EX-99.4 5 exhibit994.htm EX-99.4 exhibit994
Public Peter Vanoppen EUV Products and Business opportunity ASML Investor Day Veldhoven, The Netherlands November 14, 2024 Executive Vice President and Head of Business Line 0.55 NA EUV Small Talk 2024 Teun van Gogh Executive Vice President and Head of Business Line 0.33 NA EUV Exhibit 99.4

 
Public Key messages • EUV has reached high-volume manufacturing maturity providing a solid foundation for continued innovation. • The NXE:3800E offers a 38% improvement in productivity and 13% in overlay, with additional productivity and overlay improvements planned for the NXE:4000F and beyond. • The imec ASML High NA EUV lab opened in June, and all EUV customers have exposed critical layers. The data prove the capability of the system in lowering costs by 20-35% for critical layers compared to 0.33 NA, by dose reduction, enabling single exposure and 2D layout designs. • The first High NA EUV systems are operational at a customer, marking a key milestone in adoption of High NA EUV. • In the future both 0.33 NA and 0.55 NA EUV systems will be used for critical exposures. The EUV roadmap for the next decade includes the introduction of a high productivity platform and will enable affordable scaling for both 0.33 NA, 0.55 NA and potentially Hyper NA. • The growing installed base opportunity will be leveraged with a value- based service model in combination with productivity and performance upgrades.

 
Public 13.5 EUV Wavelength [nm] 436 g-line 365 i-line 248 KrF 193 ArF and Immersion EUV lithography enabling a resolution improvement of 2 orders of magnitude to enable the most advanced chip manufacturing Page 3 R e s o lu ti o n [ n m ] 10 100 1000 1 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020 2025 >2030 ArF (193nm) EUV 0.33 NA (13.5nm) EUV 0.55 NA (13.5nm) ArF Immersion (193nm) KrF (248nm) i-line (365nm) NA+67% NXT:1950i NXE:3400 EXE:5x00 XT:1400 NA+45% EUV 0.75 NA (13.5nm) NA+36% November 14, 2024

 
Public Page 4 20222018 24Q3: 93.5% 20202019 2021 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 2023 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1Q4Q3 2024 Q2 W o rl d w id e A v a il a b il it y [ % ] 18Q4: 64% 19Q4: 82% 20Q4: 84% 21Q4: 87% 22Q4: 90% 23Q4: 93%Number of systems shipped (cumulative NXE:3400B/C, NXE:3600D, NXE:3800E) Availablity (total systems worldwide) Q3 Q4 N u m b e r o f s y s te m s s h ip p e d (c u m u la tiv e N X E :3 4 0 0億/C , N X E :3 6 0 0 D & N X E :3 8 0 0 E )8545 53 55 62 76 923 8 11 5 12 7 0.33 NA EUV systems exceeding 93.5% worldwide average availability (Q3 2024) Moving towards 95% worldwide availability November 14, 2024

 
公共NXE生產力逐年穩步提高，NXE:3800E為客戶的生產力迈出下一个重要步骤 第5頁 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 2018 20202019 2021 2022 2023 每天晶圓數（WPD）2024(Q3) 175 150 125 100 75 50 25 0 每小時晶圓數（WPH）NXE:34000億NXE:3400C NXE:3600D 200 225 NXE:3800E 4000 4500 單日單系統最大晶圓數-一天 單日單系統最大晶圓數-一周平均 220晶圓/小時 160晶圓/小時 145*晶圓/小時 137*晶圓/小時 * 包括生產力增強套裝（PEP）2024年11月14日

 
公共NXE:3800E將生產力從160提高到220 WpH（+38％），並使螢光引擎略高13％，以實現在2納米節點上的EUV 第6頁更高的加速經過 Reticle Stage 降低像差 投影光學優化，以穩定在更高功率下工作 500W的EUV光源以更高的錫液滴頻率運營並配備新的錫管理架構 更快速，雙縫隙載入室，晶圓處理機 更高的加速度 晶圓主機模塊為更高功率進行了優化 EXE/NXE通用模組NXE專用模組* ASML接受測試，螢光引擎向已蝕刻參考晶圓的規整，NXE:3600D規格為1.1nm 項目 NXE:3600D NXE:3800E 分辨率 13 nm 13 nm 晶圓整體釘附度 ≤ 0.7 nm ≤ 0.7 nm 產品重複精度 ≤ 1.7 nm ≤ 1.5 nm 符合規定的重複精度 ≤ 1.1 nm ≤ 0.9 nm 30mJ/cm2時的傳輸速率 160 WpH 220 WpH 覆蓋通量 2024年11月14日

