New class of materials offer improved conductivity and thermal management properties
ANDOVER, Mass., Oct. 2, 2024 /PRNewswire/ -- Raytheon, an RTX (NYSE:RTX) business, has been awarded a three-year, two-phase contract from DARPA to develop foundational ultra-wide bandgap semiconductors, or UWBGS, based on diamond and aluminum nitride technology that revolutionize semiconductor electronics with increased power delivery and thermal management in sensors and other electronic applications.
During phase one of the contract, the Raytheon Advanced Technology team will develop diamond and aluminum nitride semiconductor films and their integration onto electronic devices. Phase two will focus on optimizing and maturing the diamond and aluminum nitride technology onto larger diameter wafers for sensor applications.
新しい種類の材料は、改良された導電性と熱管理特性を提供します。
米国マサチューセッツ州アンドーバー、2024年10月2日 / PRNewswire / - レーテオン(nyse:RTX)のビジネスであるRaytheonは、DARPAからの3年間の2段階契約を受け、ダイヤモンドと窒化アルミニウムテクノロジーに基づく基礎となる超広帯域ギャップ半導体、またはUWBGSを開発します。これにより、センサーおよびその他の電子機器の電力供給と熱管理が向上し、半導体エレクトロニクスが革新されます。
契約の第1フェーズでは、Raytheon Advanced Technologyチームは、ダイヤモンドおよび窒化アルミニウム半導体膜とそれらを電子デバイスに統合するようにする。第2フェーズでは、ダイヤモンドと窒化アルミニウムテクノロジーをより大口径基板に最適化および成熟化し、センサー用途に活用します。