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Public Christophe Fouquet Global market trends Industry & ASML's technology roadmap ESG ASML Investor Day Veldhoven, The Netherlands November 14, 2024 President and Chief Executive Officer Small Talk 2024 Exhibit 99.2

Public • The Semiconductor Industry remains strong and Artificial Intelligence is expected to create further opportunity as major investments in supercomputing are happening and the entire industry is preparing to insert AI in all critical future applications • Our industry will require major innovations to address the anticipated cost and power consumption challenges of AI, and this will further boost the industry roadmap in a product mix shifting towards advanced logic and DRAm • Our customers remain at the core of our strategy, and we believe that lithography will remain at the heart of their innovation. We also anticipate that an increased number of critical lithography exposures for advanced logic and memory processes will continue to support our customers in addressing their challenges • We expect that our ability to 1- scale our EUV technology well into the next decade, 2- extend holistic lithography into supporting 3D front end integration and 3- improve the performance and cost effectiveness of our DUV products will continue to address all our customers’ needs with a flexible and versatile portfolio • We will continue to leverage our large and growing systems installed base (DUV, EUV) to provide high value service and upgrades over a >20 years lifetime • ASML values the strong industry partnerships which are critical to our success and our collective commitment to a leadership position in ESG We expect that our ability to scale EUV technology into the next decade and extend our versatile holistic lithography portfolio could place ASML at the heart of the AI opportunity. This would continue to create significant growth in revenue and profitability in this decade. Page 2November 14, 2024

Public A Customer trust and partnership remains at the core of ASML’s strategy Seon-Yong Cha, Sk Hynix CTO We expect that our ability to scale EUV technology into the next decade and extend our versatile holistic lithography portfolio could place ASML at the heart of the AI opportunity. This would continue to create significant growth in revenue and profitability in this decade. Page 3November 14, 2024

我々は、社会があらゆるところにチップを使うところから、あらゆるところにAIチップへと移行するのを見ています。Gen AIは無限の可能性を拓き、2030年までにGDPに6兆～13兆ドルの価値を追加すると予想されています。つながる世界、気候変動と資源の枯渇、社会経済の変化、自動化、医療技術、技術独立性、遠隔での作業や学習、クラウドインフラストラクチャ、ハイパーコネクティビティ、エッジコンピューティング、エネルギー転換、電動化、スマートモビリティ、農業革新、限られたリソースのスマートな利用

インターネット・オブ・シングス、クラウドインフラストラクチャ、エッジコンピューティング、エネルギー転換、自動化、医療技術、技術独立性、遠隔での作業や学習、ハイパーコネクティビティ、電動化、スマートモビリティ、農業革新、限られたリソースのスマートな利用。AIは、多くのアプリケーションにわたり、産業全体を前進させる強力な潜在能力を持ちます。主流市場はボリュームを増加させる一方で、ハイパフォーマンスはモーアの法則に従って続く。Iライン、アドバンストセグメント、300mm、アーフィ、KrF、DRAM、NAND、MPU、アナログ、パワーオプティカル、センサー非光学センサー、ロジック、メモリ、アドバンストパッケージング、EUV、US、TW、CN、EU、JP、USKR、IRL

クラウドインフラストラクチャ、エッジコンピューティング、エネルギー転換、自動化、医療技術、技術独立性、遠隔での作業や学習、ハイパーコネクティビティ、電動化、スマートモビリティ、農業革新、限られたリソースのスマートな利用。2030年までにグローバルな半導体売上高が1兆ドルを超えるとの見通しを再確認します。AIへの主要な投資が進行中であり、消費者製品への展開のペースはまだ不明です。セミセールスが増加しつつあるハイパフォーマンスコンピュートとその他、IoT、自動車、モバイル、データ、AIパワーコンピュート（＋メモリ）

公開ページ7セミコン装置ハードウェアASMLおよびセミおよび非セミ2023年に損失半導体エコシステムは革新を推進するための手段を持っていますマーケットが低迷したにも関わらず、エコシステムは2023年に8650億ドルを超えるEBItを生み出しました Logic IDm Foundry Wafers Distributor E D A A u to m o ti v e PC S m a rt p h o n e C o n tr a c t m a n u fa c tu ri n g S e rv e r In d u s tr ia l C o n s u m e r Products Foundry Semi Peers Non-Semi Semi manufacturing Semi design Software and services 出典: Corporate Marketing (CMKT) 分析; 企業報告; 注意: EBIt = 利息と税金を除いた利益. ボックスのサイズはEBITにスケーリングされます2024年11月14日

