Public Peter Vanoppen EUV Products and Business opportunity ASML Investor Day Veldhoven, The Netherlands November 14, 2024 Executive Vice President and Head of Business Line 0.55 NA EUV Small Talk 2024 Teun van Gogh Executive Vice President and Head of Business Line 0.33 NA EUV Exhibit 99.4
Public Key messages • EUV has reached high-volume manufacturing maturity providing a solid foundation for continued innovation. • The NXE:3800E offers a 38% improvement in productivity and 13% in overlay, with additional productivity and overlay improvements planned for the NXE:4000F and beyond. • The imec ASML High NA EUV lab opened in June, and all EUV customers have exposed critical layers. The data prove the capability of the system in lowering costs by 20-35% for critical layers compared to 0.33 NA, by dose reduction, enabling single exposure and 2D layout designs. • The first High NA EUV systems are operational at a customer, marking a key milestone in adoption of High NA EUV. • In the future both 0.33 NA and 0.55 NA EUV systems will be used for critical exposures. The EUV roadmap for the next decade includes the introduction of a high productivity platform and will enable affordable scaling for both 0.33 NA, 0.55 NA and potentially Hyper NA. • The growing installed base opportunity will be leveraged with a value- based service model in combination with productivity and performance upgrades.
Public 13.5 EUV Wavelength [nm] 436 g-line 365 i-line 248 KrF 193 ArF and Immersion EUV lithography enabling a resolution improvement of 2 orders of magnitude to enable the most advanced chip manufacturing Page 3 R e s o lu ti o n [ n m ] 10 100 1000 1 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020 2025 >2030 ArF (193nm) EUV 0.33 NA (13.5nm) EUV 0.55 NA (13.5nm) ArF Immersion (193nm) KrF (248nm) i-line (365nm) NA+67% NXT:1950i NXE:3400 EXE:5x00 XT:1400 NA+45% EUV 0.75 NA (13.5nm) NA+36% November 14, 2024