 
公共2024年9月30日 | 0.33 NA EUV系統用於高容量製造。13215-2 | 第7頁專用夾緊裝置 每小時220個晶圓中的螢光引擎: NXE:3800E-專用夾緊裝置每小時220個晶圓，規格為每小時0.8個晶圓比對機器製造規格表現提升的預期值 1.6 1.4 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 符合機器比對覆蓋人口組合 每小時195個晶圓: NXE:3400C，NXE:3600D，NXE:3800E NXE:3600D規格:1.1nm NXE:3400B/C規格:1.5nm NXE:3800E規格:0.9nm [nm] 每個條形代表ASML工廠的系統質量檢測 覆蓋X: 覆蓋Y: 99.7% 0.5 nm 0.6 nm 2024年11月14日第7頁

 
公共EUV客戶從2024年起在他們的研發和高容量製造場所安裝NXE:3800E。NXE:3800E已安裝在DRAm、LOGIC和Foundry客戶 第8頁 JP TW KR US 2024年11月14日

 
公共頁面 9 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033節點（解析度）0.7 nm2 nm 1.x nm 1 nm3 nm 0.5 nm 0.33NA 13 nm 分辨率NXE:3600D 1.1 nm | 160 WpH NXE:3800E MMO 0.9 nm | 220 WpH NXE:4000F MMO 小於0.8 nm | ≥ 250 WpH NXE:4200G ≥ 280 WpH MMO = 匹配機台套料（0.33NA 在 30 mJ/cm2 劑量下吞吐量）掩相平台 採用 25% 加速度增加 1 µm PP / RP* 600W 源 支援增加產能 晶圓台 減少晶圓交換開銷 NXE:3800E NXE:4000F 功率 500W 600W 吞吐量 220 WpH 250 WpH 產品疊加 ≤ 1.5 nm ≤ 1.3 nm 匹配疊加 ≤ 0.9 nm ≤ 0. 8 nm NXE:4000F 通過共同源、EXE晶圓台技術和進化掩相台加速度增加提高產能 具有NXE NXE:next 共同技術 NXE:4000F 規定為≥250 WpH 和 0.8 nm 匹配機台套料 使產能（14%）和疊加均得以改善，實現在 1.4 nm 節點上實現 0.33NA EUV *PP 預脈衝 / RP 疏離脈衝 2024年11月14日

 
公共好印刷電晶體 解析度 產能精度圖案產量 × × × 運營成本 環境成本 系統成本 壽命/每 + 1 噸二氧化碳 = 200 歐元 + 總 掩相成本ASML將在 EUV 領域進行創新，以降低印刷電晶體的成本 我們的產品組合擁有0.33 NA、0.55 NA和潛在的超 NA，為客戶提供全面靈活性第 10頁 = 2024年11月14日

 
公共高 NA EUV 機會現已開始，因為 0.33 NA EUV 轉型成 <26nm 關鍵層面多重描繪 SP: 單描繪，DP: 双描繪，QP: 四重描繪來源: Luc van den Hove, IMEC，ITF 2024年5月21日單描繪 0.55 双描繪 0.55 0.55 NA EUV 採用機會單描繪 0.33 双描繪 0.3325 21 18 16 14 28 5.2 4.3 3.5 3.5 公共數據 客戶預測 預估2020年 2023年 2025年 2027年 2029年 2031年 2033年 2035年17 14 3.8 22 23 E P E [nm]，節點，金屬間距， 線性刻度高產量生產的年份7 2039年2037年 12 3 5 3 2 1.4 1.0 0.7 0.20.5 0.3 亞-0.2 邏輯 金屬間距，邊緣位置誤差[長]，不確定性5.5 4.5 5.8 節點名1 [nm]第40頁2024年11月14日