公開セミコンエコシステムは、長期的な革新と成長を推進するために、EBItの約半分を再投資し、これが続くと予想されますページ8 2015年から2024年11月14日

公共コンピューティング性能のムーアの法則は健在ですパッケージあたりのトランジスタ数は引き続き2年ごとに倍増し、2030年までに1兆を可能にします出典: ケリヒャー, インテル, “ムーアの法則 - 現在と将来”, インテルインベスターデイ 2022年2月17日トランジスタ1パッケージあたり(ログ) 2030年までに1兆のトランジスタを目指すインテルの内部分析によるインテル製品 Future projections based on products still in design. Future transistor counts are projections and are inherently uncertain. 2005年から2030年までのページ9

公共ハイパフォーマンスコンピュータ需要ムーアの法則を超える我々は生成AIがムーアの法則の加速を要求すると予想していますエネルギーの使用が解決されなければ、トレーニング能力に天井を設定する可能性がありますページ10 人工知能のコンピューティングとエネルギーの必要性出典: ハイパフォーマンスコンピューティング: https://top500.org/lists/top500/ based on FP64 performance; 消費者GPU: nVidia＆AMDのデータシートに基づくFP32パフォーマンス情報 EPOCHによる情報” 2024年6月、更新済み 2024年11月14日

パブリックの高性能コンピューティングジェネラティブAIは、高性能コンピューティングパワーが2030年にはMooreの法則を上回り、データセンターの需要の70%以上がAIによって推進される可能性があり、Gen AI FLOPの90%以上を表します。2024年11月14日付けのソース：ハイパフォーマンスコンピューティング：https://top500.org/lists/top500/ に基づくFP64の性能；消費者GPU：nVidia & AMDのデータシートに基づくFP32の性能 Source：EPOCH、「注目すべきモデル」2024年6月、更新済み2024年11月

パブリックのジェネラティブAI、高性能コンピューティングパワーはMooreの法則を上回り、スーパーコンピューターアーキテクチャはAIのニーズを満たすポテンシャルを持っています。2024年11月14日付けのソース：アーゴンリーダーシップコンピューティング施設：https://www.alcf.anl.gov/aurora 高性能コンピューティング Auroraスーパーコンピューター（HPCおよびAIアプリケーション）は、2,000,000,000,000,000,000 FLOPを提供します

パブリックのジェネラティブAI、高性能コンピューティングパワーはMooreの法則を上回り、アーキテクチャのコストを削減する必要があります。2024年11月14日付けのソース：アーゴンリーダーシップコンピューティング施設：https://www.alcf.anl.gov/aurora 高性能コンピューティングAuroraスーパーコンピューター（HPCおよびAIアプリケーション）は、~8.5万のCPU/GPUを使用して2,000,000,000,000,000,000 FLOPを提供し、計算用に20Pb以上のメモリ、ストレージ用に230Pb以上のメモリを使用し、コストは約500M$です。

パブリックのジェネラティブAI、高性能コンピューティングパワーはMooreの法則を上回り、HPCの急速に増加するエネルギー消費量に対処する必要があり、トレーニング能力に天井を設けないために解決する必要があります。2024年11月14日付けのソース：アーゴンリーダーシップコンピューティング施設：https://www.alcf.anl.gov/aurora | 出典: Lisa Su、AMD、ITF 2024年5月21日 1025 2022 Gen AI Auroraスーパーコンピューター（HPCおよびAIアプリケーション）は、60MWと34,000ガロン/分の水を冷却用に使用して2,000,000,000,000,000,000 FLOPを提供し、エネルギー消費量は60MWを超えます。

高性能コンピューティングの公共の拡張性は無限ですが...しかし、新たなコストとエネルギーの課題を克服して人工知能の機会を引き出す必要があります。人工知能コンピューティングアーキテクチャ1 AIアーキテクチャのコスト2 半導体産業は、可能な限り最も低いコスト、最低のCO2排出を含む最高の計算パワー/トランジスタ密度を提供する必要がありますページ15 AIのエネルギー消費3 コスト見積もり:〜500M $ 2エクサFLOPS 60MW ソース：Lisa Su、AMD、ITF 2024年5月21日アーゴンリーダーシップコンピューティング施設：https://www.alcf.anl.gov/aurora 2024年11月14日

公衆は、人工知能アプリケーションが先進のロジックロードマップの必要性を加速させると予想しています 2018年 2020年 2023年 2025年 2027年 2029年 2031年 2033年 2035年 2037年 2039年 2Dおよび3Dの革新が次の15年を切り開いています。ページ16 2024年11月14日