Public Page 4 20222018 24Q3: 93.5% 20202019 2021 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 2023 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1Q4Q3 2024 Q2 W o rl d w id e A v a il a b il it y [ % ] 18Q4: 64% 19Q4: 82% 20Q4: 84% 21Q4: 87% 22Q4: 90% 23Q4: 93%Number of systems shipped (cumulative NXE:3400B/C, NXE:3600D, NXE:3800E) Availablity (total systems worldwide) Q3 Q4 N u m b e r o f s y s te m s s h ip p e d (c u m u la tiv e N X E :3 4 0 0亿/C , N X E :3 6 0 0 D & N X E :3 8 0 0 E )8545 53 55 62 76 923 8 11 5 12 7 0.33 NA EUV systems exceeding 93.5% worldwide average availability (Q3 2024) Moving towards 95% worldwide availability November 14, 2024
公共NXE生产力逐年稳步提高，NXE:3800E为客户的生产力迈出下一个重要步骤 第5页 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 2018 20202019 2021 2022 2023 每天晶圆数（WPD）2024(Q3) 175 150 125 100 75 50 25 0 每小时晶圆数（WPH）NXE:34000亿NXE:3400C NXE:3600D 200 225 NXE:3800E 4000 4500 单日单系统最大晶圆数-一天 单日单系统最大晶圆数-一周平均 220晶圆/小时 160晶圆/小时 145*晶圆/小时 137*晶圆/小时 * 包括生产力增强套装（PEP）2024年11月14日
公共NXE:3800E将生产力从160提高到220 WpH（+38％），并使萤光引擎略高13％，以实现在2纳米节点上的EUV 第6页更高的加速经过 Reticle Stage 降低像差 投影光学优化，以稳定在更高功率下工作 500W的EUV光源以更高的锡液滴频率运营并配备新的锡管理架构 更快速，双缝隙载入室，晶圆处理机 更高的加速度 晶圆主机模块为更高功率进行了优化 EXE/NXE通用模组NXE专用模组* ASML接受测试，萤光引擎向已蚀刻参考晶圆的规整，NXE:3600D规格为1.1nm 项目 NXE:3600D NXE:3800E 分辨率 13 nm 13 nm 晶圆整体钉附度 ≤ 0.7 nm ≤ 0.7 nm 产品重复精度 ≤ 1.7 nm ≤ 1.5 nm 符合规定的重复精度 ≤ 1.1 nm ≤ 0.9 nm 30mJ/cm2时的传输速率 160 WpH 220 WpH 覆盖通量 2024年11月14日
公共2024年9月30日 | 0.33 NA EUV系统用于高容量制造。13215-2 | 第7页专用夹紧装置 每小时220个晶圆中的萤光引擎: NXE:3800E-专用夹紧装置每小时220个晶圆，规格为每小时0.8个晶圆比对机器制造规格表现提升的预期值 1.6 1.4 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 符合机器比对覆盖人口组合 每小时195个晶圆: NXE:3400C，NXE:3600D，NXE:3800E NXE:3600D规格:1.1nm NXE:3400B/C规格:1.5nm NXE:3800E规格:0.9nm [nm] 每个条形代表ASML工厂的系统质量检测 覆盖X: 覆盖Y: 99.7% 0.5 nm 0.6 nm 2024年11月14日第7页
公共EUV客户从2024年起在他们的研发和高容量制造场所安装NXE:3800E。NXE:3800E已安装在DRAm、LOGIC和Foundry客户 第8页 JP TW KR US 2024年11月14日