 
公開高NA EUV - 推出高分辨率、高對比成像技術 SML全面光刻路線的最新增加 高NA EUV光刻 • 最佳的重疊效能 • 高對比度成像獲得LCDU收益 • 單次曝光 vs. 多重圖案 • 高對比度成像適用於較低劑量 • 高對比度 • 密度提升2.8倍 • 流程簡化 • 增加設計靈活性，2D圖案 解析度 生產力 準確性圖案產量 = 單次曝光EXE LE-LE NXE 非光刻光刻營運支出 光刻資本支出 標識: LE = 光刻-蝕刻 1.2倍 頁碼12 2024年11月14日

 
公開高NA EUV技術數值和客戶收益 頁碼13 客戶收益高NA技術數值 更少遮罩 = 更少圖案製程缺陷 流程簡化，改善邊緣放置誤差 通過降低圖案缺陷密度減少圖案製造成本 透過單次圖案(從多重圖案中) 呈現較高對比 (生產力) 2D設計的實現(元件細胞收縮) 1)每張遮罩減少了1-2天縮短週期時間 圖案 fab 空間減少 0.55 NA提供更高解析度，1.7倍更小特徵和密度提升2.8倍 更高成像對比度，使本地CDU改善40% 以1.4倍較低劑量減少1.4倍的圖案變異性 0.55 2024年11月14日

 
公開十年的發展，導致2024年6月開放的聯合imec ASML實驗室 法國: 銑削機身 美國: 短行程遮罩台 荷蘭: 700平方公尺的高NA組裝建築物開放法國: 新設施用於大型框架焊接 德國: 新設施用於光學測量模組整合2020-2022年 模組質量保證2022-2023年 2023-2024年 系統質量保證2024年 > 晶圓曝光2018-2021年 模組製造設計系統2014-2018年 反畸變設計聖地牙哥: 源資格德國照明器件整合Veldhoven: 製程晶片台資格Wilton: 製程遮罩台資格Veldhoven 系統整合聯合實驗室 頁碼14 2024年11月14日

 
公共光罩集群：系統安裝正在進行中，並追蹤合格的高NA掃描儀器計量室。IMEC/ ASML高NA實驗室支持未來插入，高NA實驗室為所有EUV客戶提供早期訪問。第15頁公共

 
公共客戶在高NA EUV實驗室中暴露關鍵層並驗證了其好處。高NA的進展受到認可，並認識到其在實現成本效益的規模化方面的重要性。第16頁 Mark Philips（英特爾）報告了SPIE光罩技術大會的高NA，2024年9月。高NA系統上總計曝光了超過10,000塊晶圓，包括實驗室中的超過1300塊DRAm和Foundry客戶的晶圓，預計到年底將達到約2,000塊晶圓。2000 1750 1500 1250 1000 750 500 500 250 0 第二季 第三季 第四季 今天＃實驗室曝光的晶圓量 2024 DRAm FOUNDRY 2024年11月14日

 
公開總計在高NA系統上曝光了超過10,000塊晶圓，其中包括實驗室中的超過1300塊DRAm和Foundry客戶的晶圓，預計到2000年年底將達到約2,000塊晶圓。1750 1500 1250 1000 750 500 500 250 0 第二季 第三季 第四季 今天＃實驗室曝光的晶圓量 2024 DRAm FOUNDRY 客戶在高NA EUV實驗室中暴露了關鍵層，並驗證了其中的好處。高NA的進展受到認可，並認識到其在實現成本效益的規模化方面的重要性。第17頁 Mark Philips（英特爾）報告了SPIE光罩技術大會的高NA，2024年9月。•高NA EUV已經到來：健康的工具，現場可用，具有全套的整體應用。•生態系統已準備好支持流程開發：遮光板、抗蝕劑、底層、蝕刻、OPC和計量。•更高NA的預期好處在抗蝕圖像中明顯。•現在是適當的時機，以避免過多遮罩分割的成本與複雜性，0.33 NA EUV。Mark Philips，2024年11月14日

 
公共高NA EUV高對比成像擴大製程窗口，同時降低劑量要求和圖案化缺陷，從而提高生產率和良率。x位置[納米]閾值NA=0.55 x位置[納米]空氣中圖像強度[au] NA=0.33閾值0.33 0.55第18頁NA 0.55 NA 0.33空氣中圖像強度[au] 2024年11月14日