公衆は、人工知能アプリケーションがDRAMアーキテクチャとボリュームを変革することが期待される。将来のDRAMは、性能とエネルギー効率を向上させるために追加のロジック機能を統合すべきです。ページ17「追加のロジック機能をDRAMメモリに追加することで、メモリボンドのワークロードの性能とエネルギー効率が向上できます」 2024年11月14日

10 100 1000 2015年 2020年 2025年 2030年ですので、ロジックとDRAMのトランジスタ数の伸びについては引き続き強い成長を予想しています。そして、半導体需要のミックスが先進的なロジックとDRAMにシフトすることを予想しています。ページ18 D R A m G b p ro d u c e d [ 1 0 1 8 / m o n th ] C GR ’15-’23: 18% DRAm ソース：ロジック履歴：ASMLエンドマーケットモデル、DRAM履歴：WSTS、予測：ASML 10 100 1000 2015年 2020年 2025年 2030年兆ra n s is to rs p ro d u c e d [ 1 0 1 8 / m o n th ] C GR ‘15-’23: 26% ロジック 2024年11月14日

将来のプロセス最適化の中心にコスト削減とエネルギー削減を置く必要があります 1. 各工程で処理される良いトランジスタの数を増やす 2. 全体のプロセスフローを簡素化する 3. 各処理工程のコストと排出物を最小限に抑える 40~80サイクルページ19 ウェーハーパタンニングの総コストと総排出物を削減して人工知能ロードマップをサポートする必要があります。ウェーハーパタンニングの総コストと排出物は、次のように削減できます。CO2 2024年11月14日

公開ページ201 ソース: ASML、標準セル設計における革新を除く優れた印刷トランジスタ／€ [a.u.] 1 ASMLは数十年にわたり、より低コストで高密度のトランジスタを提供してきました。EUVのスケーラビリティとホリスティックリソグラフィを通じて、次の十年にわたる歴史的傾向を拡張できると考えています（クリティカルレイヤー）2005年 2010年 2015年 2020年 2025年 2030年 2035年 2040年時間を通じたホリスティックリソグラフィ能力 ArFi EUV 0.33 EUV 0.55 EUV 0.75 ArFi EUV 0.33 EUV 0.55 EUV 0.75 2024年11月14日

公開ページ211 ソース: ASML、標準セル設計における革新を除く優れた印刷トランジスタ／€ [a.u.] 1 ASMLは数十年にわたり、より低コストで高密度のトランジスタを提供してきました。EUVのスケーラビリティとホリスティックリソグラフィを通じて、次の十年にわたる歴史的傾向を拡張できると考えています（クリティカルレイヤー）2005年 2010年 2015年 2020年 2025年 2030年 2035年 2040年時間を通じたホリスティックリソグラフィ能力全体的 2024年11月14日

公共2024年2030年2024年2030年2024年2030年優れた印刷トランジスタ CO2 テクノロジーコスト環境コスト +150%/エクスポージャ -30%/エクスポージャ -50%/エクスポージャ EUVの拡張可能性 ASMLの革新はEUVリソグラフィの利益を拡大できます。顧客により低コストでエネルギー消費が少なく、ASMLにとって収益性が高まる良いトランジスタが増加しましたページ22 = 優れた印刷トランジスタリソグラフィエクスポージャコスト CO2 注: インフレを考慮していないエクスポージャコストの削減 2024年11月14日

公開ページ23 = 優れた印刷トランジスタ総リソグラフィコスト CO2 ASMLの革新によりEUVリソグラフィの利点が拡大。顧客にとってより低コストでエネルギー消費が少なく、ASMLにとって収益性が高まった良いトランジスタが増加しました 2024年11月14日

公開優れた印刷トランジスタ解像度生産性精度パターニング収量 × × × 運用コスト環境コストシステムコスト寿命／ + 1トンCO2 = 200EUR + 総リソグラフィコスト ASMLは製品ポートフォリオの価値を最大化するため、すべての側面での革新を図ります。製品ごとの革新（EUV、DUVなど）は、特定の顧客と市場ニーズをターゲットにしていますページ24 = 2024年11月14日

Public ASMLの戦略の中心には、顧客の信頼とパートナーシップが残っています。Sk HynixのCTOであるSeon-Yong Chaは、次の10年にわたってEUV技術のスケーリング能力を高め、多目的な包括的なリソグラフィポートフォリオを拡張することで、ASMLを人工知能の機会の中心に位置付けることができると期待しています。これにより、この10年に売上高と収益性において著しい成長が続くでしょう。

