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燕东微(688172.SH)：消费类沟槽型IGBT、车规级IGBT完成开发并实现批量生产

格隆汇 ·  09/10 04:15

格隆汇9月10日丨燕东微(688172.SH)在投资者互动平台表示，在当前激烈的市场竞争环境下，燕东微将继续坚持创新为核心的发展战略，不断加大新品研发投入，积极开发新产品及新工艺平台，由传统的消费类市场向新能源、工业、汽车等新领域转移，不断提升公司综合竞争力。2024年上半年公司部分在研项目进展及阶段性成果如下： （1）6 英寸SiC芯片研发项目：进一步优化了产品的参数性能，多款产品产出优化后的样品， MOSFET工艺平台完成部分关键工艺优化； （2）IGBT技术升级项目：消费类沟槽型IGBT、车规级IGBT完成开发并实现批量生产； （3）沟槽分离栅MOSFET（SGT）工艺平台开发项目：100V SGT 已实现量产，目前正在结合快充应用场景对现有技术平台进行迭代升级和拓展； （4）热成像工艺平台开发项目：完成热成像工艺平台首款产品终端验证，实现了消费类热成像应用； （5）12 英寸硅光 SOI工艺平台开发项目：完成版图设计，开展工艺验证，已完成核心工艺技术复杂图形光刻工艺、低侧壁粗糙度刻蚀工艺验证； （6）磁耦合数字隔离器开发项目：完成电感隔离结构电路设计、版图设计，完成 MPW流片，电路功能正常； （7）硅高频功率MOS 场效应晶体管的系列化研发项目：2 款硅高频LDMOS产品小批量试生产；5款硅高频LDMOS产品评测合格，通过客户验证；2 款LDMOS新产品导入中； （8）54AC 项目：新增完成1款54AC系列产品的鉴定检验。累计完成15款54AC系列产品鉴定检验； （9）高压大功率驱动电路工艺平台研发项目：完成一款芯片功能验证，发布 PDK0.1； （10）12 英寸0.18um 40V/100V 工业驱动芯片工艺研发项目：确定了两个平台的器件清单及器件结构，完成两个平台初版flow制定； （11）多电压档超高压BCD 工艺平台研发项目：完成不同电压档（5V~600V）器件结构设计、tapeout准备工作、flow流程搭建，核心工艺开发； （12）模拟开关系列研发项目：完成6款模拟开关产品鉴定检验，14款完成流片，评测中，9款流片中。 2024年上半年实现了硅光工艺平台产品的量产，这一里程碑式的成就标志着公司在硅光技术领域的重大突破。硅光产品凭借其集成度高、成本低、功耗低等优势，已成功应用于光通信、光互连、激光雷达等多个关键领域。未来，燕东微将继续深耕硅光芯片领域，加大科研投入，推动技术创新与产业升级，积极回报投资者。

声明：本内容仅用作提供资讯及教育之目的，不构成对任何特定投资或投资策略的推荐或认可。 更多信息
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