 
公共高NA EUV提供了設計2D設計佈局的新機會，這使得邏輯電芯密度更高（因此可擴展性更高），並優化了互連層的路由，減少了金屬層的總數量。第19頁0.33 NA 0.55 NA 0.55 NA的解析度與對比度實現了對2D金屬的單次曝光，取代了兩層金屬和一個經孔層。需要兩個金屬層（1D）和額外的經孔層來連接3個晶體管P22的水平方向結合P28的垂直方向0.55 NA單次曝光圖像金屬1垂直金屬2水平經孔1 3 2 1 2D金屬與晶體管1 3 2接觸晶體管1 2024年11月14日

 
公共高NA EUV在接觸孔圖案（DRAM層）上的曝光顯示出更高的對比度，從而提高了LCDU並降低了劑量。第20頁P40 P36 P34 P32 P30 0.33 NA 0.55 NA LCDU劑量LCDU劑量2.4 nm 2.6 nm 2.7 nm 3.0 nm 3.6 nm 63 mJ/cm² 66 mJ/cm² 66 mJ/cm² 72* mJ/cm² 73* mJ/cm²基於40nm CAR P28 1.4 nm 1.5 nm 1.6 nm 1.7 nm 2.0 nm 48 mJ/cm² 53 mJ/cm² 47 mJ/cm² 51 mJ/cm² 45 mJ/cm² 2.3 nm 45 mJ/cm² *23%照明效率 2024年11月14日

 
公共高NA EUV在接觸孔圖案（DRAM層）上的曝光顯示出更高的對比度，從而提高了LCDU並降低劑量。第21頁P40 P36 P34 P32 P30 0.33 NA 0.55 NA LCDU Dose LCDU 2.4 nm 2.6 nm 2.7 nm 3.0 nm 3.6 nm基於40nm CAR P28 1.4 nm 1.5 nm 1.6 nm 1.7 nm 2.0 nm 48 mJ/cm² 53 mJ/cm² 47 mJ/cm² 51 mJ/cm² 45 mJ/cm² 2.3 nm 45 mJ/cm² 與0.55 NA相同LCDU時的劑量191 mJ/cm² 209 mJ/cm² 193 mJ/cm² 220* mJ/cm² 238* mJ/cm² *23%照明效率 2024年11月14日

 
公共高NA EUV在接觸孔圖案（DRAM層）上的曝光顯示出更高的對比度，從而提高了LCDU並降低了劑量。第22頁P40 P36 P34 P32 P30 0.33 NA 0.55 NA LCDU劑量LCDU 2.4 nm 2.6 nm 2.7 nm 3.0 nm 3.6 nm基於40nm CAR P28 1.4 nm 1.5 nm 1.6 nm 1.7 nm 2.0 nm 48 mJ/cm² 53 mJ/cm² 47 mJ/cm² 51 mJ/cm² 45 mJ/cm² 2.3 nm 45 mJ/cm² 與0.55 NA相同LCDU時的劑量高NA的成本效益較低NA的曝光高50%。與相同LCDU的0.55 NA相比的成本效益49% 50% 50% N.A. N.A. 191 mJ/cm² 209 mJ/cm² 193 mJ/cm² 220* mJ/cm² 238* mJ/cm² *23%照明效率 2024年11月14日

 
Public LOGIC [P19]: 高數值孔徑歐洲變速器單次曝光相比於0.33 NA EUV多重圖案製程可實現約35%成本效益和顯著的工藝簡化 第23頁曝光0.55 NA光刻蝕刻0.33 NA多重圖案0.55 NA單重圖案曝光0.33 NA1曝光0.33 NA2曝光0.33 NA3光刻蝕刻光刻蝕刻Cut T2兆約15奈米|蝕刻後P19 1成本效益是基於產能和預估非光刻成本計算。2024年11月14日

 
Public LOGIC [P30]: 從0.33 NA EUV雙重曝光轉換至高數值孔徑歐洲變速器單次曝光，可帶來約20%成本效益和工藝簡化 第24頁中心距30納米隨機通孔0.33 NA多重圖案0.55 NA單重圖案曝光0.55 NA1高數值孔徑單次曝光影像曝光0.33 NA1曝光0.33 NA2成本效益是基於產能和預估非光刻成本計算。2024年11月14日