Public半導体メーカーが縮小を推進し続けると予想されます。トランジスタの寸法を縮小することが、密度を低コストで高める最も簡単な方法である可能性が高いことに留意しています。SP: 単一パターニング、DP: ダブルパターニング、QP: クアドラプルパターニング、EPE: エッジ配置エラー出典: 1Luc van den Hove, IMEC、ITF 2024年5月21日 0 5 10 15 30 20 25 21 18 16 14 28 5.2 4.3 3.5 3.5 公開データ顧客予測 2020年 2023年 2025年 2027年 2029年 2031年 2033年 2035年 17 14 3.8 22 23 EPE [nm]、ノード、メタルピッチ、線形スケール大口生産年 7 20392037 12 3 5 3 2 1.4 1.0 0.7 0.20.5 0.3 サブ-0.2 ロジックメタルピッチ[nm] エッジ配置エラー[nm] 不確実性 5.5 4.5 5.8 ノード名1[nm] 推定2024年11月14日

PublicロジックとDRAMは、重要なリソグラフィ露光をさらに促進すると予想されています。EUV 0.33 NA層がノード対ノードで引き続き増加することを期待しています。 2025年 2029 - 2030年 2025年 2029 - 2030年高低高低低高 nxe 0.33 na 低高 # of EUV 0.33 NA露光の数 # of EUV 0.33 NA露光の数 EUV支出CAGR 10-20% EUV支出CAGR DRAM LOGIC EUVリソグラフィ0.33NA露光（加重平均） EUVリソグラフィ0.33NA露光（加重平均） 2024年11月14日

PublicEUV 0.33 NAは、さらなるマルチパターニングからシングル露光への変換を可能にする可能性があり、これにより顧客にコスト、収量、およびサイクルタイムのメリットがもたらされるでしょう。 2022年 2024年 2026年 2028年 2030年 2032年シングル露光（EUV 0.33 NA）平均パターニングコストレイヤー当たり 2018年 2020年ロジック（LE-LE-LE - レイヤー） DRAM（SA-LE-LE - レイヤー）ロジック（LE-LE - レイヤー）2 1 3 凡例: LE = リソグラフィ-エッチ | SA = セルフアラインドマルチパターニングのコストシングル露光のコスト 2024年11月14日

公共EUV 0.33 NA は、2025年から2030年の間にASMLにとってEU な数の露光を可能にし、さらなるマルチパターニングをシングル露光に変換することができ、結果としてページ29 2022 2024 2026 2028 2030 2032 SE（EUV）平均パターニング毎のコストが上昇する可能性がある 64％ 25％ 17％ 58％ 33％ 3％LE-LE-LE SE（EUV）ロジック - 5層2 DRAm（DUV-EUV） 2025 2027 1 3xLE SE 2019ロジック（DUV-EUV）2x LE SE 2028ロジック（DUV-EUV）3リソグラフィCAPEXリソグラフィOPEX非リソグラフィRef。（SE DUV）SE DUV 4x SPACER 2x SPACER 2x LESE SE SEロジック（LE-LE-LE-層）DRAm（SA-LE-LE-層）ロジック（LE-LE-層）4倍のSPACER 2倍のSPACER 2倍のLESE SE SE LOGIC（LE-LE-LE - 層） DRAm（SA-LE-LE - 層）ロジック（LE-LE -層）のリソグラフィ強度 %の増加伝説：LE = リソグラフィ-エッチ | SA = セルフアライニング 2024年11月14日

公共0.55 NA EUVの機会が今始まり、0.33 NA EUVが26nm以下のピッチの重要な層でマルチパターニングに移行する際に、2024年11月14日SP：単一パターニング、DP：二重パターニング、QP：四重パターニング出典：1Luc van den Hove、IMEC、ITF 2024年5月21日0 5 10 15 30 20単一露光0.55二重露光0.550.55 NA EUV採用機会単一露光0.33二重露光0.3325 21 18 16 14 28 5.2 4.3 3.5 3.5公開データ顧客の予測見積もり2020 2023 2025 2027 2029 2031 2033 2035 17 14 3.8 22 23E P E [ nm ]、ノード、メタルピッチ、線形スケール量産向けの年2039年12 3 5 3 2 1.4 1.0 0.7 0.20.5 0.3サブ0.2ロジックメタルピッチ[nm]エッジ配置誤差[nm]不確かさ5.5 4.5 5.8ノード名1 [nm] 2024年11月14日30ページ