公共页面 9 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033节点（解析度）0.7 nm2 nm 1.x nm 1 nm3 nm 0.5 nm 0.33NA 13 nm 分辨率NXE:3600D 1.1 nm | 160 WpH NXE:3800E MMO 0.9 nm | 220 WpH NXE:4000F MMO 小于0.8 nm | ≥ 250 WpH NXE:4200G ≥ 280 WpH MMO = 匹配机台套料（0.33NA 在 30 mJ/cm2 剂量下吞吐量）掩相平台 采用 25% 加速度增加 1 µm PP / RP* 600W 源 支援增加产能 晶圆台 减少晶圆交换开销 NXE:3800E NXE:4000F 功率 500W 600W 吞吐量 220 WpH 250 WpH 产品叠加 ≤ 1.5 nm ≤ 1.3 nm 匹配叠加 ≤ 0.9 nm ≤ 0. 8 nm NXE:4000F 通过共同源、EXE晶圆台技术和进化掩相台加速度增加提高产能 具有NXE NXE:next 共同技术 NXE:4000F 规定为≥250 WpH 和 0.8 nm 匹配机台套料 使产能（14%）和叠加均得以改善，实现在 1.4 nm 节点上实现 0.33NA EUV *PP 预脉冲 / RP 疏离脉冲 2024年11月14日
公共好印刷电晶体 解析度 产能精度图案产量 × × × 运营成本 环境成本 系统成本 寿命/每 + 1 吨二氧化碳 = 200 欧元 + 总 掩相成本ASML将在 EUV 领域进行创新，以降低印刷电晶体的成本 我们的产品组合拥有0.33 NA、0.55 NA和潜在的超 NA，为客户提供全面灵活性第 10页 = 2024年11月14日
公共高 NA EUV 机会现已开始，因为 0.33 NA EUV 转型成 <26nm 关键层面多重描绘 SP: 单描绘，DP: 双描绘，QP: 四重描绘来源: Luc van den Hove, IMEC，ITF 2024年5月21日单描绘 0.55 双描绘 0.55 0.55 NA EUV 采用机会单描绘 0.33 双描绘 0.3325 21 18 16 14 28 5.2 4.3 3.5 3.5 公共数据 客户预测 预估2020年 2023年 2025年 2027年 2029年 2031年 2033年 2035年17 14 3.8 22 23 E P E [nm]，节点，金属间距， 线性刻度高产量生产的年份7 2039年2037年 12 3 5 3 2 1.4 1.0 0.7 0.20.5 0.3 亚-0.2 逻辑 金属间距，边缘位置误差[长]，不确定性5.5 4.5 5.8 节点名1 [nm]第40页2024年11月14日
公开高NA EUV - 推出高分辨率、高对比成像技术 SML全面光刻路线的最新增加 高NA EUV光刻 • 最佳的重叠效能 • 高对比度成像获得LCDU收益 • 单次曝光 vs. 多重图案 • 高对比度成像适用于较低剂量 • 高对比度 • 密度提升2.8倍 • 流程简化 • 增加设计灵活性，2D图案 解析度 生产力 准确性图案产量 = 单次曝光EXE LE-LE NXE 非光刻光刻营运支出 光刻资本支出 标识: LE = 光刻-蚀刻 1.2倍 页码12 2024年11月14日
公开高NA EUV技术数值和客户收益 页码13 客户收益高NA技术数值 更少遮罩 = 更少图案制程缺陷 流程简化，改善边缘放置误差 通过降低图案缺陷密度减少图案制造成本 透过单次图案(从多重图案中) 呈现较高对比 (生产力) 2D设计的实现(元件细胞收缩) 1)每张遮罩减少了1-2天缩短周期时间 图案 fab 空间减少 0.55 NA提供更高解析度，1.7倍更小特征和密度提升2.8倍 更高成像对比度，使本地CDU改善40% 以1.4倍较低剂量减少1.4倍的图案变异性 0.55 2024年11月14日
公开十年的发展，导致2024年6月开放的联合imec ASML实验室 法国: 铣削机身 美国: 短行程遮罩台 荷兰: 700平方公尺的高NA组装建筑物开放法国: 新设施用于大型框架焊接 德国: 新设施用于光学测量模组整合2020-2022年 模组质量保证2022-2023年 2023-2024年 系统质量保证2024年 > 晶圆曝光2018-2021年 模组制造设计系统2014-2018年 反畸变设计圣地牙哥: 源资格德国照明器件整合Veldhoven: 制程晶片台资格Wilton: 制程遮罩台资格Veldhoven 系统整合联合实验室 页码14 2024年11月14日