 
Public LOGIC [P36]: 較高對比度使曝光劑減少，從而提高影像質量，實現更高的生產力和較低的成本 第25頁單次曝光比較（邏輯通孔層，18奈米孔，間距36納米）0.33 NA CD均勻度（LCDU）NXE EXE變形的接觸孔無缺陷的接觸孔0.55 NA劑量250 mJ/cm252片晶圓每小時孔孔量77 mJ/cm2136片晶圓每小時2024年11月14日

 
Public DRAm 15奈米接觸孔：高數值孔徑支持高生產力單次曝光 從三次曝光（2次0.33NA歐洲變速器+1次DUV）轉換為單次曝光0.55 NA歐洲變速器 第26頁CD小火影像：15奈米接觸孔（開發後）0.33 NA + DUV多重圖案0.55 NA單重圖案曝光0.33 NA1曝光0.33 NA2曝光DUV3曝光0.55 NA1光刻蝕刻0.55 NA單次曝光影像成本效益是基於產能和預估非光刻成本計算。*取決于CD SEM設置和後期處理光刻蝕刻光刻蝕刻Trim主蝕刻高數值DRAm電容器約30%成本效益和工藝簡化2024年11月14日

 
Public DRAm 15奈米接觸孔：高數值對比度使曝光劑減少，提升影像質量，帶來更高生產力和更低成本 第27頁單次曝光比較（DRAm電容層，15奈米孔）0.33 NA CD均勻度（LCDU）NXE EXE0.33 NA曝光的光環限制只利用了總光的23%，降低了生產力變形的接觸孔無缺陷的接觸孔0.55 NA曝光的光環限制利用了全100%的光，維持完整生產力劑量148 mJ/cm2每小時22片晶圓劑量44 mJ/cm2每小時155片晶圓2024年11月14日

 
公開高 NA 半場暴露需對大型晶片進行拼接，工程解決方案可實現在分辨率拼接28 14奈米線（28奈米間距）12奈米線（24奈米間距）初始 EXE 曝光展示拼接 A 和 b 场的可行性 0.33NA 全場 0.55NA 半場具有多個小晶片的場 面具 A 面具 b 具單個大晶片的場 面對 暴露同一面具的場的數量加倍，無需拼接圖像分割在兩個面具之間；可能需要對圖樣進行拼接面具 A 面具 A b A 2024年11月14日

 
公開 EUV 產品路線圖，實現可負擔的擴張朝高生產力平台邁進0.33NA EUV，0.55NA EUV，並在未來十年或許實現超 NA 2029 2030 2031 2032 2023 2024 2025 2026 2027 2028 納米詳解度節點1.x 納米 1 nm3 nm 0.5 nm 0.55 NA 8 奈米解析度 EXE:52000億 MMO <0.8 奈米 | 175 WpH EXE:5000 1.1 奈米 | 110 WpH EXE 5200C MMO <0.8 奈米 | ≥ 185 WpH EXE:5400D ≥ 95 WpH EXE 高生產力 NEXt NXE 高生產力 NEXt 超 NA 機會 高生產力共同平台即時成本 MMO = 匹配機器布局 0.33NA 在 30 mJ/cm2 劑量下的吞吐量 0.55NA 在 50 mJ/cm2 劑量下的吞吐量 0.33NA 13 奈米解析度 NXE:3600D 1.1 奈米 | 160 WpH NXE:3800E MMO 0.9 奈米 | 220 WpH NXE:4000F MMO <0.8 奈米 | ≥ 250 WpH NXE:4200G ≥ 280 WpH NXE:next EXE:next OEE（設備整體效率）和生產力持續改進2024年11月14日

 
公開高生產力共同平台的實現是通過採用單一模塊架構實現模塊化機架支持架，能夠在晶圓廠實現產品混合靈活性• 共同源 • 共同接口/模塊 • 共同高透射高靈活光學裝置 • 分享的舞台加速創新，實現高生產力低 NA（0.33）通用模塊產品特定模塊低 NA 框適配器高 NA（0.55）靈活踏墊位置高 NA 超 NA（0.75）△ t ra c le n g th超 NA △ 對象 圖像位移變化 2024年11月14日

