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最近，SK海力士推出首款300层NAND闪存产品，威胁三星电子在存储半导体行业的领先地位。三星电子在高带宽内存（HBM）技术和最近的 DRAM 技术方面被评价为被超越，但在 NAND 堆叠竞争中也失去了领先地位，将其竞争劣势蔓延到各种内存产品中。
SK海力士于11月宣布1月22日，该公司已开始量产321层1Tb（太比特）三层单元（TLC）NAND闪存。该产品将每个可存储三位的单元堆叠成 321 层，总容量达到 1Tb。
到目前为止，业界最高层数的产品在200层范围内。SK海力士是第一个成功量产300层产品的公司。新产品的数据传输速度比上一代产品快12%，读取性能提高13%。数据读取功耗效率也提升了10%以上。SK海力士相关人士解释称，“通过321层NAND，我们计划积极应对新的低功耗、高性能AI市场，并逐步扩大其应用范围。”
SK海力士在300层产品上取得领先的消息，引起了三星电子内部的危机感。最初将垂直堆叠单元技术商业化而不是水平堆叠以扩大 NAND 产品产能的先驱不是别人，正是三星电子。三星电子于 2013 年通过垂直堆叠单元推出了业界首款“V（垂直）NAND”。自此，NAND行业技术竞争的标准就变成了能堆叠多少层。三星电子相关人士表示，“在上一代产品中，三星电子通过改变量产准备评估的标准或条件，在最初的开发阶段取得了领先，但现在SK海力士的技术已经显着进步，这使得它变得困难。”
与 DRAM 相比，NAND 一直处于 AI 热潮之外，但最近气氛发生了变化。数据中心对支持人工智能计算的快速高性能固态硬盘（SSD）的需求激增，尤其是企业级SSD（eSSD），与HBM的需求类似。SK 海力士是从 AI 驱动的 NAND 热潮中受益最多的公司之一。今年第三季度，SK海力士的eSSD销量同比猛增430%，占SSD总销量的60%。
SK海力士正在加速扩大以eSSD为中心的NAND竞争力。最近，领导该集团人工智能战略的SK集团董事长Chey Tae-won出任SK海力士子公司Solidigm董事长。Solidigm是业内唯一一家拥有量产四级单元（QLC）NAND技术的公司，在eSSD供应方面处于领先地位。QLC 每个单元最多可存储 4 位，容量高效，非常适合大容量 AI 数据中心使用的 eSSD。一位业内人士表示，“人工智能数据中心比PC和手机需要更高容量和更快的存储设备”，“与传统HDD相比，eSSD具有性能优势，但价格一直是障碍。基于QLC的产品具有更高的容量和成本”与其他技术相比的效率，使其受到人工智能数据中心的追捧。”
对于三星电子来说，NAND是必须保护的最后一道防线。它一直是内存行业的老大，但由于AI驱动的格局变化，它在HBM和DRAM领域连续面临SK海力士的危机。在HBM市场，SK海力士是Nvidia的主要供应商，而在下一代DRAM（D1c）的量产竞争中，根据业界共识，SK海力士略微领先。
一位业内人士表示，“如果三星电子让SK海力士在NAND闪存领域继DRAM和HBM之后迎头赶上，这将是三重打击，对行业的象征意义将是重大的”，“尽管三星电子的销售份额目前势不可挡，但基于 SK 海力士在不断增长的 eSSD 市场中的强劲表现，差距可以迅速缩小。”
NAND，巨头谨慎
最近，有人担心通用 NAND 市场的表现将比最初预期的更差。这是因为移动和PC产品的需求低迷，供应商之间的竞争加剧。据此，三星电子和SK海力士明年也将减少设备投资。
24日业内人士表示，由于NAND闪存市场的不确定性，韩国本土主要存储器厂商对明年的设备投资采取保守态度。
由于PC等消费IT行业需求低迷，NAND市场面临价格下行压力。根据市场研究公司 DRAM Exchange 的数据，上个月用于存储卡和 USB 的通用 NAND 产品（128Gb 16Gx8 MLC）的平均固定交易价格为 3.07 美元，环比下降 29.18%。
此外，由于后来者积极扩张市场，对通用NAND供应过剩的担忧正在加剧。
Kiwoom Securities研究员Park Yoo-ak表示，“在第四季度的NAND市场中，eSSD（企业级SSD）价格预计将保持稳定，但移动设备的价格预计将下降15%，消费级SSD与上一季度相比，增长了 10%，个别 NAND 产品增长了 11%。”“这是由于与 Kiosia 和其他公司的竞争加剧，”他解释道。
在最近的一份报告中，花旗银行将明年的 NAND ASP（平均销售价格）从增幅 12% 下调至增幅 5%。主要原因是移动和PC市场的NAND需求弱于预期。
因此，三星电子和SK海力士等国内主要存储设备公司对明年的NAND相关设施投资采取保守立场。
三星电子最近将其平泽第四园区（P4）的第一条生产线“P4F（闪存）”更改为“P4H（混合）”。该战略是将该生产线作为同时批量生产 NAND 和 DRAM 的生产线来运营，而不是专门用于 NAND 的生产线。
受此影响，NAND产能扩张计划也被缩减。最初，三星电子计划在第一条 P4 生产线上确保每月约 45,000 片的 NAND 最大产能，但据悉，在改变生产线用途后，该产能减少至每月约 35,000 片。
一位业内人士解释说，“三星电子正在专注于尖端DRAM转换的投资，而被动投资于NAND”，并补充说，“根据行业情况，三星电子有可能进一步放缓投资。”
SK海力士还在公布第三季度财报的电话会议上表示，“我们计划保持保守的NAND投资立场，直到行业库存恢复正常且全面需求改善”，并补充道，“我们只会投资产品的工艺转换”保证盈利能力。”“我们会执行它，”他说。
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