德州儀器(TXN.US)與美國商務部簽署了一項臨時協議，將獲得高達 16 億美元的擬議直接資金，用於支持在德克薩斯州和猶他州建設的三座 300 毫米晶圓廠。
$德州儀器 (TXN.US)$ 表示，它與美國商務部簽署了一項臨時協議，將獲得高達 16 億美元的擬議直接資金，用於支持在德克薩斯州和猶他州建設的三座 300 毫米晶圓廠。
該公司指出，簽署的非約束性初步備忘錄是爲了根據美國《芯片與科學法案》獲得資金。
德州儀器預計將從美國財政部的合格美國製造業投資投資稅收抵免中獲得 60 億至 80 億美元的補貼。
德州儀器總裁兼首席執行官 Haviv Ilan 表示：「我們計劃到 2030 年將內部製造率提高到 95% 以上，我們正在大規模建設地緣政治上可靠的 300 毫米產能，以提供未來幾年客戶所需的模擬和嵌入式處理芯片。」
德州儀器指出，這筆資金將幫助其在 2029 年前投資超過 180 億美元，這是其在製造業更廣泛投資的一部分。
據該公司介紹，這筆資金將用於支持三座新的晶圓廠，其中兩座位於德克薩斯州謝爾曼(SM1 和 SM2)，一座位於猶他州萊希(LFAB2)。
德州儀器補充道，它還預計將獲得 1000 萬美元的勞動力發展資金，因爲它將在其三座新晶圓廠內創造 2000 多個新就業崗位，併爲建築、供應商和支持行業創造數千個間接就業崗位。
此外，該公司表示，其300毫米晶圓廠將完全由可再生電力驅動。
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