公衆論理：High NA EUVにより、1.5Dおよび2D設計でより多くのデザイン自由度が可能になります。シングル露光の単純化は、プロセスステップの削減、サイクルタイムの短縮、および収率の向上につながります。露光NXE 1露光NXE 2露光NXE 3水平方向のP22と垂直方向のP28を組み合わせた露光方法。ページ31このマルチ露光方法は、その複雑さのために量産には適していません。High NA単一パターニングLow NAマルチパターニングHigh NAロジックメタル：約35%のコストメリットとプロセスの簡素化露光High NA1 2024年11月14日

パブリックロジックとDRAMは、2026-27年にさらなる重要なリソグラフィ露光を推進するものと見込まれています。ハイボリューム製造にハイNAを挿入する計画は、2025年末までに採用されます。2025年から2030年末までの採用 DRAMLOGIC 4-6 2-3 期待される平均ハイNA層ページ32 2025 2029 - 2030 高低高低低高 NXE 0.33 NA EXE 0.55 NA 低高 EUVリソグラフィ0.33NA 同等露光（加重平均）＞2030 #ヨーロッパ通貨連合 0.33 NA 露光＞2030 ＞3 EUVリソグラフィ0.33NA 同等露光（加重平均）2024年11月14日

ハイNA EUVの最新の光学イノベーションは、EUVロードマップの基礎を作りました。非対称ミラーでピコメータースタビリティ（1/200シリコン原子）を達成ページ33 NA ＞0.5 ハイNAミラーのメトロロジー Zeissマスクレベルウェハレベル NA 0.33 ウェハレベルマスクレベル 2024年11月14日

EUVソース電力は続くスケール化中であり、将来的に1000Wを超える可能性があります。 740WのEUV電力が実証された EUVソース電力スケーリング 2010年 2015年 2020年 2025年 0 100 200 300 400 500 600 EUV power [Watts] 製品 2030 700 800 900 1000 -将来的に1000Wを達成するための手段 1 2 研究 1 EUV プラズマ 1μm プレパルス 1μm 希薄化パルス 10μm 主パルス 2プラズマプロセス 1および10μm IRソースターゲット希薄化ターゲットスズ液滴 1μmアーキテクチャ液滴繰り返しページ34 2024年11月14日

ハイNA EUV光学は、より高い生産性EUVプラットフォームの展望をサポートしています。EUVパフォーマンスと生産性は、次の10年以上（2030年以降）にわたって延長できます。 0.33 NA 0.55 NA 0.75 NA 今日のEXEプラットフォーム NXEプラットフォームシステム共通性約50% 約95% 未来：より高い生産性プラットフォームページ35 2024年11月14日

0.75 NA EUVの機会は、次の10年にあり、＜16nmピッチが必要とされるでしょう。より高い生産性プラットフォームは、将来のハイパーNAニーズをサポートするように設計できます。ページ36 シングルパターニングDP:ダブルパターニング、QP:クアドラプルパターニング出典：1Luc van den Hove、IMEC、ITF 2024年5月21日シングル露光0.75 0 5 10 15 30 20 25 21 18 16 14 28 5.2 4.3 3.5 3.5 パブリックデータ顧客予測2020年 2023年 2025年 2027年 2029年 2031年 2033年 2035年 17 14 3.8 22 23 EPE [nm]、Node、金属ピッチ、線形スケール高生産量製品の年20392037 12 3 5 3 2 1.4 1.0 0.7 0.20.5 0.3サブ0.2 ロジック金属ピッチ[nm] エッジ配置エラー[nm] 不確実性 5.5 4.5 5.8 Node name1 [nm] マルチ露光 0.75 0.75NA EUV採用機会マルチパターニング0.55NAの後継として、ロジック分野において2032年以降再に単一パターニング0.75NAの採用が進む予測ダブル露光0.55 2024年11月14日

一般に、フロントエンド3D統合は2D縮小を補完し、密度向上を推進します。フロントエンド3D統合の課題は、すべての半導体製品に新たなリソグラフィの機会をもたらすでしょう。ページ37 スタックLOGIC W-WハイブリッドW-WフュージョンW-W | D-Wフュージョンオーバーレイ3D NAND BSPN CFEt HVm 2026年>2032年アレイCMOSロジックベアシリコンロジックロジックボンディング5nm → 2nm50nm → 25nm 2.5nm → 1.6nmリソグラフィKrF NXE/EXE NXE/EXEアレイW-W / D-WハイブリッドアレイCMOS 50nm → 25nm KrF NAND DRAm W-WハイブリッドW-WハイブリッドW-W / D-Wハイブリッド3Dアレイ4F2 2Dアレイ>2027年>2032年>2032年アレイCMOSアレイCMOSアレイCMOSアレイ>4.5nm6nm → 3nm 6nm → 3nm ArFiArFi ArFi>2030年2024年11月14日