 
公共的極紫外光源功率持續增長，有機會實現超過1000W，已展示740W的極紫外光源功率 - 已確定措施以在未來達到超過1000W的極紫外光源功率規模2010年2015年2020年2025年0 100 200 300 400 500 600 EUV-光源功率[W瓦特] 產品2030 700 800 900 1000 1 2 研究1 EUV等離子體1μm預脈沖1μm稀薄脈沖10μm主脈沖2等離子體1和10µm紅外光源目標稀薄目標錫液滴1µm架構液滴重複率 第31頁2024年11月14日

 
公共的0.33 NA和0.55 NA高透過率光學技術使生產力有顯著提升高透過率光學技術在高生產力通用平台上實現0.55 NA柔性照明器：▪ 實現透過率增加約1.4倍 ▪ 生產力提升朝向300 WpH ▪ 實現改善對比度和解析度極限延伸 ▪ 啟用常用的垂直光源角0.33 NA高透過率POB在0.55NA柔性照明器上0.55 NA高透過率POB：▪ 實現透過率增加超過2倍 ▪ 實現生產力超過450 WpH ▪ 啟用常用的垂直光源角2024年11月14日

 
光學、光源和階段的創新使極紫外光刻技術的生產力增長單曝光0.55 NA極紫外光刻將超越雙曝光0.33 NA極紫外光刻在生產力上 第33頁圖表顯示產品名稱/通過量為WpH 500 550 450 400 350 300 250 throughput[WpH] 200 150 100 50 0 2015-2020 2020-2025 2030-20352025-2030 NXE:34000億NXE:3400C NXE:3600D NXE:3800E NXE:4000F NXE:4200G 0.33 NA單曝光(30 mJ/cm2) 0.33 NA：高生產力平台預估 0.33 NA雙曝光(30 mJ/cm2) 0.55 NA單曝光(50 mJ/cm2) 0.55 NA：高生產力平台EXE:5000 EXE:52000億EXE:5400D EXE:5200C 0.33 NA：高生產力平台預估預估 2024年11月14日

 
公共的極紫外光源已安裝基地將在未來幾年進一步增長，預計壽命超過20年ASML支持客戶優化其0.33 NA和0.55 NA極紫外光源基地的產出壽命 具體措施 34頁 可用性（服務） 壽命週期延長（服務） 升級 曝光成本（服務） 增加機器可用性降低長時間機器故障提高系統能力成本路線圖在壽命內標準化NXE和EXE服務行動升級機器以延長壽命機器銷售可能產生的相對銷量經過20年，預計服務和升級將為客戶和ASML增加顯著價值 2024年11月14日

 
EUV已達到高產量製造成熟，為持續創新打下穩固基礎。 NXE:3800E提供38%的生產率改善和13%的疊加，並計劃為NXE:4000F及更高版本帶來額外的生產率和疊加改善。 imec ASML高NA EUV實驗室於6月開幕，所有EUV客戶均已曝光關鍵層。數據證明了該系統與0.33 NA相比，通過減少劑量，實現臨界層成本降低20-35%，實現單次曝光和2D版面設計。首批高NA EUV系統已在客戶處投入運營，標誌著高NA EUV採納中的一個關鍵里程碑。在未來，0.33 NA和0.55 NA EUV系統將用於臨界曝光。未來十年的EUV路線圖包括推出高生產效率平台，將實現0.33 NA、0.55 NA和可能的超高NA的價格可承受的擴展。安裝基數機會的增長將與基於價值的服務模式結合，並進行生產率和性能升級。