公共光罩集群：系统安装正在进行中，并追踪合格的高NA扫描仪器计量室。IMEC/ ASML高NA实验室支持未来插入，高NA实验室为所有EUV客户提供早期访问。第15页公共
公共客户在高NA EUV实验室中暴露关键层并验证了其好处。高NA的进展受到认可，并认识到其在实现成本效益的规模化方面的重要性。第16页 Mark Philips（英特尔）报告了SPIE光罩技术大会的高NA，2024年9月。高NA系统上总计曝光了超过10,000块晶圆，包括实验室中的超过1300块DRAm和Foundry客户的晶圆，预计到年底将达到约2,000块晶圆。2000 1750 1500 1250 1000 750 500 500 250 0 第二季 第三季 第四季 今天＃实验室曝光的晶圆量 2024 DRAm FOUNDRY 2024年11月14日
公开总计在高NA系统上曝光了超过10,000块晶圆，其中包括实验室中的超过1300块DRAm和Foundry客户的晶圆，预计到2000年年底将达到约2,000块晶圆。1750 1500 1250 1000 750 500 500 250 0 第二季 第三季 第四季 今天＃实验室曝光的晶圆量 2024 DRAm FOUNDRY 客户在高NA EUV实验室中暴露了关键层，并验证了其中的好处。高NA的进展受到认可，并认识到其在实现成本效益的规模化方面的重要性。第17页 Mark Philips（英特尔）报告了SPIE光罩技术大会的高NA，2024年9月。•高NA EUV已经到来：健康的工具，现场可用，具有全套的整体应用。•生态系统已准备好支持流程开发：遮光板、抗蚀剂、底层、蚀刻、OPC和计量。•更高NA的预期好处在抗蚀图像中明显。•现在是适当的时机，以避免过多遮罩分割的成本与复杂性，0.33 NA EUV。Mark Philips，2024年11月14日
公共高NA EUV高对比成像扩大制程窗口，同时降低剂量要求和图案化缺陷，从而提高生产率和良率。x位置[纳米]阈值NA=0.55 x位置[纳米]空气中图像强度[au] NA=0.33阈值0.33 0.55第18页NA 0.55 NA 0.33空气中图像强度[au] 2024年11月14日
公共高NA EUV提供了设计2D设计布局的新机会，这使得逻辑电芯密度更高（因此可扩展性更高），并优化了互连层的路由，减少了金属层的总数量。第19页0.33 NA 0.55 NA 0.55 NA的解析度与对比度实现了对2D金属的单次曝光，取代了两层金属和一个经孔层。需要两个金属层（1D）和额外的经孔层来连接3个晶体管P22的水平方向结合P28的垂直方向0.55 NA单次曝光图像金属1垂直金属2水平经孔1 3 2 1 2D金属与晶体管1 3 2接触晶体管1 2024年11月14日
公共高NA EUV在接触孔图案（DRAM层）上的曝光显示出更高的对比度，从而提高了LCDU并降低了剂量。第20页P40 P36 P34 P32 P30 0.33 NA 0.55 NA LCDU剂量LCDU剂量2.4 nm 2.6 nm 2.7 nm 3.0 nm 3.6 nm 63 mJ/cm² 66 mJ/cm² 66 mJ/cm² 72* mJ/cm² 73* mJ/cm²基于40nm CAR P28 1.4 nm 1.5 nm 1.6 nm 1.7 nm 2.0 nm 48 mJ/cm² 53 mJ/cm² 47 mJ/cm² 51 mJ/cm² 45 mJ/cm² 2.3 nm 45 mJ/cm² *23%照明效率 2024年11月14日
公共高NA EUV在接触孔图案（DRAM层）上的曝光显示出更高的对比度，从而提高了LCDU并降低剂量。第21页P40 P36 P34 P32 P30 0.33 NA 0.55 NA LCDU Dose LCDU 2.4 nm 2.6 nm 2.7 nm 3.0 nm 3.6 nm基于40nm CAR P28 1.4 nm 1.5 nm 1.6 nm 1.7 nm 2.0 nm 48 mJ/cm² 53 mJ/cm² 47 mJ/cm² 51 mJ/cm² 45 mJ/cm² 2.3 nm 45 mJ/cm² 与0.55 NA相同LCDU时的剂量191 mJ/cm² 209 mJ/cm² 193 mJ/cm² 220* mJ/cm² 238* mJ/cm² *23%照明效率 2024年11月14日