一般にホリスティックリソグラフィはフロントエンド3D統合をサポートすべきです。前後のボンディングにおける計測とスキャナー制御は、オーバーレイに必要な重要なプロセスポイントです。ページ38 プリボンディングCMOSスキャナー補正と制御アレイスキャナーおよびオフラインメトロロジー2 1アクチュエーターポストボンディングボンディングアレイCMOSアクチュエーターラージウエハ変形3メトロロジーリソグラフィスキャナーホリスティックリソグラフィプロセス制御ポイントアクチュエーター321>5000枚/ウエハ 50 - 100nmオーバーレイ誤差>2000枚/ウエハ<5nmオーバーレイ誤差<5nmオーバーレイ誤差ホリスティックリソグラフィはオーバーレイ誤差を仕様内にもたらすために、大規模なメトロロジーが必要です。2024年11月14日

一般にリソグラフィは、プロセス指紋を補償するための強力なツールです。補正能力が約5桁向上し、現在1枚あたりのパラメーターは約10万パラメーターに達しています。露光ステージ100％のウエハが測定され、100％のウエハがフィールドごとに処理されます。メトロロジーステージ同じ指オッド指グレーフィルター X Y Z 光学中心線投薬マニピュレーターフレキシブルイルミネーターレチクルステージ1975年1980年1985年1990年1995年2000年2005年2010年2015年2020年2025年1000 100 10 1 0.1オーバーレイ[nm]1,000 100 10 1 10,000 u s e r s e l e c ta b le l it h o c o rr e c ti o n s 100,000フィールド、ウエハ、ロットあたりの補正能力が向上し、スキャナーおよびプロセス制御ソフトウェア2024年11月14日ページ39

一般に、ウエハボンディングはDRAmメモリのトランジスタ密度向上を推進することができます。現在、DRAmのロードマップにはボンディングが含まれており、主要なイノベーションが必要です。ページ40 2025年2026年2027年2028年2029年2030年2031年2032年2033年2024年11月14日ソース：企業マーケティング（CMKT）の分析2つ以上のDRAmロードマップオプションが現在進行中であり、すべてがボンディングを含み、主要なイノベーションが必要です。1）CBA：CMOSボンデッドアレイ– CMOSロジックウエハがメモリアレイにボンディングされる2）スタッキング：アレイボンディング– 2つ以上のメモリアレイウエハが互いにボンディングされます。2024年11月14日

ワエファボンディングは、DRAMメモリのトランジスタ密度の向上を促進できます。DRAMロードマップには、すべてのボンディングが含まれ、主要な革新が必要です。CBA: CMOSボンデッドアレイ - CMOSロジックウェハーがメモリアレイに結合されています。スタッキング：アレイボンディング - 2つ以上のメモリアレイウェハーが互いに結合されます。ウェハーまたはダイベース6F26F2 }

ワエファボンディングは、DRAMメモリのトランジスタ密度の向上を推進できます。DRAMロードマップには、すべてのボンディングが含まれ、主要な革新が必要です。CBA: CMOSボンデッドアレイ - CMOSロジックウェハーがメモリアレイに結合されています。スタッキング：アレイボンディング - 2つ以上のメモリアレイウェハーが互いに結合されます。ウェハーまたはダイベース6F26F2 4F2 + CBA4F2 3Dアレイ〜125層2Dアレイ 4F2 + CBA /アレイ2Dアレイ 6F2 + CBA /アレイメモリキャリアロジックメモリキャリアロジックボンディングボンディング+スタッキングボンディングボンディング+スタッキングボンディング出所：企業マーケティング（CMKT）分析2024年11月14日}

公衆ボンディング CBAボンディング技術のコストは、弊社の顧客のロードマップ選択にとって重要な基準の1つのままです。EUVのスケーラビリティと全体的なリソグラフィは、将来のフロントエンド3D集積スキームをサポートできます。ページ 44 2023 2025 2027 2028 2030 2032 2034 2035 2037 2039 20410億コストスケーリング（$/Gb）- ログスケール3Dアレイ性能今日; 5層3Dアレイコスト課題理論上の125層の性能が、今日の能力でHVで生産された場合6F2 / 4F2 6F2 2032年の3Dアレイ挿入には125層が必要新しいDRAM工場新しい設備125 L新素材？3Dアレイ2Dアレイ出所：企業マーケティング（CMKT）分析2024年11月14日