 
公共前瞻性聲明 本文件及相關討論含有根據美國私人證券訴訟改革法案的意義所述的前瞻性聲明，包括關於我們的策略、計劃和預期趨勢的聲明，包括終端市場和科技行業的趨勢，商業環境趨勢，包括人工智能的出現及其潛在機遇，對半導體行業的預期，包括計算能力、先進邏輯節點和R m記憶體，對摩爾定律的看法及到2030年的預期晶體管增長和抱負，全球市場趨勢和技術、產品和客戶路線圖，長期展望及預期的光刻術和半導體行業增長和趨勢，預期的半導體銷售增長和到2030年及以後的半導體市場機遇，對晶圓需求和容量的預期增長和額外的晶圓容量需求，預期客戶的投資，包括對我們技術和晶圓能力的投資，擴充能力的計劃，預期的光刻支出增長，增長機會，包括服務和升級增長的機會和增加安裝基地管理銷售的機會，預期的毛利率和全面光刻事業的增長和可開發應用產品的預期可服務市場，增長安裝基地的預期價值和SML及其供應商的容量，預期系統的生產，模型情景和2024年更改的模型，包括2030年的年度收入和毛利率機會以及2030年的發展潛力，未來的前景和預期、模型或潛在財務結果，包括收入機會、毛利率、研發成本、銷售、總部和管理成本、資本支出、現金轉化周期和2030年的年化有效稅率及支持這些預期、模型或潛在金額的假設和驅動因素以及我們業務和財務模型的其他假設，預期的趨勢、前景和半導體終端市場的增長和長期增長機遇，需求和需求驅動因素，我們產品的預期機會與增長因素，包括DUV EUV、High NA、Hyper NA、應用等影響生產力和成本的其他產品，晶體管尺寸、邏輯和DRAm縮小、代工競爭，與分紅和股票回購有關的聲明，以及我們的資本回報政策，包括通過增加分紅和回購股票將大量現金返還給股東的期望，以及與能源生成和消費趨勢有關的聲明，以及朝向能源效率、減排和溫室氣體中和目標和實現溫室氣體中和、零廢棄物從運營中的目標以及ESG目標和野心和計劃以保持ESG領先地位的聲明，推動全球技術主權的增強及對半導體銷售的預期影響，包括世界各地國家的具體目標，代工業務中的競爭加劇，2024年的估算和其他非歷史性聲明。通常通過使用“可能”、“將”、“可能”、“應該”、“項目”、“相信”、“預測”、“預期”、“計劃”、“估計”、“預測”、 “機會”、“情景”、“指導”、“企圖”、“繼續”、“目標”、“未來”、“進展”、“目標”和這些詞或類似詞的變化來識別這些聲明。這些聲明不是歷史事實，而是基於當前對我們業務和未來以及潛在財務結果的期望、估計、假設、模型、機會和投影，讀者不應過度依賴它們。前瞻性陳述不能保證未來表現，涉及許多已知和未知風險和不確定性。這些風險和不確定性包括但不限於客戶需求、半導體設備行業容量、半導體全球需求和半導體製造容量、光刻工具利用率和半導體庫存水平、晶片行業和終端市場普遍趨勢和消費者對半導體行業的信心及端市場的影響、一般經濟條件的影響，包括目前宏觀經濟環境對半導體行業的影響，市場復蘇的不確定性，包括其時間，通脹、利率、戰爭和地緣政治發展的影響，大流行疫情的影響，我們系統的性能，技術進步的成功和新產品開發的速度以及客戶對新產品的接受程度和需求，我們的生產能力和調整能力以滿足需求，供應鏈能力，零部件和材料、關鍵生產設備和合格員工的及時供應，我們生產系統以滿足需求的能力，訂購、運送和認可為收入的系統的數量和時間，與淨訂單波動有關的風險和我們將訂單轉換為銷售的能力，訂單取消或推遲和在出口控制下對訂購系統發貨的限制，與技術、產品和客戶路線以及摩爾定律有關的風險，與貿易環境、進出口和國家安全法規和命令及其對我們的影響相關的風險，包括出口法規變化的影響以及這些法規對我們獲得必要牌照和向某些客戶銷售我們系統和提供服務的影響，匯率波動，稅率變化，可用流動性和自由現金流和流動性要求，我們重新融資的能力，可用現金和可分配儲備以及對派息支付和股份回購等其他因素的影響，我們在我們的商業和財務模型中的專利執行能力和知識產權保護的力度及知識產權爭端和訴訟的結果，我們達到ESG目標和執行ESG戰略的能力，其可能影響SML業務或財務結果包括實際結果可能與我們提供的2030年和未來期間的模型、潛力和機會大幅不同，我們僅作為本文件的日期。我們不承擔更新任何前瞻性聲明的責任，不論本報告日期後或將這些聲明與實際結果或修訂過的預期保持一致，除非依法要求。本文件及相關討論包含關於我們達成和中途進展的能效指標和溫室氣體排放減少目標的聲明，包括我們實現溫室氣體中和的抱負意味著在SML努力實現其溫室氣體排放減少目標後，與經受公認質量標準核實的碳信用相匹配的剩餘排放量。第36頁，2024年11月14日

 
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