公共高NA EUV在接触孔图案（DRAM层）上的曝光显示出更高的对比度，从而提高了LCDU并降低了剂量。第22页P40 P36 P34 P32 P30 0.33 NA 0.55 NA LCDU剂量LCDU 2.4 nm 2.6 nm 2.7 nm 3.0 nm 3.6 nm基于40nm CAR P28 1.4 nm 1.5 nm 1.6 nm 1.7 nm 2.0 nm 48 mJ/cm² 53 mJ/cm² 47 mJ/cm² 51 mJ/cm² 45 mJ/cm² 2.3 nm 45 mJ/cm² 与0.55 NA相同LCDU时的剂量高NA的成本效益较低NA的曝光高50%。与相同LCDU的0.55 NA相比的成本效益49% 50% 50% N.A. N.A. 191 mJ/cm² 209 mJ/cm² 193 mJ/cm² 220* mJ/cm² 238* mJ/cm² *23%照明效率 2024年11月14日
Public LOGIC [P19]: 高数值孔径欧洲变速器单次曝光相比于0.33 NA EUV多重图案制程可实现约35%成本效益和显著的工艺简化 第23页曝光0.55 NA光刻蚀刻0.33 NA多重图案0.55 NA单重图案曝光0.33 NA1曝光0.33 NA2曝光0.33 NA3光刻蚀刻光刻蚀刻Cut T2兆约15奈米|蚀刻后P19 1成本效益是基于产能和预估非光刻成本计算。2024年11月14日
Public LOGIC [P30]: 从0.33 NA EUV双重曝光转换至高数值孔径欧洲变速器单次曝光，可带来约20%成本效益和工艺简化 第24页中心距30纳米随机通孔0.33 NA多重图案0.55 NA单重图案曝光0.55 NA1高数值孔径单次曝光影像曝光0.33 NA1曝光0.33 NA2成本效益是基于产能和预估非光刻成本计算。2024年11月14日
Public LOGIC [P36]: 较高对比度使曝光剂减少，从而提高影像质量，实现更高的生产力和较低的成本 第25页单次曝光比较（逻辑通孔层，18奈米孔，间距36纳米）0.33 NA CD均匀度（LCDU）NXE EXE变形的接触孔无缺陷的接触孔0.55 NA剂量250 mJ/cm252片晶圆每小时孔孔量77 mJ/cm2136片晶圆每小时2024年11月14日
Public DRAm 15奈米接触孔：高数值孔径支持高生产力单次曝光 从三次曝光（2次0.33NA欧洲变速器+1次DUV）转换为单次曝光0.55 NA欧洲变速器 第26页CD小火影像：15奈米接触孔（开发后）0.33 NA + DUV多重图案0.55 NA单重图案曝光0.33 NA1曝光0.33 NA2曝光DUV3曝光0.55 NA1光刻蚀刻0.55 NA单次曝光影像成本效益是基于产能和预估非光刻成本计算。*取决于CD SEM设置和后期处理光刻蚀刻光刻蚀刻Trim主蚀刻高数值DRAm电容器约30%成本效益和工艺简化2024年11月14日
Public DRAm 15奈米接触孔：高数值对比度使曝光剂减少，提升影像质量，带来更高生产力和更低成本 第27页单次曝光比较（DRAm电容层，15奈米孔）0.33 NA CD均匀度（LCDU）NXE EXE0.33 NA曝光的光环限制只利用了总光的23%，降低了生产力变形的接触孔无缺陷的接触孔0.55 NA曝光的光环限制利用了全100%的光，维持完整生产力剂量148 mJ/cm2每小时22片晶圆剂量44 mJ/cm2每小时155片晶圆2024年11月14日
公开高 NA 半场暴露需对大型晶片进行拼接，工程解决方案可实现在分辨率拼接28 14奈米线（28奈米间距）12奈米线（24奈米间距）初始 EXE 曝光展示拼接 A 和 b 场的可行性 0.33NA 全场 0.55NA 半场具有多个小晶片的场 面具 A 面具 b 具单个大晶片的场 面对 暴露同一面具的场的数量加倍，无需拼接图像分割在两个面具之间；可能需要对图样进行拼接面具 A 面具 A b A 2024年11月14日
公开 EUV 产品路线图，实现可负担的扩张朝高生产力平台迈进0.33NA EUV，0.55NA EUV，并在未来十年或许实现超 NA 2029 2030 2031 2032 2023 2024 2025 2026 2027 2028 纳米详解度节点1.x 纳米 1 nm3 nm 0.5 nm 0.55 NA 8 奈米解析度 EXE:52000亿 MMO <0.8 奈米 | 175 WpH EXE:5000 1.1 奈米 | 110 WpH EXE 5200C MMO <0.8 奈米 | ≥ 185 WpH EXE:5400D ≥ 95 WpH EXE 高生产力 NEXt NXE 高生产力 NEXt 超 NA 机会 高生产力共同平台即时成本 MMO = 匹配机器布局 0.33NA 在 30 mJ/cm2 剂量下的吞吐量 0.55NA 在 50 mJ/cm2 剂量下的吞吐量 0.33NA 13 奈米解析度 NXE:3600D 1.1 奈米 | 160 WpH NXE:3800E MMO 0.9 奈米 | 220 WpH NXE:4000F MMO <0.8 奈米 | ≥ 250 WpH NXE:4200G ≥ 280 WpH NXE:next EXE:next OEE（设备整体效率）和生产力持续改进2024年11月14日
