年。

三星落后于同行发生在该公司一个不同寻常的时期。执行董事长李在镕(Jay Y.Lee)花了数年时间与检方就贿赂和腐败指控展开斗争,与此同时,公司高层并未将HBM视为优先事项。事实上,在OpenAI于2022年底推出ChatGPT并引发对英伟达芯片的狂热需求以训练AI模型前,市场一直处在巨大的不确定性中。

虽然SK海力士已经准备好迎接井喷的需求,但三星仍在努力解决新芯片的复杂工程问题。HBM是由一组堆叠在一起的DRAM芯片组成的,最新一代是8个(每一层都会产生大量的热量),随后则被装入英伟达的图形处理单元(GPU)。GPU本身可达到100摄氏度,如果没有适当的散热和冷却材料,整个堆栈将面临熔化的风险。

Bloomberg Intelligence分析师杰克·西尔弗曼(Jake Silverman)表示:“随着这些层数的增加,开发合理产量将变得更加困难。问题在于散热:运行发热是因为这是堆叠的DRAM,它非常接近GPU,而GPU的运行温度更高。”

一位不愿透露姓名的知情人士称,三星在解决这种所谓的热耦合问题上遇到了麻烦。今年5月,该公司采取了戏剧性的行动:宣布半导体部门负责人Kyung Kye-hyun将离职,由Jun Young-hyun接替他的位置。

Jun于2000年加入三星,并帮助开发了DRAM和闪存芯片。现年63岁的他召开了一系列会议,探讨技术细节,致力于找到问题的根本原因。据一位知情人士透露,在一次持续数小时不间断的会议上,他哀叹HBM可能是一个更广泛问题的一部分。

然而,不仅在内存芯片技术上具有落后的风险,三星在创新的紧迫性方面也有可能落后。为促进合作,他重组了专注于HBM的团队,并任命了一位新负责人。

三星使用一种称为热压缩不导电膜(TC-NCF)的热管理策略来隔离DRAM的每一层。而SK海力士则率先开发出了改善散热和产量的替代方案。

然而,三星选择坚持使用TC-NCF并对其进行改进,并未选择其他方式。一位公司发言人表示,TC-NCF是一项“经过验证的技术”,将用于未来的产品中。

知情人士说,最终,该公司修改了HBM的设计,以解决热量和电力消耗问题。这使得HBM3获得了英伟达的批准。

三星表示,Jun自上任以来,一直将公司集体商议和坚持解决问题的文化放在首位。该公司补充说,“我们的HBM产品没有与热量和电力消耗相关问题”,也没有针对特定客户“进行设计更改”。

三星的“救命稻草”可能在于,人工智能大部分增长都在未来。微软(MSFT.US)、谷歌母公司Alphabet(GOOGL.US)、亚马逊(AMZN.US)、苹果(AAPL.US)和Meta Platforms(META.US)等科技巨头都在斥巨资以发展自身能力。

根据三星季度报告的细节,该公司从去年下半年开始生产HBM3芯片。像谷歌这样自己设计芯片功能的公司,预计在今年的大部分时间里将继续使用HBM3。三星已开始向英伟达供应HBM3,用于其H20芯片,这是一款为中国定制的产品,以满足美国的出口管制。

至于HBM3E,因为英伟达将SK海力士芯片与自己的H200芯片配对,该技术今年首次进入市场。Sanford C. Bernstein分析师在7月份的一份报告中表示,到2025年,英伟达几乎所有的产品都将继续使用HBM3E,而其芯片竞争对手甚至在2026年也将继续使用。

以马克·李(Mark Li)为首的分析师写道:“三星姗姗来迟,但HBM3E的窗口仍将为尽力追赶的三星所保留。”

美光科技(MU.US)今年早些时候宣布,英伟达已批准将其HBM3E芯片用于该公司的人工智能设备。在规模上历来落后于韩国竞争对手的美光,如今声称在一些内存制造和产品推出领域处于领先地位,这进一步表明三星的主导地位正在受到侵蚀。

然而,三星拥有的一个显著优势是其财务资源和生产能力。一旦达到英伟达的批准标准,三星便能迅速提升产量,解决阻碍英伟达和其他人工智能倡导者的短缺问题。

Bloomberg Intelligence的Silverman表示,“美光和海力士还没有能力支撑整个市场,”他补充说,英伟达首席执行官黄仁勋“希望鼓励他们”,因为英伟达需要更多供给。

SK海力士并没有放弃,更是罕见地从其知名度更高的竞争对手那里抢占了风头,自2023年初以来,该公司股价飙升了150%以上,是三星股价表现的三倍多。

SK海力士上周表示,目前正加快HBM3E产品的生产,以期实现超300%的增长。该公司还表示,计划于本季度量产下一代12层HBM3E芯片,并在第四季度开始向一家客户供货,这或许表明英伟达的认证即将到来。

与此同时,在Jun的领导下,三星正在取得进步。它开发了自己的12层HBM3E技术,并正在努力获得英伟达对这一代芯片以及8层HBM3E的批准。这也是未来市场前景的一个迹象。

摩根士丹利的分析师写道:“据我们估计,到2027年,这将是一个价值710亿美元的营收机会,而且还在不断增长,这在两年前是不存在的。对三星来说,关键的争论在于,它能否成为英伟达之后强有力的第二供应商。”

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