公開ページ 45 2023年 2025年 2027年 2028年 2030年 2032年 2034年 2035年 2037年 2039年 2041年 3次元配列の現在のパフォーマンス；5層3Dアレイコストの挑戦理論上の125層の性能が、今日の能力でHVmで生産された場合、3Dアレイ6F2 / 4F2 6F2 2032年の挿入に125層が必要新規DRAm工場新規機器 125 L CBAボンディング CBAボンディング+積層ボンディング+積層ボンディング技術のコストは、お客様のロードマップ選択において主要な基準の一つとなります EUVの拡張性とホリスティックなリソグラフィは、将来のフロントエンドの3D統合スキームをサポートすることができます300 L 新素材？コストスケーリング（$/Gb）- ログスケール 2次元アレイ出典：企業マーケティング（CMKT）分析2024年11月14日

ASMLは、温室効果ガス中立をめざす取り組みを継続し続けます価値連鎖での強化された協力は、気候行動の加速を目指していますページ 46 社会に協力して、地球の気温上昇を1.5℃に抑制することを支援します 2025年 2030年 2040年 2050年パリ協定のカテゴリー継続的な協力商品の使用からの排出を排除するための協力 ▪ ASML製品のエネルギー効率を向上させる ▪ ASML製品のアフィユールな再生可能エネルギーへのアクセスを改善するための産業の取り組みを支援し、2040年までに顧客が100％の再生可能エネルギーを供給できるようにします。 ▪ 半導体産業として信頼性のある炭素除去オプションのスケールアップを支援しますニュートラルな温室効果ガス製品を取得するための協力 ▪ 低炭素設計仕様の設定 ▪ 再生可能エネルギーへの移行を支援します。 ▪ 炭素酸化物の供給業者からの任意が2030年までにASML製品からの残留排出を補償することの確約を取得くするため ▪ エネルギー効率性への取り組みを引き続き推進する ▪ エネルギー使用の削減 ▪ 再生可能エネルギーの使用 ▪ 2025年までに残存排出を補償する ▪ エネルギー使用の削減 ▪ 再生可能エネルギーの使用 ▪ 2025年までに残存排出を補償する製造＆建物ビジネストラベル＆通勤供給チェーン商品の使用ターゲットターゲットターゲットこのスライドは、ASMLの最新のFRSに基づいた最新の年次報告書に記載された、及び米国証券取引委員会に提出されたSMLの最新のForm 20-Fに記載された開示によってを一緒に読む必要があります。本報告書は、ASMLの值の連鎖での減少についての依存性を含む、リスクファクターに関する戦略報告と推移に関する特別注意事項付録を資格付けています温室効果ガス中立：減少目標に対する努力の後、残余排出は、ASMLの製品から発生される排出と同量のメトリックトンの炭素クレジットにより補償されます。

Public 450 400 350 300 250 200 150 100 50 0 Our EUV innovations are also expected to drive EUV energy consumption down Within a 15 year period at customers, we anticipate 80% reduction of energy needed per wafer exposed 2018 2021 2023 2033 Improvement in energy per wafer Total power equivalent 100% Absolute Power Energy per Wafer 2025 2029 20312027 20% 100% 50% A t P t h ro u g h p u t 3 0万J [ W P H ] Wafers per hour t o ta l p o w e r e q u iv a le n t (k W ) Total wafers per hour November 14, 2024 Page 47

Public Attractive & Inclusive communities STEm ESG innovation Employee giving Contribute to positive improvements and experiences in our communities Increase the talent pool that society needs to solve some of its key challenges Support innovative ideas to solve key ESG challenges Engage with and care for people in our communities ASML is increasing its engagement with communities SML and communities benefit from each other’s presence and support each other’s development November 14, 2024 Page 48