公开高生产力共同平台的实现是通过采用单一模块架构实现模块化机架支持架，能够在晶圆厂实现产品混合灵活性• 共同源 • 共同接口/模块 • 共同高透射高灵活光学装置 • 分享的舞台加速创新，实现高生产力低 NA（0.33）通用模块产品特定模块低 NA 框适配器高 NA（0.55）灵活踏垫位置高 NA 超 NA（0.75）△ t ra c le n g th超 NA △ 对象 图像位移变化 2024年11月14日
公共的极紫外光源功率持续增长，有机会实现超过1000W，已展示740W的极紫外光源功率 - 已确定措施以在未来达到超过1000W的极紫外光源功率规模2010年2015年2020年2025年0 100 200 300 400 500 600 EUV-光源功率[W瓦特] 产品2030 700 800 900 1000 1 2 研究1 EUV等离子体1μm预脉冲1μm稀薄脉冲10μm主脉冲2等离子体1和10µm红外光源目标稀薄目标锡液滴1µm架构液滴重复率 第31页2024年11月14日
公共的0.33 NA和0.55 NA高透过率光学技术使生产力有显著提升高透过率光学技术在高生产力通用平台上实现0.55 NA柔性照明器：▪ 实现透过率增加约1.4倍 ▪ 生产力提升朝向300 WpH ▪ 实现改善对比度和解析度极限延伸 ▪ 启用常用的垂直光源角0.33 NA高透过率POB在0.55NA柔性照明器上0.55 NA高透过率POB：▪ 实现透过率增加超过2倍 ▪ 实现生产力超过450 WpH ▪ 启用常用的垂直光源角2024年11月14日
光学、光源和阶段的创新使极紫外光刻技术的生产力增长单曝光0.55 NA极紫外光刻将超越双曝光0.33 NA极紫外光刻在生产力上 第33页图表显示产品名称/通过量为WpH 500 550 450 400 350 300 250 throughput[WpH] 200 150 100 50 0 2015-2020 2020-2025 2030-20352025-2030 NXE:34000亿NXE:3400C NXE:3600D NXE:3800E NXE:4000F NXE:4200G 0.33 NA单曝光(30 mJ/cm2) 0.33 NA：高生产力平台预估 0.33 NA双曝光(30 mJ/cm2) 0.55 NA单曝光(50 mJ/cm2) 0.55 NA：高生产力平台EXE:5000 EXE:52000亿EXE:5400D EXE:5200C 0.33 NA：高生产力平台预估预估 2024年11月14日
公共的极紫外光源已安装基地将在未来几年进一步增长，预计寿命超过20年ASML支持客户优化其0.33 NA和0.55 NA极紫外光源基地的产出寿命 具体措施 34页 可用性（服务） 寿命周期延长（服务） 升级 曝光成本（服务） 增加机器可用性降低长时间机器故障提高系统能力成本路线图在寿命内标准化NXE和EXE服务行动升级机器以延长寿命机器销售可能产生的相对销量经过20年，预计服务和升级将为客户和ASML增加显著价值 2024年11月14日
EUV已达到高产量制造成熟，为持续创新打下稳固基础。 NXE:3800E提供38%的生产率改善和13%的叠加，并计划为NXE:4000F及更高版本带来额外的生产率和叠加改善。 imec ASML高NA EUV实验室于6月开幕，所有EUV客户均已曝光关键层。数据证明了该系统与0.33 NA相比，通过减少剂量，实现临界层成本降低20-35%，实现单次曝光和2D版面设计。首批高NA EUV系统已在客户处投入运营，标志著高NA EUV采纳中的一个关键里程碑。在未来，0.33 NA和0.55 NA EUV系统将用于临界曝光。未来十年的EUV路线图包括推出高生产效率平台，将实现0.33 NA、0.55 NA和可能的超高NA的价格可承受的扩展。安装基数机会的增长将与基于价值的服务模式结合，并进行生产率和性能升级。
公共前瞻性声明 本文件及相关讨论含有根据美国私人证券诉讼改革法案的意义所述的前瞻性声明，包括关于我们的策略、计划和预期趋势的声明，包括终端市场和科技行业的趋势，商业环境趋势，包括人工智能的出现及其潜在机遇，对半导体行业的预期，包括计算能力、先进逻辑节点和R m记忆体，对摩尔定律的看法及到2030年的预期晶体管增长和抱负，全球市场趋势和技术、产品和客户路线图，长期展望及预期的光刻术和半导体行业增长和趋势，预期的半导体销售增长和到2030年及以后的半导体市场机遇，对晶圆需求和容量的预期增长和额外的晶圆容量需求，预期客户的投资，包括对我们技术和晶圆能力的投资，扩充能力的计划，预期的光刻支出增长，增长机会，包括服务和升级增长的机会和增加安装基地管理销售的机会，预期的毛利率和全面光刻事业的增长和可开发应用产品的预期可服务市场，增长安装基地的预期价值和SML及其供应商的容量，预期系统的生产，模型情景和2024年更改的模型，包括2030年的年度收入和毛利率机会以及2030年的发展潜力，未来的前景和预期、模型或潜在财务结果，包括收入机会、毛利率、研发成本、销售、总部和管理成本、资本支出、现金转化周期和2030年的年化有效税率及支持这些预期、模型或潜在金额的假设和驱动因素以及我们业务和财务模型的其他假设，预期的趋势、前景和半导体终端市场的增长和长期增长机遇，需求和需求驱动因素，我们产品的预期机会与增长因素，包括DUV EUV、High NA、Hyper NA、应用等影响生产力和成本的其他产品，晶体管尺寸、逻辑和DRAm缩小、代工竞争，与分红和股票回购有关的声明，以及我们的资本回报政策，包括通过增加分红和回购股票将大量现金返还给股东的期望，以及与能源生成和消费趋势有关的声明，以及朝向能源效率、减排和温室气体中和目标和实现温室气体中和、零废弃物从运营中的目标以及ESG目标和野心和计划以保持ESG领先地位的声明，推动全球技术主权的增强及对半导体销售的预期影响，包括世界各地国家的具体目标，代工业务中的竞争加剧，2024年的估算和其他非历史性声明。通常通过使用“可能”、“将”、“可能”、“应该”、“项目”、“相信”、“预测”、“预期”、“计划”、“估计”、“预测”、 “机会”、“情景”、“指导”、“企图”、“继续”、“目标”、“未来”、“进展”、“目标”和这些词或类似词的变化来识别这些声明。这些声明不是历史事实，而是基于当前对我们业务和未来以及潜在财务结果的期望、估计、假设、模型、机会和投影，读者不应过度依赖它们。前瞻性陈述不能保证未来表现，涉及许多已知和未知风险和不确定性。这些风险和不确定性包括但不限于客户需求、半导体设备行业容量、半导体全球需求和半导体制造容量、光刻工具利用率和半导体库存水平、晶片行业和终端市场普遍趋势和消费者对半导体行业的信心及端市场的影响、一般经济条件的影响，包括目前宏观经济环境对半导体行业的影响，市场复苏的不确定性，包括其时间，通胀、利率、战争和地缘政治发展的影响，大流行疫情的影响，我们系统的性能，技术进步的成功和新产品开发的速度以及客户对新产品的接受程度和需求，我们的生产能力和调整能力以满足需求，供应链能力，零部件和材料、关键生产设备和合格员工的及时供应，我们生产系统以满足需求的能力，订购、运送和认可为收入的系统的数量和时间，与净订单波动有关的风险和我们将订单转换为销售的能力，订单取消或推迟和在出口控制下对订购系统发货的限制，与技术、产品和客户路线以及摩尔定律有关的风险，与贸易环境、进出口和国家安全法规和命令及其对我们的影响相关的风险，包括出口法规变化的影响以及这些法规对我们获得必要牌照和向某些客户销售我们系统和提供服务的影响，汇率波动，税率变化，可用流动性和自由现金流和流动性要求，我们重新融资的能力，可用现金和可分配储备以及对派息支付和股份回购等其他因素的影响，我们在我们的商业和财务模型中的专利执行能力和知识产权保护的力度及知识产权争端和诉讼的结果，我们达到ESG目标和执行ESG战略的能力，其可能影响SML业务或财务结果包括实际结果可能与我们提供的2030年和未来期间的模型、潜力和机会大幅不同，我们仅作为本文件的日期。我们不承担更新任何前瞻性声明的责任，不论本报告日期后或将这些声明与实际结果或修订过的预期保持一致，除非依法要求。本文件及相关讨论包含关于我们达成和中途进展的能效指标和温室气体排放减少目标的声明，包括我们实现温室气体中和的抱负意味著在SML努力实现其温室气体排放减少目标后，与经受公认质量标准核实的碳信用相匹配的剩余排放量。第36页，2024年11月14日
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