Public Forward Looking Statements This document and related discussions contain statements that are forward-looking within the meaning of the U.S. Private Securities Litigation Reform Act of 1995, including statements with respect to our strategy, plans and expected trends, including trends in end markets and the technology industry and business environment trends, including the emergence of AI and its potential opportunities and expectations for the semiconductor industry, including computing power, advanced logic nodes and DR m memory, statements with respect to Moore’s law and expected transistor growth and aspirations by 2030, global market trends and technology, product and customer roadmaps, long term outlook and expected lithography and semiconductor industry growth and trends and expected growth in semiconductor sales and semiconductor market opportunity through to 2030 and beyond, expected growth in wafer demand and capacity and additional wafer capacity requirements, expected investments by our customers, including investments in our technology and in wafer capacity, plans to increase capacity, expected growth in lithography spend, growth opportunities including opportunities for growth in service and upgrades and opportunities for growth in Installed Base Management sales, expected growth and gross margins in the holistic lithography business and expected addressable market for pplications products, expectations and benefits of a growing installed base, SML’s and its supplier’s capacity, expected production of systems, model scenarios and the updated model for 2030, including annual revenue and gross margin opportunity and development potential for 2030, outlook and expected, modelled or potential financial results, including revenue opportunity, gross margin, R&D costs, SG&A costs, capital expenditure, cash conversion cycle and annualized effective tax rate for 2030 and assumptions and drivers underlying such expected, modelled or potential amounts, and other assumptions underlying our business and financial models, expected trends, outlook and growth in semiconductor end markets and long term growth opportunities, demand and demand drivers, expected opportunities and growth drivers for and technological innovation of our products including DUV EUV, High NA, Hyper NA, Applications, and other products impacting productivity and costs, transistor dimensions, logic and DRAm shrink, foundry competition, statements with respect to dividends and share buybacks and our capital return policy, including expectation to return significant amounts of cash to shareholders through growing dividends and buybacks and statements with respect to energy generation and consumption trends and the drive toward energy efficiency, emissions reduction and greenhouse gas neutrality goals and target dates to achieve greenhouse gas neutrality, zero waste from operations and other ESG targets and ambitions and plans to maintain a leadership position in ESG, increasing technological sovereignty across the world and the expected impact on semiconductor sales, including specific goals of countries across the world, increasing competition in the foundry business, estimates for 2024 and other non-historical statements. You can generally identify these statements by the use of words like "may", "will", "could", "should", "project", "believe", "anticipate", "expect", "plan", "estimate", "forecast", "potential", “opportunity”, “scenario”, “guidance,” "intend", "continue", "target", "future", "progress", "goal" and variations of these words or comparable words. These statements are not historical facts, but rather are based on current expectations, estimates, assumptions, models, opportunities and projections about our business and our future and potential financial results and readers should not place undue reliance on them. Forward- looking statements do not guarantee future performance and involve a number of substantial known and unknown risks and uncertainties. These risks and uncertainties include, without limitation, customer demand, semiconductor equipment industry capacity, worldwide demand for semiconductors and semiconductor manufacturing capacity, lithography tool utilization and semiconductor inventory levels, general trends and consumer confidence in the semiconductor industry and end markets, the impact of general economic conditions, including the impact of the current macroeconomic environment on the semiconductor industry, uncertainty around a market recovery including the timing thereof, the impact of inflation, interest rates, wars and geopolitical developments, the impact of pandemics, the performance of our systems, the success of technology advances and the pace of new product development and customer acceptance of and demand for new products, our production capacity and ability to adjust capacity to meet demand, supply chain capacity, timely availability of parts and components, raw materials, critical manufacturing equipment and qualified employees, our ability to produce systems to meet demand, the number and timing of systems ordered, shipped and recognized in revenue, risks relating to fluctuations in net bookings and our ability to convert bookings into sales, the risk of order cancellation or push outs and restrictions on shipments of ordered systems under export controls, risks relating to technology, product and customer roadmaps and Moore’s law, risks relating to the trade environment, import/export and national security regulations and orders and their impact on us, including the impact of changes in export regulations and the impact of such regulations on our ability to obtain necessary licenses and to sell our systems and provide services to certain customers, exchange rate fluctuations, changes in tax rates, available liquidity and free cash flow and liquidity requirements, our ability to refinance our indebtedness, available cash and distributable reserves for, and other factors impacting, dividend payments and share repurchases, the number of shares that we repurchase under our share repurchase programs, our ability to enforce patents and protect intellectual property rights and the outcome of intellectual property disputes and litigation, our ability to meet ESG goals and execute our ESG strategy, other factors that may impact SML’s business or financial results including the risk that actual results may differ materially from the models, potential and opportunity we present for 2030 and other future periods, and other risks indicated in the risk factors included in SML’s nnual Report on Form 20-F for the year ended December 31, 2023 and other filings with and submissions to the US Securities and Exchange Commission. These forward-looking statements are made only as of the date of this document. We undertake no obligation to update any forward-looking statements after the date of this report or to conform such statements to actual results or revised expectations, except as required by law. This document and related discussions contain statements relating to our approach to and interim progress on achieving certain energy efficiency and greenhouse gas emissions reduction targets, including our ambition to achieve greenhouse gas neutrality. References to “greenhouse gas neutral” means remaining emissions, after SML’s efforts to reach its GHG emission reduction targets, compensated by the same amount of metric tons of carbon credits that are verified against recognised quality standards. Page 49November 14, 2024

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